半導體行業(yè)2023年度策略報告：但行“芯”路，不問(wèn)“硅”期

（報告出品方/作者：平安證券，付強、徐碧云）

1.1 回顧：2022 年行情概述

1.1.1 全球半導體指數表現低迷，國內申萬(wàn)半導體指數跑輸滬深 300

2022 年A 股半導體指數整體呈現下跌趨勢，截至 12月 5日，申萬(wàn)半導體指數下跌 33.64%，同期滬深 300指數下跌 20.11%， 申萬(wàn)半導體跑輸滬深 300 指數 13.53pct，其他電子板塊也全部下跌。同期美國費城半導體指數下跌 30.61%，跑輸納斯達克 指數 2.46pct；中國臺灣半導體指數下跌 25.88%，跑輸中國臺灣 50 指數 5.65pct?？梢?jiàn)，全球半導體板塊均較為疲弱。

1.1.2 半導體各子板塊表現均低迷，估值大幅低于近三年均值

截至 12 月 5 日，分立器件、半導體材料、數字芯片設計、模擬芯片設計、集成電路封測、半導體設備漲幅分別為-24.28%、 -26.51%、-40.44%、-35.13%、-20.88%、-28.60%，表現均較弱。由于估值較低，集成電路封測僅跑輸滬深 300 指數 0.77 個(gè)百分點(diǎn)；半導體設備板塊跑輸滬深 300 指數 8.49 個(gè)百分點(diǎn)；分立器件跑輸滬深 300 指數 4.17 個(gè)百分點(diǎn)；而芯片設計由 于與消費類(lèi)應用市場(chǎng)關(guān)聯(lián)較多，因此下跌較多。截至 12 月 5 日，申萬(wàn)半導體板塊 PE（TTM）為 37.22 倍，低于過(guò)去三年 均值的 82.99 倍。

1.2 半導體行業(yè)業(yè)績(jì)回顧及 2023 年投資概述

1.2.1 業(yè)績(jì)回顧：營(yíng)收增速持續回調，設備、分立器件及材料等表現較好

半導體設備板塊營(yíng)收高增：2018 年下半年，半導體行業(yè)進(jìn)入下行周期，2018 年行業(yè)凈利潤同比下滑 40.54%，之后自 2020 年下半年開(kāi)始隨著(zhù)國內疫情控制，下游需求回暖，行業(yè)進(jìn)入上行期。2021 年半導體行業(yè)營(yíng)收和利潤同比增速呈現雙高，行 業(yè)處于景氣周期。2022Q2 受到下游消費電子需求疲軟等影響，板塊開(kāi)始進(jìn)入下行周期。2022 前三季度，半導體行業(yè)營(yíng)收 達到 2260 億元，同比增速約 10%。從子板塊來(lái)看，分立器件（18.17%）、半導體材料（11.19%）、集成電路封測（15.94%）、半導體設備（58.93%）營(yíng)收增速 均高于板塊整體增速（10.46%），尤其半導體設備增速最快，是驅動(dòng)板塊營(yíng)收增長(cháng)的主要因素。受益于各大晶圓廠(chǎng)的擴產(chǎn)以 及國產(chǎn)設備的逐步導入，國內半導體設備廠(chǎng)商在手訂單飽滿(mǎn)，業(yè)績(jì)確定性高。而數字芯片設計（3.81%）、模擬芯片設計（-17%， 含射頻芯片）營(yíng)收增速均低于板塊整體增速。

模擬芯片設計、集成電路封測是板塊盈利下滑的主導因素：2022 年前三季度，半導體行業(yè)歸母凈利潤達到 253 億元，同比 下滑約 4%。歸母凈利增速為負數，主要系消費類(lèi)需求疲軟，相關(guān)產(chǎn)品去庫存價(jià)格下跌所致。從子板塊來(lái)看，半導體設備 （116.68%）、分立器件（15.96%）、半導體材料（12.05%）歸母凈利增速高于板塊整體增速（-4.14%），而模擬芯片設計 （-46.07%）、集成電路封測（-11.95%）是板塊盈利下滑的主導因素。

