SK海力士計劃在2025年底量產(chǎn)400層NAND Flash

8月3日消息，據etnews報道，SK海力士計劃在2025年上半年量產(chǎn)321層NAND Flash之后，在2025年底開(kāi)始量產(chǎn)400層NAND Flash，并希望在2026年上半年過(guò)渡到大規模生產(chǎn)。

然而，要想量產(chǎn)高達400層的NAND Flash并不容易，生產(chǎn)過(guò)程中需要用到多種鍵合技術(shù)。SK海力士已經(jīng)在審查用于鍵合的新材料，并研究各種技術(shù)，這些技術(shù)將允許通過(guò)拋光、蝕刻、沉積和布線(xiàn)等方法連接不同的晶圓。

整個(gè)過(guò)程需要幾個(gè)步驟，如Cell結構設計，重點(diǎn)是每層Cell的排列和堆疊。然后通過(guò)清洗和沉積SiO2和Si3N4薄膜層來(lái)制備硅片。然而，當通過(guò)大量重復逐一堆疊層時(shí)，該過(guò)程需要細致地執行。

SK海力士達到400層的方法是通過(guò)Peripheral Under Cell方法將控制存儲單元的外圍電路位于底部，而存儲單元則堆疊在頂部。這種方法會(huì )提升集成度，控制尺寸，但也確實(shí)會(huì )帶來(lái)?yè)p壞外圍電路的問(wèn)題，因為添加層會(huì )產(chǎn)生更多的熱量和壓力。

因此，SK海力士正計劃實(shí)施混合鍵合方法，該方法涉及在兩個(gè)單獨的晶圓上分別制造存儲單元和外圍電路。然后，通過(guò)混合鍵合技術(shù)將晶圓粘合在一起，以降低損壞的風(fēng)險。通過(guò)高層數，NAND芯片可以在不增加尺寸的情況下存儲更多的數據。這不僅為緊湊型系統節省了空間并增加了存儲容量，而且還帶來(lái)了更經(jīng)濟的存儲解決方案。

SK海力士此前已經(jīng)實(shí)現了321層NAND Flash的樣品，并于2023年8月展出，目前計劃于2025年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。美光最近推出了具有 276 層的NAND Flash。三星已開(kāi)始大規模生產(chǎn)具有 290 層的TLC單元，即第 9 代垂直堆疊 NAND Flash。

相對于SK海力士400層NAND Flash的目標，三星期待在2030年推出高達1000層的NAND Flash。而目前只達到218層NAND Flash的日本鎧俠公司計劃在三星之前達到1000層。

編輯：芯智訊-浪客劍