新紀錄：日本學(xué)者研制出4Tbit/平方英寸存儲密度的鐵電存儲體

　　據美國物理研究所出版的《應用物理》雜志報道，日本東北大學(xué)的科學(xué)家們在試驗室中使用鐵電存儲技術(shù)將存儲芯片的存儲密度提升到了每平方英寸4Tbit，達成了鐵電存儲體的新世界紀錄，如此等級的存儲密度要比現有最高級的磁記錄型硬盤(pán)的存儲密度要高上7倍左右。

　　這種數據存儲設備使用一個(gè)尖頂懸臂對鐵電體存儲材料進(jìn)行讀寫(xiě)操作。進(jìn)行數據寫(xiě)入時(shí)，向尖頂發(fā)送電脈沖，這種電脈沖可以改變對應位置的電子極性和電子所在區域周?chē)恍∑瑘A型區域內硅基體的介電常數。進(jìn)行數據讀取時(shí)，則使用尖頂來(lái)偵測附近區域介電常數的變化值來(lái)讀取數據。

　　負責該項目研究的Yasuo Cho博士稱(chēng)：“我們希望這種鐵電體存儲系統，至少在需要極大數據存儲密度和對存儲器體積要求很小的應用場(chǎng)合下，能扮演取代磁硬盤(pán)和閃存存儲器的角色。“

　　在這項技術(shù)的早期研究過(guò)程中，研發(fā)者們曾經(jīng)遇到過(guò)這樣的問(wèn)題：當需要在這種鐵電體存儲材料上連片寫(xiě)入位置連續的數據時(shí)，寫(xiě)入時(shí)產(chǎn)生的極化區會(huì )彼此融合在一起，導致極化區的面積超過(guò)了預定的尺寸，影響到了周邊的存儲區域。為此研究者們開(kāi)發(fā)出了另外一項補救技術(shù)，這種技術(shù)能夠預測這種連片寫(xiě)入數據的行為，并在寫(xiě)入此類(lèi)數據時(shí)將發(fā)送給尖頂的電脈沖信號自動(dòng)減小10%左右，這樣才解決了這個(gè)問(wèn)題。

　　盡管鐵電體存儲技術(shù)具有無(wú)需磁技術(shù)或熱技術(shù)介入，僅需利用電學(xué)技術(shù)的優(yōu)勢，但是要將這種存儲技術(shù)投入實(shí)用還需要作很大的努力，比如目前鐵電體技術(shù)的數據讀取速度和精度方面，以及鐵電體基體部分的成本方面便還沒(méi)有達到商用化的水平。不僅如此，傳統的存儲技術(shù)也一直在發(fā)展進(jìn)步，其存儲密度甚至有可能會(huì )超過(guò)鐵電體，比如希捷公司便曾宣稱(chēng)他們預計傳統存儲技術(shù)的數據存儲密度有望達到50Tbit/平方英寸。