毛利率和凈利率同向波動(dòng)：在SW 半導體板塊中，毛利率和凈利率呈現比較明顯的同向波動(dòng)。2021 年三季度，板塊毛利率 達到最高點(diǎn) 29.69%，2022 年三季度下降至 27.44%；同時(shí)，由于營(yíng)收增長(cháng)帶來(lái)的規模效應，費用率下降，2021 年三季度， 板塊凈利率達到最高點(diǎn) 14.84%，2022 年三季度下降至 11.21%。

展望 2023 年業(yè)績(jì)，預計芯片設計增速回升，半導體設備增速回落：2022 年消費電子庫存維持高位，需求疲軟，明年我們 預計隨著(zhù)庫存和需求的邊際改善，有望帶動(dòng)設計板塊營(yíng)收增速回升；半導體設備由于今年基數較高，且隨著(zhù)晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能利用 率下降，資本開(kāi)支將減少，雖然仍受益于國內晶圓廠(chǎng)擴產(chǎn)，但預計增速環(huán)比2022 年將有所回落。

1.2.2 2023 年投資策略：但行“芯”路，不問(wèn)“硅”期

“硅周期”和宏觀(guān)經(jīng)濟周期等多種因素疊加，行業(yè)在 2023年有望探底：由于宏觀(guān)經(jīng)濟下行、地緣政治沖突、疫情反復等因 素影響，加上本輪的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和 IT 基礎設施建設的“硅周期”進(jìn)入尾聲，行業(yè)下行壓力凸顯。從宏觀(guān)經(jīng)濟****以及下游 應用發(fā)展來(lái)看，我們預測行業(yè)有希望在 2023 年見(jiàn)到周期底部，年內有可能完成去庫存，2024 年有望恢復增長(cháng)。下行周期看賽道，關(guān)注新能源汽車(chē)、新能源以及研發(fā)設計類(lèi)儀器儀表等領(lǐng)域：1）半導體加速“上車(chē)”，供需偏緊的格局還在 持續。一方面，新能源汽車(chē)中半導體器件獲得顯著(zhù)的增量需求，單車(chē)半導體價(jià)值量已翻倍；另一方面，我們看到新能源汽車(chē)滲透率的大幅度提升。整體芯片需求依然旺盛，包括功率器件、碳化硅、MCU 和模擬芯片依然還是需求增長(cháng)的重點(diǎn)。2）“風(fēng) 光儲”裝機量快速增長(cháng)拉動(dòng)功率半導體需求，而且受益于國內整機廠(chǎng)和零部件廠(chǎng)的集聚，國內相關(guān)領(lǐng)域的功率半導體企業(yè)也 獲得比較大的市場(chǎng)機會(huì )；3）設計研發(fā)類(lèi)儀器儀表也迎來(lái)替代高峰，國家鼓勵政策連續出臺，國內電子測量?jì)x器廠(chǎng)商能力較 快提升，替代空間在逐步打開(kāi)，建議關(guān)注。

2.1 供給端：晶圓代工價(jià)格下滑，行業(yè)資本支出收縮

全球芯片平均交付周期已連續六個(gè)月縮短：2022 年以來(lái)，芯片制造產(chǎn)能正在持續釋放，在經(jīng)濟低迷和消費者支出疲軟的情 況下，市場(chǎng)需求正在下降，其中芯片應用大戶(hù)——手機和 PC 需求降幅最大，供需格局發(fā)生了轉向。據 Susquehanna Financial Group 的研究顯示，2022 年 10 月全球芯片平均交付周期為 25.5 周，相比 9 月又縮短了 6 天，為 2016 年以來(lái)的最大降幅， 所有主要產(chǎn)品領(lǐng)域的交付周期都縮短了，且調查的公司中有 70%表示能夠更快地供應芯片。雖然不少芯片廠(chǎng)商都不得不面 對高庫存的難題，但仍有一些芯片（如車(chē)芯）存在短缺的情況。以德州儀器為例，雖然公司 10月的交付時(shí)間減少了 25 天， 但一些用于汽車(chē)的芯片供應仍然短缺。全球硅片出貨面積增速放緩：硅片出貨面積和半導體銷(xiāo)售額高度共振，根據SEMI 的最新數據顯示，今年第三季度全球硅片 出貨面積為 37.41 億平方英寸，環(huán)比增長(cháng)約 1%，同比增長(cháng) 2.5%。雖然硅片的出貨面積依然創(chuàng )出季度新高，但同比環(huán)比的 增量皆較之前幾個(gè)季度有所下降。

