Silicon Labs電容觸摸感應MCU的工作原理與基本特征

　　現在的電子產(chǎn)品中，觸摸感應技術(shù)日益受到更多關(guān)注和應用，并不斷有新的技術(shù)和IC面世。與此同時(shí)，高靈敏度的電容觸摸技術(shù)也在快速地發(fā)展起來(lái)，其主要應用在電容觸摸屏和電容觸摸按鍵，但由于電容會(huì )受溫度、濕度或接地情況的不同而變化，故穩定性較差，因而要求IC的抗噪性能要好，這樣才能保證穩定正確的觸摸感應。

　　針對市場(chǎng)的需求，來(lái)自美國的高效能模擬與混合信號IC創(chuàng )新廠(chǎng)商Silicon Laboratories(簡(jiǎn)稱(chēng)：Silicon Labs)公司特別推出了C8051F7XX和 C8051F8XX系列的MCU(單片機)，專(zhuān)門(mén)針對電容觸摸感應而設計，在抗噪性能和運算速度上表現的非常突出。

　　一、 Silicon Labs公司的電容觸摸系列MCU

　　目前Silicon Labs公司推出的C8051F7xx和C8051F8xx等電容觸摸系列MCU，以高信噪比高速度的特點(diǎn)在業(yè)界表現尤為出色。同時(shí)，靈活的I/O配置，給設計帶來(lái)更多的方便。另外，由于該系列MCU內部集成了特殊的電容數字轉換器(CDC)，所以能夠進(jìn)行高精度的電容數字轉換實(shí)現電容觸摸功能。

　　CDC的具體工作原理：

　　如圖1所示，IREF是一個(gè)內部參考電流源，CREF是內部集成的充電電容，ISENSOR屬于內部集成的受控電流源，CSENSOR為外部電容傳感器的充電電容，由于人體的觸摸引起CSENSOR的變化，通過(guò)內部調整過(guò)的ISENSOR對CSENSOR進(jìn)行瞬間的充電，在CSENSOR上產(chǎn)生一個(gè)電壓VSENSOR，然后相對內部參考電壓經(jīng)過(guò)一個(gè)共模差分放大器進(jìn)行放大;同理IC內部的IREF對CREF充電后也產(chǎn)生一個(gè)參考電壓并相對同樣的VREF經(jīng)過(guò)差分放大，最后將2個(gè)放大后的信號通過(guò)SAR(逐次逼近模數轉換器)式的ADC采樣算出ISENSOR的值。

　　圖1

　　Silicon Labs SAR式的ADC采樣可選擇12-16位的分辨率，如圖2所示，采用16位的分辨率進(jìn)行逐位比較采樣：首先從確定最高位第16位(IREF=0x8000)開(kāi)始，最高位的值取決于電容的充電速率，也就相當于電流的大小，取電流IREF/2，比較VSENSOR和VREF：

　　VSENSOR > VREF 則 最高位 = 0 ;

　　VSENSOR < VREF 則 最高位 = 1 ;

　　隨后，SAR控制邏輯移至下一位，并將該位設置為高電平，進(jìn)行下一次比較：

　　如果第16位是1，則取下一個(gè)IREF=0xC000 ;

　　如果第16位是0，則取下一個(gè)IREF=0x4000.

　　這個(gè)過(guò)程一直持續到最低有效位(LSB)。上述操作結束后，也就完成了轉換，將算出的16位轉換結果儲存在寄存器內。

　　圖2