2024年全球DRAM收入將增長(cháng)88%，NAND收入將增長(cháng)74%

8月6日消息，市場(chǎng)研究機構Yole Group公布的最新報告顯示，得益于人工智能對于存儲芯片及HBM（高帶寬內存）需求的大漲，預計2025年全球存儲芯片市場(chǎng)銷(xiāo)售額將由2023年960億美元增長(cháng)到超2340億美元。預計2023年到2029年間的年復合增長(cháng)率達16%。

報告稱(chēng)，生成式 AI 的迅速采用極大地推動(dòng)了數據中心對高級 DDR5 DRAM 和 HBM 技術(shù)的需求，同時(shí)也引發(fā)了對支持 AI 服務(wù)器的企業(yè)級 SSD 的需求增加。此外，首批配備設備生成式 AI 功能的智能手機和 PC 正在進(jìn)入市場(chǎng)。由于大型語(yǔ)言模型的參數規模增長(cháng)，這些設備液需要大量容量的內存/存儲，這將進(jìn)一步推動(dòng)移動(dòng)和消費者市場(chǎng)的存儲芯片需求。

Yole Group 內存首席分析師西蒙娜·貝爾托拉齊（Simone Bertolazzi）博士表示：“為了應對這波人工智能驅動(dòng)的增長(cháng)浪潮，三星、SK海力士和美光等主要參與者已將其大部分晶圓產(chǎn)能轉向滿(mǎn)足對HBM飆升的需求。這種轉變導致了整體比特產(chǎn)量的減速，并加速了向非 HBM 產(chǎn)品供應不足的過(guò)渡。2022 年底的減產(chǎn)僅在 2023 年第三季度生效，因為 OEM 庫存水平開(kāi)始收緊，預示著(zhù)粗才能市場(chǎng)的反彈?！?/p>

存儲行業(yè)現在的復蘇速度比以前預期的要快，收入預測顯示未來(lái)幾年將急劇增長(cháng)。到 2024 年，DRAM 的收入預計將激增至 980 億美元（同比增長(cháng) 88%），NAND 的收入將激增至 680 億美元（同比增長(cháng) 74%）。預計這些數字將繼續上升，到2025年達到新的峰值水平，DRAM市場(chǎng)規模將達1370億美元，NAND市場(chǎng)規模將達到830億美元。在強勁需求的推動(dòng)下，尤其是來(lái)自數據中心的需求，截至 2029 年的長(cháng)期收入預測預計將進(jìn)一步增長(cháng)，DRAM 和 NAND 的 2023-2029年的年復合增長(cháng)率預計分別為 17% 和 16%。

在此背景下，市場(chǎng)研究與戰略咨詢(xún)公司Yole Group發(fā)布了其年度市場(chǎng)與技術(shù)報告《2024年存儲行業(yè)狀況》，對半導體內存行業(yè)進(jìn)行了最廣泛的概述。在其新研究中，該公司對存儲市場(chǎng)進(jìn)行了全面的概述。Yole集團的專(zhuān)家全面分析市場(chǎng)，呈現最新的技術(shù)趨勢，并描述供應鏈和內存生態(tài)系統。

Simone Bertolazzi表示：“對專(zhuān)為AI訓練和推理而設計的先進(jìn)計算芯片的需求不斷增長(cháng)，加劇了三星、SK海力士和美光等頂級DRAM制造商之間的競爭。這些公司正在積極擴大其尖端HBM3/3E技術(shù)的能力，并正在迅速推進(jìn)下一代HBM3E和HBM4產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和驗證?！?/p>

目前HBM 技術(shù)已成為 AI 系統的關(guān)鍵，并且是 AI 技術(shù)地緣政治格局中的戰略資產(chǎn)。由于美國的出口限制，中國被迫獨立開(kāi)發(fā)和制造其 HBM 技術(shù)，以滿(mǎn)足其對高性能 AI內部HBM的大量需求。

美國的這些限制措施促使中國國內進(jìn)行了大量投資，并采取了各種舉措來(lái)制造這些關(guān)鍵芯片。盡管落后于全球內存技術(shù)領(lǐng)導者六年多，但中國公司決心繼續參與關(guān)鍵的人工智能技術(shù)，并致力于利用廣闊的本地市場(chǎng)開(kāi)發(fā)中低端人工智能加速器。此外，生產(chǎn)采用中國制造的DRAM和NAND和相關(guān)模塊的供應商數量正在迅速增加，凸顯了對本地生產(chǎn)的半導體存儲設備的迫切需求。

編輯：芯智訊-浪客劍