晶圓代工價(jià)格將繼續下滑：隨著(zhù)全球半導體進(jìn)入下行周期，需求減退，受到下游廠(chǎng)商去庫存策略的影響，群智咨詢(xún)預計 2022 年 Q4 晶圓廠(chǎng)成熟制程產(chǎn)能利用率進(jìn)一步下滑，代工價(jià)格將持續走低。其中 12 英寸 28/40nm 制程晶圓價(jià)格預計至 2023 年 底前有望維持穩定；12 英寸 55-90nm 制程受下游客戶(hù)在 CIS、DDIC、MCU 等應用的訂單修正，Q2 價(jià)格開(kāi)始松動(dòng)，中國 臺灣晶圓廠(chǎng)跟隨中國大陸也逐漸跟進(jìn)了降價(jià)策略，Q4 平均價(jià)格預計將繼續下降；受到 DDIC、PMIC 等砍單應用的沖擊，8 英寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能利用率下降明顯，價(jià)格策略普遍開(kāi)始松動(dòng)，Q4 晶圓代工價(jià)格預計有 3-5%的環(huán)比下滑。全球半導體行業(yè)資本支出將收縮：除了中芯國際逆勢上調了 2022 年資本開(kāi)支之外，各大代工廠(chǎng)、存儲廠(chǎng)紛紛下調了資本開(kāi) 支計劃。臺積電將 2022 年資本開(kāi)支預算從先前 400 億美元的下限下修至 360 億美元；聯(lián)電將今年中報上調的 36 億美元資 本支出重新調降至年初計劃的 30 億美元；美光宣布 2023 年財年資本支出削減約 30%，降至 80 億美元左右；SK 海力士預 計 2023 年的資本支出將比今年減少 50%以上；格芯將全年資本開(kāi)支從中報下修的 40 億美元再次下修至 30~33 億美元…… 資本支出的收縮可能帶來(lái)產(chǎn)能擴張的降速，消費電子等過(guò)剩領(lǐng)域的壓力在減緩。近期，IC Insights 也將今年全球半導體資本支出的預測增速下修為 19%，全年資本支出達到 1817 億美元，仍將達到歷史最 高水平，但明年存儲的資本支出將至少下降 25%，同時(shí)美國新制裁將限制中國半導體生產(chǎn)商采購設備，預計將導致中國半 導體行業(yè)的投資預算在 2023 年削減 30%甚至更多，因此 2023 年全球半導體行業(yè)資本支出將下降 19%，出現 2009 年金融 危機之后的最大降幅。

2.2 需求端：全球半導體行業(yè)處于下探周期，但汽車(chē) IC 增速最快

全球半導體行業(yè)處于下探周期，月增速已為負數：半導體行業(yè)具有典型的周期性特點(diǎn)，會(huì )經(jīng)歷需求爆發(fā)（新應用刺激居多）、 漲價(jià)、擴產(chǎn)、產(chǎn)能釋放、需求萎縮、產(chǎn)能過(guò)剩和價(jià)格下跌的往復波動(dòng)。行業(yè)在經(jīng)歷了 2021-2022H1 的較快增長(cháng)之后，地緣 政治、經(jīng)濟及下游主要應用疲弱以及供應鏈等問(wèn)題疊加的效應加速顯現，行業(yè)月度增速進(jìn)入快速下行通道。2022 年 9 月的全球半導體銷(xiāo)售額為 470 億美元，環(huán)比下滑 0.5%，同比下滑 3.0%。分地區來(lái)看，2022 年 9 月當月，中國 半導體銷(xiāo)售收入約 144.3 億美元，同比降幅（-14.4%）在主要地區中最大，而歐洲（12.4%）、美洲（11.5%）和日本（5.6%） 的銷(xiāo)售額同比增長(cháng)。從2022年前9個(gè)月累計銷(xiāo)售額來(lái)看，中國大陸半導體銷(xiāo)售收入約1455.1億美元，全球市場(chǎng)份額超32%。

