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8月22日，華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項目12英寸生產(chǎn)線(xiàn)首批設備正式搬入。
資料顯示，2017年8月，華虹無(wú)錫一期項目落戶(hù)無(wú)錫高新區。2019年9月17日，華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地一期12英寸生產(chǎn)線(xiàn)正式建成投產(chǎn)。一期項目 (華虹七廠(chǎng))投資25億美元，建成投片的一條工藝等級90 ~ 65/55納米、月產(chǎn)能4萬(wàn)片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線(xiàn)。
隨后在2021年4月，華虹無(wú)錫一期項目又宣布進(jìn)行擴產(chǎn)，計劃總投資52億元，將形成一條工藝等級90-65/55nm、月產(chǎn)能達到6.5萬(wàn)片的12英寸特色工藝集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)。
2023年6月8日，華虹集團決定由華虹宏力在無(wú)錫高新區啟動(dòng)實(shí)施華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項目，投資67億美元，新建一條產(chǎn)能8.3萬(wàn)片的12英寸特色工藝集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)。6月30日，華虹無(wú)錫二期項目正式開(kāi)工，在不到半年時(shí)間內，廠(chǎng)房主體建設就已完成70%。12月24日，華虹制造（無(wú)錫）項目主廠(chǎng)房鋼屋架吊裝儀式在無(wú)錫高新區舉行。
據華虹半導體于本月中旬透露，華虹無(wú)錫一期目前總產(chǎn)能達9.45萬(wàn)片/月，幾乎所有的工藝平臺都已穩步進(jìn)行規?；a(chǎn)。所有五大工藝平臺均已具備在新12英寸產(chǎn)線(xiàn)上量產(chǎn)的準備，例如40nm及55nm新一代IC工藝以及新一代功率器件等。華虹無(wú)錫二期項目在經(jīng)過(guò)一年左右的建設后目前已完成80%左右的工程，首臺設備的移入會(huì )在8月底進(jìn)行，生產(chǎn)線(xiàn)至年底可完成通線(xiàn)，明年一季度開(kāi)始釋放產(chǎn)能。
顯然，隨著(zhù)今天華虹無(wú)錫二期項目首臺設備的移入，其進(jìn)度相比之前公布的時(shí)間點(diǎn)還略有提前，這也意味著(zhù)其年底通線(xiàn)、明年一季度量產(chǎn)的目標應該無(wú)虞。
編輯：芯智訊-浪客劍
