安森美半導體推出自保護電子保險絲用于侵入電流限制應用

NIS5112集成SENSEFET™高端開(kāi)關(guān)，
以?xún)r(jià)廉的電阻芯片替代昂貴的低阻抗分流電路進(jìn)行電流檢測

安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）推出SMART HotPlug™系列的新成員NIS5112——集成自保護、可復位之電子保險絲，采用內置電荷泵驅動(dòng)高端N-通道FET。為用于12伏(V)系統而設計，NIS5112為熱插拔應用如企業(yè)級硬盤(pán)提供一個(gè)高性?xún)r(jià)比的侵入電流限制解決方案。

安森美半導體Smart HotPlug™產(chǎn)品市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Barry Brinkman說(shuō)：“采用NIS5112，設計人員只需幾個(gè)低成本元件便可得到可靠的分流電路流限制集成解決方案。在該器件推出前，設計人員需采用多達11個(gè)不同元件的分立元件解決方案?！?

NIS5112設計可以在12 V背板上安全插拔設備，它采用內置SENSEFETTM以?xún)r(jià)廉電阻芯片，替代較昂貴的低阻抗分流電路實(shí)現有源限流功能。與可調電壓轉換率耦合，NIS5112使設計人員可輕易地選擇在多種應用中限流水平和輸出電壓的提升速率。NIS5112的輸入電壓范圍為9 V到  18 V，且提供過(guò)壓保護，能在瞬流中運行，保護負載。此器件也包含控制導通電壓、輸出電流、裸片溫度、導通di/dt和導通dV/dt，及啟動(dòng)/定時(shí)器功能的電路。它提供兩種限熱版本的穩健熱保護電路，即自動(dòng)重試和鎖存關(guān)閉。

特性
•    集成功率器件
•    熱限制保護 
•    無(wú)須外部分流電路
•    內置電荷泵
•    9 V到18 V輸入范圍
•    典型值為30 mΩ

應用
•    硬盤(pán)
•    計算

封裝和價(jià)格
NIS5112D1R2G(鎖存)和NIS5112D2R2G(重試)采用無(wú)鉛SO-8封裝，每2,500件的批量單價(jià)為$1.15美元?，F提供樣品。更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.onsemi.com/tech 或聯(lián)系Barry Brinkman (電郵地址barry.brinkman@onsemi.com)。