“硅周期”和經(jīng)濟周期疊加：半導體技術(shù)作為經(jīng)濟數字化轉型的基石，正在為傳統行業(yè)賦能，此前的單一應用，開(kāi)始走向多 元化，但也會(huì )受到宏觀(guān)經(jīng)濟的景氣度的影響。從全球來(lái)看，行業(yè)周期性表現的較為明顯，是硅周期和宏觀(guān)經(jīng)濟周期疊加的結 果。1）“硅周期”：3-5 年，產(chǎn)品創(chuàng )新應用周期，歷次的泡沫都是硅周期的體現，比如 2000 年 IT泡沫、2016 年的內存泡沫…… 2）宏觀(guān)經(jīng)濟周期：2008 年的金融危機，大幅下調；2019 年以來(lái)的疫情影響等；IMF 最新數據預計，2023 年全球宏觀(guān)經(jīng)濟 增速將觸底（2.7%），此后會(huì )逐步恢復，2024 年之后回到 3%以上。

智能手機、PC 市場(chǎng)低迷，有望先后進(jìn)入出貨量回升通道。智能手機換機周期已超過(guò) 40 個(gè)月，消費者信心不足，出貨量連 續 5 個(gè)季度下降，Q3 絕對量（3.02 億部）已經(jīng)低于 2014 年同期的水平（3.33 億部）。根據Strategy Analytics 最新報告， 2022 年全球智能手機出貨量將同比下降 10%，下行軌跡將持續到 2023 年，但年增長(cháng)率將改善至-5%。隨著(zhù)量產(chǎn)的持續， 5G 手機的價(jià)格會(huì )更快下降，市場(chǎng)接受度將持續提升，出貨量延續快速增長(cháng)，從而帶動(dòng)智能手機整體出貨量的回升。

PC 在 2022Q3 的出貨量為 7425.20 萬(wàn)臺，同比下降 15%，降幅較上季度有所擴大。目前行業(yè)仍處在去庫存階段，下行的狀 態(tài)可能會(huì )持續到 2023 年下半年。由于微軟即將停止更新和服務(wù)支持，2024 年對 Win 7 的更換將加快，處理器平臺性?xún)r(jià)比 也會(huì )因為競爭加劇而更有吸引力，出貨量可能實(shí)現正增長(cháng)，在 2024 年實(shí)現反彈。

數據中心需求也開(kāi)始承壓，但仍能保持增長(cháng)。無(wú)論是傳統數據中心還是云計算數據中心，都是邏輯、存儲芯片需求最為密集 的領(lǐng)域之一，一直以來(lái)該領(lǐng)域增長(cháng)較為快速，但由于經(jīng)濟增長(cháng)放緩和能源價(jià)格上漲，包括谷歌、亞馬遜、微軟等廠(chǎng)商，對今 年和下一年資本支出的態(tài)度都相對保守。Gartner 預計后續數據中心資本支出增速同樣在 2023 年探底，后續隨著(zhù)市場(chǎng)的改 善，會(huì )略有提高，IDC 預計服務(wù)器及相關(guān)芯片需求增長(cháng)也會(huì )提速。

