意法推出512Mbit閃存解決方案
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意法半導體近日推出了最新一代手機專(zhuān)用的NOR閃存子系統。意法半導體是世界最大的NOR閃存供應商之一,在開(kāi)發(fā)半導體精細制造技術(shù)領(lǐng)域居世界領(lǐng)先水平。新的多片子系統在一個(gè)封裝內整合了ST新開(kāi)發(fā)的256Mbit和512Mbit單片NOR閃存芯片以及偽靜態(tài)隨機存取存儲器(PSRAM)或小功率同步動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(LPSDRAM)。新的NOR閃存子系統專(zhuān)門(mén)為第三代手機應用設計,采用ST先進(jìn)的90nm工藝開(kāi)發(fā)制造,代碼執行速度更快,價(jià)格更加低廉。
新的閃存子系統采用多片封裝(MCP)技術(shù),含有多種芯片組合,包括:
512 Mbit 閃存 + 64 Mbit PSRAM (M36P0R9060);
512 Mbit 閃存+ 128 Mbit PSRAM (M36P0R9070);
512 Mbit 閃存 + 128 Mbit LPSDRAM (M39P0R9070):
此外,還有容量高達1Gbit的三片疊裝和基于ST新開(kāi)發(fā)的256MbitNOR閃存的多片封裝產(chǎn)品。
ST新的NOR閃存將存儲性能提升到了一個(gè)新的水平,讀取速率高達133MHz,比市場(chǎng)現有產(chǎn)品快2倍。此外,編程速率高達0.5兆字節每秒,比現有NOR閃存解決方案提高2倍。意法半導體存儲器產(chǎn)品部副總裁Marco Dallabora說(shuō):“我們新的NOR閃存芯片具有優(yōu)異的讀取速度,能夠實(shí)現目前最快讀取速度的芯片組,因而提高先進(jìn)手機平臺的代碼執行速度。此外,其 每秒 0.5兆字節的 編程速率以及極低的功耗還支持手機上的高分辨相機?!?nbsp;
ST新的閃存產(chǎn)品不僅采用90nm光刻技術(shù),還運用了經(jīng)過(guò)驗證的先進(jìn)存儲技術(shù),例如,多電平單
元(MLC)閃存和多區塊體系結構,這些特性都是針對第三代多媒體手機的高容量、小尺寸、低功耗和高靈活性等特點(diǎn)專(zhuān)門(mén)設計開(kāi)發(fā)的。
在封裝方面,采用一個(gè)單片小封裝內集成不同類(lèi)型的存儲器的整合方法,可以 節省電路板空間, 提高制造商產(chǎn)品的可靠性。而且,在一個(gè)容量非常小的封裝內組裝超大容量的存儲器是即將到來(lái)的第三代應用處理多媒體內容和快速連接互聯(lián)網(wǎng)的基本要求。
軟件支持在客戶(hù)的應用平臺內整合數據和文件管理功能,這一特性完善了ST存儲子系統產(chǎn)品范
圍,有助于縮短制造商的產(chǎn)品化周期。
這兩個(gè)新產(chǎn)品系列所包含的存儲器組合都已上市銷(xiāo)售,采用BGA封裝:NOR閃存+PSRAM,8 x 11mm (ZAC) LFBGA107封裝;NOR閃存+LPSDRAM,9x11mm(ZAD)xFBGA105封裝。批量采購 價(jià):M36P0R9060單價(jià)12美元,M36P0R9070單價(jià)14美元,M39P0R9070單價(jià)13美元。所有產(chǎn)品數據信息將在www.st.com網(wǎng)站上公布。
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