上半年凈利減少48.48%，中微公司股價(jià)大跌近10%！

8月22日晚間，中微半導體設備（上海）股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”）發(fā)布了2024年半年度財報，上半年公司實(shí)現營(yíng)業(yè)收入34.48億元，同比增長(cháng)36.46%；歸屬于上市公司股東的凈利潤5.17億元，同比大跌48.48%；扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤約 4.83 億元，較上年同期減少約6.88%。

受凈利潤下滑影響，23日A股開(kāi)盤(pán)后，中微公司股價(jià)便迅速下跌，截至午盤(pán)收盤(pán)，股價(jià)大跌-9.60%，收于125.47元/股，市值779.55億元。

中微公司表示，上半年公司的等離子體刻蝕設備在國內外持續獲得更多客戶(hù)的認可，針對先進(jìn)邏輯和存儲器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運量顯著(zhù)提升，CCP 和 ICP 刻蝕設備的銷(xiāo)售增長(cháng)和在國內主要客戶(hù)芯片生產(chǎn)線(xiàn)上市占率均大幅提升，這推動(dòng)了公司營(yíng)收的同比大幅增長(cháng)。

具體來(lái)說(shuō)，今年上半年中微公司刻蝕設備收入為 26.98 億元，較上年同期增長(cháng)約 56.68%，刻蝕設備占營(yíng)業(yè)收入的比重由上年同期的 68.16%提升至本期的 78.26%；MOCVD 設備收入為 1.52億元，較上年同期減少約 49.04%，主要因為公司在藍綠光 LED 生產(chǎn)線(xiàn)和 Mini-LED 產(chǎn)業(yè)化中保持絕對領(lǐng)先的地位，該終端市場(chǎng)近兩年處于下降趨勢；公司緊跟 MOCVD 市場(chǎng)發(fā)展機遇，積極布局用于碳化硅和氮化鉀基功率器件應用的市場(chǎng)，并在 Micro-LED 和其他顯示領(lǐng)域的專(zhuān)用MOCVD 設備開(kāi)發(fā)上取得良好進(jìn)展，已付運和將付運幾種 MOCVD 新產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)。此外，公司新產(chǎn)品 LPCVD 設備實(shí)現首臺銷(xiāo)售，收入 0.28 億元。

從訂單來(lái)看，2024 年上半年中微公司新增訂單 47.0 億元，同比增長(cháng)約 40.3%。其中刻蝕設備新增訂單 39.4 億元，同比增速約 50.7%；LPCVD 上半年新增訂單 1.68 億元，新產(chǎn)品開(kāi)始啟動(dòng)放量。

從產(chǎn)能來(lái)看，2024 年上半年中微公司共生產(chǎn)專(zhuān)用設備 833 腔，同比增長(cháng)約 420%，對應產(chǎn)值約 68.65 億元，同比增長(cháng)約 402%，為本年度出貨及確認收入打下了較好的基礎。

對于上半年公司凈利潤同比大跌48.48%（減少 4.86 億元）的原因，中微公司解釋稱(chēng)，主要系 2023 年公司出售了持有的部分拓荊科技股份有限公司股票，產(chǎn)生稅后凈收益約4.06 億元，而 2024 年公司并無(wú)該項股權處置收益；以及公司上半年主要由于研發(fā)總投入增長(cháng)下扣非后歸母凈利潤較上年同期減少 0.36 億元。

為盡快補短板，實(shí)現趕超，上半年中微公司公司顯著(zhù)加大研發(fā)力度。公司目前在研項目涵蓋六類(lèi)設備，20 多個(gè)新設備的開(kāi)發(fā)，2024 年上半年公司研發(fā)投入 9.70 億元，較上年同期的 4.60 億元增加約 5.10 億元，同比大幅增長(cháng) 110.84%。

等離子體刻蝕設備研發(fā)方面，公司根據技術(shù)發(fā)展及客戶(hù)需求，大力投入先進(jìn)芯片制造技術(shù)中關(guān)鍵刻蝕設備的研發(fā)和驗證，目前針對邏輯和存儲芯片制造中最關(guān)鍵刻蝕工藝的多款設備已經(jīng)在客戶(hù)產(chǎn)線(xiàn)上展開(kāi)驗證。公司針對超高深寬比刻蝕自主開(kāi)發(fā)的具有大功率 400kHz 偏壓射頻的 PrimoUD-RIE 已經(jīng)在生產(chǎn)線(xiàn)驗證出具有刻蝕≥60:1 深寬比結構的量產(chǎn)能力。同時(shí)，公司積極布局超低溫刻蝕技術(shù)，在超低溫靜電吸盤(pán)和新型刻蝕氣體研究上投入大量資源，積極儲備更高深寬比結構（≥90:1）刻蝕的前衛技術(shù)。多款 ICP 設備在先進(jìn)邏輯芯片、先進(jìn) DRAM 和 3D NAND 產(chǎn)線(xiàn)驗證推進(jìn)順利并陸續取得客戶(hù)批量訂單。晶圓邊緣 Bevel 刻蝕設備完成開(kāi)發(fā)，即將進(jìn)入客戶(hù)驗證，公司的 TSV 硅通孔刻蝕設備也越來(lái)越多地應用在先進(jìn)封裝和 MEMS 器件生產(chǎn)。

薄膜沉積設備研發(fā)方面，公司目前已有多款新型設備產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)，其中部分設備已獲得重復性訂單，其他多個(gè)關(guān)鍵薄膜沉積設備研發(fā)項目正在順利推進(jìn)。公司鎢系列薄膜沉積產(chǎn)品可覆蓋存儲器件所有鎢應用，并已完成多家邏輯和存儲客戶(hù)對 CVD/HAR/ALD W 鎢設備的驗證，取得了客戶(hù)訂單。公司近期已規劃多款 CVD 和 ALD 設備，增加薄膜設備的覆蓋率，進(jìn)一步拓展市場(chǎng)。

公司組建的 EPI 設備研發(fā)團隊，通過(guò)基礎研究和采納關(guān)鍵客戶(hù)的技術(shù)反饋，已經(jīng)形成自主知識產(chǎn)權及創(chuàng )新的預處理和外延反應腔的設計方案,目前公司 EPI 設備已順利進(jìn)入客戶(hù)驗證階段，以滿(mǎn)足客戶(hù)先進(jìn)制程中鍺硅外延生長(cháng)工藝的電性和可靠性需求。

MOCVD 設備研發(fā)方面，Micro-LED 應用的專(zhuān)用 MOCVD 設備開(kāi)發(fā)順利，實(shí)驗室初步結果實(shí)現了優(yōu)良的波長(cháng)均勻性能，已付運樣機至國內領(lǐng)先客戶(hù)開(kāi)展生產(chǎn)驗證；用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)的設備正在開(kāi)發(fā)中，已付運樣機至國內領(lǐng)先客戶(hù)開(kāi)展驗證測試；下一代用于氮化鎵功率器件制造的 MOCVD 設備也正在按計劃順利開(kāi)發(fā)中。

編輯：芯智訊-浪客劍