瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)

近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過(guò)了車(chē)規級可靠性(AEC-Q101)測試認證；同時(shí)，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)，后續將依托浙江義烏的車(chē)規級碳化硅(SiC)晶圓廠(chǎng)推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。

瞻芯電子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，現有3款產(chǎn)品：IV3Q12013T4Z，IV3Q12013BA，IV3Q12013BD，主要用于車(chē)載電驅動(dòng)系統，憑借出色的性能表現，已獲得多家車(chē)載電驅動(dòng)客戶(hù)的項目定點(diǎn)。

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET特性第三代1200V SiC MOSFET仍為平面柵型MOSFET，相比第二代工藝，元胞的Pitch縮小了超過(guò)20%。同時(shí)在核心指標上，第三代產(chǎn)品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下，將比導通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2，達到國際第一梯隊的水平。同時(shí)，第三代產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)損耗，對比第二代產(chǎn)品進(jìn)一步降低30%以上。而且，第三代產(chǎn)品的導通電阻Rds(on)的溫度系數明顯降低，在高溫運行情況下，導通電阻增加較少。如下圖所示，當Vgs=15V應用時(shí)，175°C時(shí)的Rds(on)對比25°C時(shí)的Rds(on)只有1.42倍；當Vgs=18V應用時(shí)，175°C時(shí)的Rds(on)對比25°C時(shí)的Rds(on)只有1.65倍。在可靠性方面，首款產(chǎn)品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標準完成了三批次可靠性認證，獲得車(chē)規級可靠性認證證書(shū)，而且通過(guò)了更嚴格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括動(dòng)態(tài)可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，柵極負偏壓下的HTRB等。通過(guò)上述Beyond-AECQ和極限性能測試，充分驗證了第三代工藝平臺及產(chǎn)品在多種邊界工況下的穩定性和魯棒性，為迎接市場(chǎng)考驗做好了充足的準備。

來(lái)源：瞻芯電子

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