SanDisk推出19納米存儲制造工藝
—— 將制造高性能、小尺寸嵌入式存儲設備
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SANDISK Corporation 近日宣布推出采用全球領(lǐng)先的19納米存儲制造工藝、基于2-bits-per-cell (X2) 技術(shù)的64-gigabit (Gb) 單塊芯片。此項技術(shù)將令SanDisk制造出適用于手機、平板電腦和其他設備的高性能、小尺寸嵌入式和可移動(dòng)存儲設備。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/119005.htmSanDisk將于本季度推出19納米64Gb X2芯片的樣片，并預計于2011年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。屆時(shí)，SanDisk還將在其產(chǎn)品系列中添加一款基于19納米工藝技術(shù)制造的3-bits-per-cell (X3) 產(chǎn)品。
SanDisk執行副總裁兼首席技術(shù)官Yoram Cedar表示：“通過(guò)與制造伙伴東芝 (Toshiba) 的持續合作，我們非常高興能夠推出基于行業(yè)領(lǐng)先的19納米工藝技術(shù)的全球最小、成本最低的NAND閃存芯片?；谠擁椉夹g(shù)的產(chǎn)品將幫助實(shí)現新的應用、尺寸和消費者體驗，正是這些應用將閃存行業(yè)的發(fā)展推上了新的臺階。”
19納米存儲芯片采用了包括先進(jìn)的工藝創(chuàng )新和單元設計解決方案在內的、時(shí)下最先進(jìn)的閃存技術(shù)制造工藝。SanDisk的All-Bit-Line (ABL) 架構擁有專(zhuān)用的程序設計算法和多層式數據儲存管理方案，從而在制造多層單元 (MLC) NAND閃存芯片時(shí)不會(huì )影響其性能或可靠性。
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