存儲芯片是半導體行業(yè)的先行指標，價(jià)格仍在下跌：DRAM 和 NAND Flash 下游應用中手機、PC 等消費占了絕大多數份額， 其價(jià)格指數在持續調整。存儲對消費電子市場(chǎng)非常依賴(lài)，超過(guò) 80%的收入來(lái)源于PC 和智能手機，其中PC 占比超過(guò) 50%。由于市場(chǎng)的低迷，內存和閃存客戶(hù)端庫存壓力都非常高，價(jià)格壓力明顯。DRAM 今年客戶(hù)談價(jià)空間較大，價(jià)格下殺比較明顯。DDR4 8G 和 4G 產(chǎn)品分別從年初（1 月 19 日）的 7.70 美元和 3.75 美元，下跌到 12 月 2 日的 4.29 美元和 2.09 美元，降 幅均超過(guò) 44%；NAND 128G、64G 和 32G 也出現了連續 5 個(gè)月下跌（截至10 月）。

整體趨勢：市場(chǎng)萎縮已成共識，2023年可能是底部。WSTS 最新預計 2022 年全球半導體行業(yè)增速將顯著(zhù)放緩至 4.4%，2023 年全球半導體市場(chǎng)將下滑 4.1%，主要是受到存儲芯片市場(chǎng)將繼續出現 17%下滑的拖累；IC Insights 最新預計 2022 年全球 半導體銷(xiāo)售額增速將降至 3%，然而受到需求疲軟、庫存高企等因素阻礙，2023 年銷(xiāo)售額將減少 5%，但在經(jīng)歷了 2023 年 的周期性下滑后，將出現反彈并在未來(lái)三年實(shí)現更強勁的增長(cháng)，到 2026 年的年復合增長(cháng)率為 6.5%；Gartner 預計今年全球 半導體收入增長(cháng) 4%，遠低于 2021 年的 26.3%，2023 年全球半導體收入下修增速至-3.6%。Gartner 指出目前半導體產(chǎn)業(yè) 由消費者、企業(yè)驅動(dòng)的市場(chǎng)呈現兩極化，其中消費市場(chǎng)受通貨膨脹、加息等因素影響，消費者可支配收入下降，對電子產(chǎn)品 采購產(chǎn)生負面連鎖效應?？梢?jiàn)，市場(chǎng)萎縮已成機構共識，2023 年是行業(yè)底部可能性較大。支出趨弱且稼動(dòng)率降低可能帶來(lái)供需格局改變，各家產(chǎn)品開(kāi)始向車(chē)和新能源調整。我們預計，2024 年，行業(yè)有望開(kāi)始恢復， 關(guān)鍵在于全球半導體庫存周期的改變。主要原因來(lái)自?xún)蓚€(gè)方面：1）資本支出的收縮，可能帶來(lái)產(chǎn)能擴張的降速，消費電子 等過(guò)剩領(lǐng)域的壓力在減緩；2）代工廠(chǎng)、存儲廠(chǎng)將考慮減產(chǎn)，控制產(chǎn)能利用率，消化客戶(hù)端庫存，預計 2024 年行業(yè)庫存水 平有機會(huì )回歸正常。其中新賽道如汽車(chē)、新能源等領(lǐng)域機會(huì )依然存在，設計、制造也積極向這些領(lǐng)域進(jìn)行調整，以彌補傳統消費電子的下滑。例 如，代工廠(chǎng)、IDM 廠(chǎng)商也開(kāi)始發(fā)力汽車(chē)賽道：1）臺積電正在加大對汽車(chē)電子領(lǐng)域的產(chǎn)能傾斜力度，以彌補其 7nm 消費電子 市場(chǎng)的低迷，其南京工廠(chǎng)、日本熊本的產(chǎn)線(xiàn)也是面向于車(chē)規產(chǎn)品；三星也正在規劃車(chē)規生產(chǎn)廠(chǎng)；聯(lián)電也獲得英飛凌、恩智浦、 德州儀器、微芯科技等大廠(chǎng)的認證。2）中國大陸代工廠(chǎng)如華虹、中芯國際等也在轉向車(chē)規等賽道。

根據IC Insights 的數據，汽車(chē)芯片在全球IC終端應用中的市場(chǎng)份額保持穩定增長(cháng)，2021年約7.4%，在2022年將達到8.5%， 且預計在 2026 年上升至將近 10%，成為 2021-2026 年年復合增速最快（CAGR 約 13.4%）的終端市場(chǎng)。

