NXP在“2010年國際微波研討會(huì )”展示其高性能射頻產(chǎn)品

　　恩智浦半導體(NXP Semiconductors)最近宣布，在加利福尼亞州阿納海姆舉行的“2010年IEEE MTT-S國際微波研討會(huì )”上，展示了其用于新一代基站的最新高性能射頻和混合信號產(chǎn)品。特色產(chǎn)品包括恩智浦新型高速數據轉換器組合——全球首個(gè)支持JEDEC JESD204A串行接口的數據轉換器——現已批量發(fā)售。恩智浦還展示了其基于SiGe:C技術(shù)的廣泛的射頻和中頻放大器產(chǎn)品組合，包括低噪聲放大器(LNAs)，以及固定和可變增益放大器，能夠實(shí)現無(wú)線(xiàn)基礎設施TRx無(wú)線(xiàn)電設計上的更高集成度。此外，恩智浦也展示了其第七代 LDMOS功率晶體管，以及一個(gè)Doherty功率放大器的綜合產(chǎn)品組合，其中包括業(yè)界首個(gè)三路900MHz Doherty放大器，和一個(gè)高達600W的單封裝Doherty，這是一個(gè)可在大功率范圍保持高效率的緊湊型器件。

　　恩智浦半導體高級副總裁兼高性能射頻和照明業(yè)務(wù)總經(jīng)理John Croteau表示，“隨著(zhù)無(wú)線(xiàn)數據流量的巨幅增長(cháng)，移動(dòng)基礎設施供應商正在承受著(zhù)將高性?xún)r(jià)比和低功耗的基站快速推向市場(chǎng)的巨大壓力。從分立器件到模塊構件和專(zhuān)用標準產(chǎn)品(ASSP)，恩智浦提供一系列的高性能射頻產(chǎn)品組合，簡(jiǎn)化了更緊湊和更高效解決方案的設計過(guò)程”。“通過(guò)我們在JESD204A、SiGe:C和LDMOS等技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位，以及我們對系統層面架構創(chuàng )新的關(guān)注，恩智浦填補了行業(yè)內的各項空白，從低功耗電網(wǎng)和射頻拉遠的部署，到相控陣天線(xiàn)，以及很多其他的特別創(chuàng )新。”

　　特色產(chǎn)品包括：

　　· 高速數據轉換器。恩智浦新型高速CGVTM ADCs和DACs在行業(yè)內首次運用JEDEC JESD204A串行接口，除大幅減少數據轉換器與VLSI邏輯器件之間的互聯(lián)信號數量外，還能夠支持多數據轉換器通道的同步結合。JEDEC JESD204A接口解決了棘手的系統設計難題，提高了系統的可靠性，并減少了開(kāi)發(fā)時(shí)間和材料用量(BOM)成本。恩智浦JESD204A接口CGV轉換器與來(lái)自Altera, Lattice及 Xilinx基于SERDES的FPGA實(shí)現互通操作。恩智浦ADC提供卓越的85dBc SFDR線(xiàn)性性能;比目前可用的典型高速數據轉換器高出5dB，且實(shí)現低功耗優(yōu)化。高達16位，125 Msps 采樣率的恩智浦ADC支持很高的頻率輸入范圍，它把“射頻轉換器” 這一新的產(chǎn)品類(lèi)別引入業(yè)界，并已得到了認可。

　　· 先進(jìn)的小信號射頻器件。恩智浦將展示其射頻小信號的完整產(chǎn)品組合，其中包括基于SiGe:C工藝的突破性低噪聲放大器系列產(chǎn)品，它滿(mǎn)足無(wú)線(xiàn)基礎設施非?？量痰囊?，即 NF小于0.7dB，20dB增益和33dBm IP3，實(shí)現了更高的集成度。其他重點(diǎn)包括通過(guò)恩智浦全面射頻測試的基于硅工藝的固定和可變增益高線(xiàn)性度放大器產(chǎn)品系列，適用于IF和RF頻段，可實(shí)現P1dB最高達33dBm，增益控制范圍超過(guò)30dB，模擬和數字SPI控制接口，OIP3達45dBm以上。

　　最佳射頻功率產(chǎn)品。恩智浦將展示其第七代 LDMOS大功率晶體管組合，其功效表現出色，單端封裝200W，推挽(雙路)封裝250W和300W。如同所有的恩智浦LDMOS功率晶體管，第七代LDMOS高功率晶體管保障了基站可靠運行所需的耐用性。此外，恩智浦提供了全面的最佳Doherty功率放大器，覆蓋了無(wú)線(xiàn)基礎設施的整個(gè)頻率范圍，從 400到3500MHz ，這在業(yè)界是最廣的。通過(guò)均在900兆赫環(huán)境下運行的業(yè)界首個(gè)三路Doherty放大器和基于恩智浦50V LDMOS處理技術(shù)的第一個(gè)單封裝600W Doherty功率放大器，恩智浦為射頻設計工程師提供了最佳選擇，并使非常緊湊的基站成為可能。三路Doherty電路可達52.7dBm峰值(平均功率44.1dBm)，并具有49.2%的高效率。目前，600W(57.8dbBm)單封裝電路在帶內49.2dBm輸出功率狀態(tài)下，可實(shí)現超過(guò)43%的效率。此外，恩智浦將展示其獨有的專(zhuān)為緊湊型射頻拉遠和天線(xiàn)陣列設計的完全集成Doherty放大器。