臺積電1億美元入股Arm！4.3億美元拿下EUV掩模寫(xiě)入設備商10%股權

9月13日消息，晶圓代工大廠(chǎng)臺積電于12日開(kāi)臨時(shí)董事會(huì )，確定將以不超過(guò)1億美元（約新臺幣31.95億元）的額度，認購日本軟銀集團旗下的半導體IP大廠(chǎng)Arm 的普通股股票。至于認購價(jià)格，臺積電表示將依Arm首次公開(kāi)發(fā)行最終價(jià)格而定。

根據先前外媒的報導，針對Arm IPO，當前市場(chǎng)上的認購股分遠遠超過(guò)公開(kāi)發(fā)行股數接近6倍。由于IPO獲得超額認購，Arm正在討論調高定價(jià)區間的可能性，希望將市值推升至545億美元以上。這也使得Arm IPO將成為近兩年來(lái)美國最大的IPO計劃，其中包括臺積電、蘋(píng)果、英偉達、三星及AMD等科技大廠(chǎng)都爭相投資，積極成為Arm的戰略投資者。

日前，臺積電董事長(cháng)劉德音在SEMICON Taiwan會(huì )場(chǎng)上被問(wèn)到此事時(shí)就曾經(jīng)表示，還在評價(jià)中，預計本周就會(huì )決定。而因為Arm是臺積電半導體生態(tài)系重要的一環(huán)，臺積電也希望Arm能公開(kāi)上市成功。

另外，臺積電在臨時(shí)董事會(huì )上也核準，以不超過(guò)4.328億美元（約新臺幣138.5億元）額度內，自英特爾手中取得奧地利半導體設備商IMS的10%股權。

資料顯示，IMS Nanofabrication 于 1985 年在維也納成立。他們進(jìn)行了激動(dòng)人心的研究，但成立后的幾十年沒(méi)有產(chǎn)生出有影響力的產(chǎn)品。直到2009 年，由于他們的多束直寫(xiě)可編程電子束系統的前景廣闊，他們獲得了英特爾的投資。最終，英特爾甚至收購了該公司，因為他們在 2016 年發(fā)布了第一款商用多光束掩?？啼洐C。該產(chǎn)品及其衍生產(chǎn)品適用于 7nm 以上的所有工藝節點(diǎn)。

EUV 光刻技術(shù)被視為先進(jìn)半導體制造的最大瓶頸，但這些價(jià)值超過(guò) 1.5 億美元的工具需要有高精度的光掩模來(lái)進(jìn)行配合。光掩模是光刻工具對芯片層進(jìn)行圖案化所需的物理模板。IMS 的多光束掩模寫(xiě)入器則是制造出高精度光掩模的關(guān)鍵設備。就像在印刷機或木版印刷時(shí)代一樣，主印刷機可以精心創(chuàng )建所有印刷品的基本設計；掩模寫(xiě)入器幫助創(chuàng )建掩模組，然后通過(guò)光刻機將其復刻在芯片上。

多光束掩模寫(xiě)入器實(shí)際上比 EUV 光刻工具更精確和準確，但速度非常慢，這是它們僅用于創(chuàng )建掩模組的一個(gè)重要原因。IMS 與 NuFlare（東芝旗下）是競爭對手，但 東芝的工具不太精確，而且速度較慢。此外，他們的多光束掩模寫(xiě)入器在 IMS多年后才開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。市場(chǎng)上一度超過(guò) 98% 的生產(chǎn) EUV 掩模是使用IMS的多光束掩模寫(xiě)入器制造的。

每個(gè)單獨的芯片設計都帶有一組掩模，在 3nm 級節點(diǎn)上的成本可能高達 5000 萬(wàn)美元。新設計不僅需要新掩模，現有設計也需要新掩膜。隨著(zhù)時(shí)間的推移，掩膜開(kāi)始出現缺陷；因此，它們需要修理，或者必須制造新的來(lái)替換老化的。

如果沒(méi)有IMS的掩模寫(xiě)入器，所有 EUV 工藝技術(shù)都將陷入停頓。EUV 用于 7nm 及以下的所有尖端工藝節點(diǎn)。自 7nm 以來(lái)，三星的所有邏輯工藝技術(shù)也都使用了 EUV。三星還在其最新的兩代 DRAM 工藝技術(shù)中使用了 EUV。此外，SK 海力士在其最新一代的 DRAM 工藝技術(shù)中使用了 EUV。美光計劃將 EUV 引入DRAM。這3家公司占DRAM產(chǎn)量的90%以上。 雖然領(lǐng)先的邏輯至關(guān)重要，但每一種電子產(chǎn)品都使用 DRAM，因此不應低估 IMS和奧地利在半導體供應鏈上的重要性。

針對臺積電購買(mǎi)英特爾手中的IMS持股，市場(chǎng)人士表示，近來(lái)英特爾持續處分手中的IMS持股，除針對公司對現金的需求之外，就臺積電方面來(lái)看，也能借此保障關(guān)鍵供應鏈經(jīng)營(yíng)權與營(yíng)運的穩定性。

編輯：芯智訊-林子