2.3 應用端之汽車(chē)：半導體加速“上車(chē)”，供需偏緊格局將持續

目前，汽車(chē)芯片已經(jīng)廣泛應用在動(dòng)力系統、車(chē)身、座艙、底盤(pán)和安全等諸多領(lǐng)域。汽車(chē)芯片種類(lèi)較為龐雜，主要分四類(lèi)：一 是功能芯片，主要是指 MCU 和存儲器，其中 MCU 負責具體控制功能的實(shí)現，承擔設備內多種數據的處理診斷和運算；二 是主控芯片，在智能座艙、自動(dòng)駕駛等關(guān)鍵控制器中承擔核心處理運算任務(wù)的 SoC，內部集成了 CPU、GPU、NPU、ISP 等一系列運算單元；三是功率半導體，主要是 IGBT和 MOSFET；四是傳感器芯片，包括導航、CIS 和雷達等。

新能源汽車(chē)滲透率提升，延續高增長(cháng)。根據EV Volumes 的統計數據，全球新能源汽車(chē)的滲透率都在持續提升，尤其是中國 作為全球最大的汽車(chē)市場(chǎng)，受益于汽車(chē)電動(dòng)化的發(fā)展趨勢，以及“碳中和”目標、《新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃（2021-2035 年）》等政策的提出，EV Volumes 統計中國的新能源汽車(chē)滲透率從 2021 年的 14.2%大幅提升至 22Q3 的 26.7%。

車(chē)用半導體單車(chē)價(jià)值量翻倍。隨著(zhù)經(jīng)濟和社會(huì )的快速發(fā)展，汽車(chē)不再只是單純的代步工具，而是逐漸向著(zhù)電子化的方向發(fā)展 升級。未來(lái)，汽車(chē)的電動(dòng)化、聯(lián)網(wǎng)化、智能化將催生汽車(chē)電子化進(jìn)入新的發(fā)展階段。新能源汽車(chē)相比于傳統的燃油車(chē)新增了 電池、電機、電控“三電”系統，從而帶動(dòng)相關(guān)半導體器件獲得顯著(zhù)的增量需求。根據 Strategy Analytics 的數據，2021 年 電動(dòng)車(chē)平均單車(chē)半導體價(jià)值量已達到 1000 美元，相比傳統內燃車(chē)提升了一倍，其中價(jià)值量提升最多的是功率半導體，預計 到 2027 年純電動(dòng)車(chē)的單車(chē)半導體價(jià)值量將達到將近 1500 美元。除了功率器件之外，模擬、邏輯、MCU 等集成電路也是重 要增長(cháng)點(diǎn)。

根據 Strategy Analytics 的數據，2021 年汽車(chē)半導體市場(chǎng)規模約 467 億美元，同比增長(cháng) 31.5%。前五大供應商均為海外公司， 其中英飛凌排名第一，占據 12.7%的市場(chǎng)份額，緊隨其后的是恩智浦（11.8%），其次分別是瑞薩、德州儀器和意法半導體， CR5 約 48.5%。

全面“缺芯”困局有所紓解，但部分芯片依然供應緊張。根據 Auto Forecast Solutions 統計，由于芯片短缺，2021年全球 汽車(chē)市場(chǎng)累計減產(chǎn)量達 1020 萬(wàn)輛。而截至10 月 30 日，今年全球汽車(chē)市場(chǎng)因“缺芯”累計減產(chǎn)約390.5 萬(wàn)輛。AFS 預測 至 22 年底，全球汽車(chē)市場(chǎng)累計減產(chǎn)量將攀升至427.85 萬(wàn)輛，可能要到 2023 年甚至更久才能從芯片短缺中恢復過(guò)來(lái)。

