芯片如何給力無(wú)線(xiàn)技術(shù)創(chuàng )新？

　　LTE的商用能力取決于芯片環(huán)節的成熟，這已是不爭的事實(shí)。

　　從去年全球各地建設LTE試驗網(wǎng)、世博會(huì )試用TD-LTE到今年多個(gè)地區開(kāi)通LTE商用服務(wù)、國內TD-LTE進(jìn)入6+1城市規模試驗階段，LTE終端數量也隨之不斷增多，但相比先期涌現出的單模LTE終端，終端和芯片廠(chǎng)商已將多模多頻視為現階段的攻關(guān)重點(diǎn)。

　　多模需求增大

　　LTE在今年正式開(kāi)局，也對芯片提出了兼容FDD/TDD/WCDMA/EV-DO/GSM等多制式、支持十幾個(gè)頻段的新需求。盡管參與LTE芯片研發(fā)的企業(yè)數量越來(lái)越多，但一位業(yè)界人士直言不諱稱(chēng)，對目前LTE芯片領(lǐng)域熱鬧非凡的現象不要太過(guò)樂(lè )觀(guān)，因為多模多頻的挑戰會(huì )在LTE接下來(lái)發(fā)展中變得越來(lái)越現實(shí)，而屆時(shí)真正能支持此需求的芯片廠(chǎng)家并不多。“最大的挑戰來(lái)自于射頻收發(fā)RFIC，從目前的技術(shù)水平看，真正有能力支持多模十幾個(gè)頻段的RFIC廠(chǎng)商僅包括高通、ST-Ericsson等幾家。”

　　中國移動(dòng)終端部副總經(jīng)理耿學(xué)鋒不久前在某廠(chǎng)商的會(huì )議上表示，在今年5?9月的第一階段LTE終端測試上將進(jìn)行TD-LTE單模測試，完成單模主要技術(shù)驗證;今年10月到明年3月的第二階段將進(jìn)行TDD/FDD多模測試，2012年7?12月實(shí)現小批量的驗證，同時(shí)要求廠(chǎng)商具備商用供貨能力。

　　相比之下，具有豐富商用經(jīng)驗的芯片巨頭在多模產(chǎn)品上動(dòng)作更快，例如今年2月ST-Ericsson推出的ThorM7400平臺已具備支持大多接入技術(shù)包括LTEFDD、TD-LTE、HSPA+、TD-SCDMA、EDGE等。

　　聯(lián)芯科技也于今年4月推出國內首款TD-LTE/TD-HSPA雙?；鶐幚砥餍酒琇C1760。

　　微架構新趨勢

　　除了多模多頻的挑戰，芯片的工藝與功耗也成為考驗廠(chǎng)商能力的指標。

　　此前中國移動(dòng)研究院院長(cháng)黃曉慶提出，針對LTE的數據業(yè)務(wù)，TD-LTE數據卡至少需要65nm工藝的支持才能滿(mǎn)足市場(chǎng)需要，在2011年的規模試驗中，65/45nm工藝以及GSM/LTE、GSM/TD-SCDMA/LTE多模終端已列入測試內容中，而在2012?2013年的試商用/商用階段，28nm工藝有望得到測試和應用，屆時(shí)將極大提高TD-LTE終端的成熟和性?xún)r(jià)比。

　　聯(lián)芯科技副總裁劉迪軍接受本刊采訪(fǎng)時(shí)稱(chēng)，65nm/55nm工藝目前仍是芯片的主流工藝，但包括聯(lián)芯科技在內的眾廠(chǎng)商正在重點(diǎn)開(kāi)發(fā)40nm架構的產(chǎn)品。“從工藝角度來(lái)看，微架構的主要作用除了能使芯片處理速度提高、集成度提高，還能大幅降低功耗。”

　　事實(shí)上，28nm工藝已經(jīng)用于實(shí)際產(chǎn)品。今年2月，高通推出了采用28nm微架構制造的支持LTE/雙載波HSPA+/EV-DORev.B/TD-SCDMA的芯片組，同時(shí)還推出了支持下一代平板電腦及的四核Snapdragon芯片組，其核心架構也是28nm微架構。高通人士稱(chēng)，這一架構的最大意義在于可支持更大的屏幕尺寸與更高的分辨率、更復雜的操作系統、多任務(wù)處理、多聲道音頻、高清游戲、立體3D(S3D)照片與視頻捕獲和播放，以及通過(guò)HDMI實(shí)現向1080P平板顯示器的高清輸出。