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鐵電存儲體
鐵電存儲體 文章 進(jìn)入鐵電存儲體技術(shù)社區
新紀錄：日本學(xué)者研制出4Tbit/平方英寸存儲密度的鐵電存儲體
- 據美國物理研究所出版的《應用物理》雜志報道，日本東北大學(xué)的科學(xué)家們在試驗室中使用鐵電存儲技術(shù)將存儲芯片的存儲密度提升到了每平方英寸4Tbit，達成了鐵電存儲體的新世界紀錄，如此等級的存儲密度要比現有最高級的磁記錄型硬盤(pán)的存儲密度要高上7倍左右。 這種數據存儲設備使用一個(gè)尖頂懸臂對鐵電體存儲材料進(jìn)行讀寫(xiě)操作。進(jìn)行數據寫(xiě)入時(shí)，向尖頂發(fā)送電脈沖，這種電脈沖可以改變對應位置的電子極性和電子所在區域周?chē)恍∑瑘A型區域內硅基體的介電常數。進(jìn)行數據讀取時(shí)，則使用尖頂來(lái)偵測附近區域介電常數的變化值來(lái)讀取數據。
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鐵電存儲體介紹
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