2.3.1 功率器件：主流廠(chǎng)商已量產(chǎn)，模塊裝機量持續提升

相較于燃油車(chē)，電動(dòng)車(chē)中的功率器件對工作電流和電壓有更高要求，是新能源汽車(chē)電機驅動(dòng)控制系統、整車(chē)熱管理系統、充 電逆變系統等的核心元器件，在新能源汽車(chē)領(lǐng)域中發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用。尤其是 MOSFET 和 IGBT，是新能源汽車(chē)電驅 動(dòng)系統的重要組成部分，很大程度上決定了功率密度、系統效率、可靠性和安全性，是汽車(chē)電子的核心。根據集邦咨詢(xún)的預測，受益于新能源汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，中國 IGBT市場(chǎng)規模將持續增長(cháng)，2025 年中國 IGBT 市場(chǎng)規模將達到 522 億人民幣，年復合增速達到 19%以上，是細分市場(chǎng)中發(fā)展最快的半導體功率器件。其中中國新能源汽 車(chē)所用 IGBT市場(chǎng)規模將達到 210 億元，與充電樁用 IGBT合計 310 億元。

在車(chē)載功率半導體細分領(lǐng)域，前五大供應商主要是英飛凌、意法半導體、德州儀器、安森美、羅姆，英飛凌排名第一，市占 率為 31.7%，CR5 達 72.7%。雖然國外巨頭起步早且設備工藝經(jīng)驗豐富，而國內企業(yè)產(chǎn)業(yè)化起步較晚，但國內具備核心競 爭優(yōu)勢的廠(chǎng)商已著(zhù)手布局附加值更高的高壓 MOSFET、IGBT等中高端產(chǎn)品，目前斯達半導、時(shí)代電氣、比亞迪半導體、士 蘭微等已可實(shí)現車(chē)規級中高端產(chǎn)品量產(chǎn)出貨。隨著(zhù)國內企業(yè)品牌知名度不斷提升以及產(chǎn)品的不斷創(chuàng )新升級，國內龍頭廠(chǎng)商產(chǎn) 品的市場(chǎng)占有率將得到提高。

根據 NE 時(shí)代的統計數據，2022 年 1-9 月中國乘用車(chē)功率模塊裝機量中（統計口徑參照中國本土乘用車(chē)上險數據按照電控 數量統計，未統計出口車(chē)和低壓 MOS 車(chē)型），英飛凌仍位居第一，累計裝機 88.6 萬(wàn)套，市場(chǎng)份額 25.7%，其次分別是比亞 迪半導體（累計裝機 72.4 萬(wàn)套，市場(chǎng)份額 21.1%）、斯達半導（累計裝機 54.3 萬(wàn)套，市場(chǎng)份額 15.8%）、中車(chē)時(shí)代（累計裝 機 41.1 萬(wàn)套，市場(chǎng)份額 12%）和ST（累計裝機 32.0 萬(wàn)套，市場(chǎng)份額 9.3%）。

2.3.2 碳化硅：“上車(chē)”速度超預期，供需處于兩旺狀態(tài)

SiC 是第三代寬禁帶化合物半導體材料的代表之一，因其具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高、臨界擊穿電場(chǎng) 高、抗輻射能力強等特性，特別適用于高壓、高頻、高溫、大功率等工作環(huán)境，近年來(lái)發(fā)展迅速。與硅基功率器件相比，SiC 功率器件具備高頻、高壓、耐高溫、開(kāi)關(guān)損耗小、導通電阻低等顯著(zhù)優(yōu)勢，可提高功率密度和效率，同時(shí)有效降低能耗，減 小體積，能夠應用于新能源汽車(chē)、新能源發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等各個(gè)領(lǐng)域。

