美國政府向格芯提供3500萬(wàn)美元資助，提升氮化鎵芯片供應能力

11月1日消息，晶圓代工大廠(chǎng)格芯（GlobalFoundries）已經(jīng)從美國政府手中獲得了3,500萬(wàn)美元的聯(lián)邦資金資助，以加速該公司位于美國佛蒙特州Essex Junction的晶圓廠(chǎng)對于第三代半導體——氮化鎵（GaN）的大規模量產(chǎn)。

GaN芯片在處理高電壓和高溫環(huán)境能力方面表現突出，使其能為基礎設施、手機、汽車(chē)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、電網(wǎng)和其他關(guān)鍵基礎設施的5G和6G通信提供出色的性能和效率。

此前美國國防部Trusted Access Program Office（TAPO）給予的31億美元新資金，格芯計劃購買(mǎi)額外的工具，以擴大開(kāi)發(fā)和設計能力，更接近大規模生產(chǎn)8英寸GaN晶圓。做為投資的一部分，格芯計劃實(shí)施新的計劃，以減少公司及其客戶(hù)對鎵（Ga）供應鏈限制的風(fēng)險，同時(shí)提高美國制造的GaN芯片的速度、供應能力和競爭力。

格芯總裁兼CEO Thomas Caulfield表示，GaN是高性能射頻、高壓功率開(kāi)關(guān)等新興市場(chǎng)的控制應用理想技術(shù)，將對6G無(wú)線(xiàn)通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)生重大的影響。而格芯與美國政府有著(zhù)長(cháng)期的合作伙伴關(guān)系，這筆資金對于使GaN芯片能更接近大量生產(chǎn)階段。另外，這些芯片也將使格芯的客戶(hù)能夠達成大膽的新設計，進(jìn)一步突破每天所依賴(lài)關(guān)鍵技術(shù)的能耗和性能極限。

格芯位于美國佛蒙特州伯靈頓附近Essex Junction的晶圓廠(chǎng)為美國最早的主要半導體制造基地之一。如今，約有1,800員工在此地工作。在此格芯晶圓廠(chǎng)所制造出來(lái)的芯片將被用于世界各地的智能型手機、汽車(chē)和通信基礎設施上。另外，該晶圓廠(chǎng)是也DMEA認證的可信賴(lài)晶圓廠(chǎng)，用以與美國國防部合作生產(chǎn)安全芯片，應用于美國一些最敏感的航空航天和國防系統上。

編輯：芯智訊-林子