美光宣布量產(chǎn)第九代TLC NAND閃存技術(shù)：寫(xiě)入速度比競品快99%！

2024年7月31日，存儲芯片大廠(chǎng)美光科技今日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的SSD現已開(kāi)始出貨，成為首家達成這項里程碑的企業(yè)。

據介紹，美光G9 NAND傳輸速率3.6 GB/s為業(yè)界之冠，為數據讀取及寫(xiě)入提供無(wú)可比擬的頻寬。不論是在個(gè)人裝置、邊緣服務(wù)器，或是企業(yè)及云端數據中心，這顆NAND新品均可展現同級最佳性能，滿(mǎn)足人工智慧及其他運用大量數據的使用情境。

美光G9 NAND善用業(yè)界最高NAND I/O速率，符合工作負載處理大量數據的高吞吐量需求，和市面上現已出貨的其他NAND SSD產(chǎn)品相比，數據傳輸速率加快50%；與現有NAND競品方案相較，美光G9 NAND的每芯粒寫(xiě)入帶寬擴大達99%、讀取帶寬擴大達88%，從每顆芯粒就占盡優(yōu)勢，自然有助于SSD和嵌入式NAND解決方案的性能及功耗表現。

美光G9 NAND還延續了前代產(chǎn)品特色，采用11.5mm x 13.5mm封裝，體積較競品縮小28%，成為目前市場(chǎng)上體積最小的高密度NAND，由于密度提高、體積縮小，更能自由設計各種使用場(chǎng)景。

美光技術(shù)和產(chǎn)品執行副總裁Scott DeBoer表示：“美光G9 NAND正式出貨，證明美光在制程技術(shù)與設計創(chuàng )新上的強大實(shí)力，相較于目前市面上的競品，美光G9 NAND的密度提高73%，可建構體積更小、性能更高的儲存方案，對消費者和企業(yè)均有益?！?/p>

美光執行副總裁Sumit Sadana強調：“美光已在連續三代產(chǎn)品中，均引領(lǐng)業(yè)界推出創(chuàng )新和頂尖的NAND技術(shù)。美光G9 NAND可為其整合產(chǎn)品提供顯著(zhù)優(yōu)于競品之表現，并可做為儲存創(chuàng )新的基礎，為各終端市場(chǎng)客戶(hù)創(chuàng )造價(jià)值”。

美光G9 NAND在美光2650 SSD內發(fā)揮同級最佳表現

美光2650 NVMe SSD內置頂級G9 TLC NAND，在PCMark? 10測試[5]中超越競品，為日常運算提供同級最佳使用者體驗。

美光副總裁兼客戶(hù)端儲存事業(yè)部總經(jīng)理Prasad Alluri指出：「即使PCIe Gen4市場(chǎng)理論上近乎飽和，美光2650 SSD采用最新G9 NAND技術(shù)，推進(jìn)TLC客戶(hù)端SSD的極限，這款硬盤(pán)產(chǎn)品在PCMark 10的測試標準中，表現比競品高出38%，將重新定義同等級SSD的使用者體驗」。

IDC固態(tài)硬盤(pán)及創(chuàng )新技術(shù)研究部門(mén)副總裁Jeff Janukowicz表示：“AI演進(jìn)增加數據生成量，也因此需要更大儲存空間，客戶(hù)亦要求提升性能，以跟上AI發(fā)展速度。美光2650等SSD產(chǎn)品受惠于新一代NAND創(chuàng )新，將成為企業(yè)和個(gè)別消費者不可或缺的關(guān)鍵技術(shù)”。

美光2650 NVMe SSD提供領(lǐng)先同級產(chǎn)品的穩定度，主打有助性能的加速緩存，藉由Dynamic SLC Cache，進(jìn)一步提高寫(xiě)入表現。美光2650 NVMe SSD為PCIe Gen4提供實(shí)際飽和性能，連續讀取速率高達7,000 MB/s，相較于競品，連續讀取速率最高提升70%、連續寫(xiě)入速率最高提升103%、隨機讀取速率最高提升156%、隨機寫(xiě)入速率最高提升85 %，這些優(yōu)異數據突顯美光決心突破技術(shù)極限，為客戶(hù)締造無(wú)與倫比的表現。

G9 NAND除了內置于美光2650 SSD提供給客戶(hù)端OEM，亦可以零組件或嵌入消費者Crucial SSD形式供應給客戶(hù)，更多相關(guān)資訊請見(jiàn)美光G9 NAND and美光2650客戶(hù)端SSD頁(yè)面。

編輯：芯智訊-林子