新能源汽車(chē)是 SiC 最重要的應用領(lǐng)域，也是最大的驅動(dòng)市場(chǎng)，主要用于驅動(dòng)和控制電機的逆變器、DC/DC 轉換、車(chē)載充電 器 OBC 和快速充電樁。SiC 作為下一代新能源汽車(chē)電機驅動(dòng)控制系統的理想器件，可降低設備能耗、縮小設備體積、提升 整車(chē)工作效率和性能穩定性。SiC MOSFET 與硅基 IGBT相比，其產(chǎn)品尺寸、重量、能耗大幅減小，可以有效提升新能源汽 車(chē)電池的電能轉化效率，從而提高續航能力，同時(shí)還可以?xún)?yōu)化電機控制器的結構，節省成本，實(shí)現小型化、輕量化。根據 Yole 的報告，電動(dòng)車(chē)中 SiC 價(jià)值量的 90%都在逆變器中，電動(dòng)車(chē)用碳化硅的市場(chǎng)規模將從 2022 年的 10.55 億美元攀升至 2027 年的 49.86 億美元，年復合增速達 39%。根據英飛凌的財報信息，到 2030 年電動(dòng)車(chē)上 SiC 應用的市場(chǎng)空間將超過(guò)Si。

應用端看，目前已有部分以特斯拉為代表的中高端車(chē)型已經(jīng)啟用SiC 方案。2018 年，特斯拉率先在高端車(chē)型 Model 3 中搭 載了采用 24 個(gè) 650V、100A 全SiC MOSFET 模塊的主逆變器，電能轉換效率的提升使得續航里程提升 5~10%，同時(shí)車(chē)身 比Model S 減輕了20%。隨后博世等多家Tier1制造商以及比亞迪、蔚來(lái)、小鵬等車(chē)企都宣布在部分產(chǎn)品中采用 SiC MOSFET 方案。2022 年，由于電動(dòng)車(chē)滲透率疊加電動(dòng)車(chē)中碳化硅接納度的雙提升，SiC 在汽車(chē)領(lǐng)域的應用速度超出預期。

目前供應量、良率與成本等因素依然是制約 SiC 商業(yè)化進(jìn)程的掣肘。SiC 晶片的制備需要在 2500℃的高溫環(huán)境中生長(cháng)出大 尺寸、高品質(zhì)、單一晶型的晶體（碳化硅可以形成 200+晶體結構，只有一種晶型可用于功率應用），生長(cháng)速率慢，且質(zhì)地堅 硬，切割、研磨、拋光等加工難度也較大，技術(shù)門(mén)檻高。目前國際主流 SiC 襯底尺寸為 4 英寸和 6 英寸，晶圓面積較小、 芯片切割效率低，單晶襯底及外延良率也較低，疊加后續晶圓制造、封裝良率較低，導致 SiC 器件整體價(jià)格仍數倍于硅基器 件。尤其是SiC 襯底制備難度高，成本占元件總成本約 50%，目前國外的Wolfspeed、II-VI 和 SiCrystal（Rohm 旗下）占 據近 90%出貨量。下游應用領(lǐng)域仍需平衡采納 SiC 器件的高成本與 SiC 器件優(yōu)越性能帶來(lái)的系統范圍內的成本下降，短期 內一定程度上限制了 SiC 的滲透率。未來(lái)隨著(zhù)產(chǎn)線(xiàn)良率將逐步提高，同時(shí)擴產(chǎn)將逐漸形成規模效應，SiC 制造成本有望下降， 下游應用領(lǐng)域將持續拓展和深化。鑒于此，國際半導體龍頭企業(yè)紛紛在碳化硅領(lǐng)域加速布局。在供給端，無(wú)論是更上游的碳化硅襯底片、外延片領(lǐng)域，還是中游的芯片，國內外廠(chǎng)商也都在積極擴產(chǎn)。國外的龍頭Wolfspeed、 英飛凌、安森美等紛紛宣布了擴產(chǎn)計劃；國內來(lái)看，天岳先進(jìn)、三安光電均在大舉投資SiC 襯底材料，功率器件廠(chǎng)商斯達半 導、時(shí)代電氣、士蘭微等也在投建 SiC 芯片產(chǎn)線(xiàn)，搶占第三代半導體的制高點(diǎn)。

2.3.3 MCU：高端需求快速增長(cháng)，正在走向高度集成化

汽車(chē)電子對 MCU 的性能要求很高，同時(shí)也是 MCU 最大的應用領(lǐng)域，2021 年在 MCU 市場(chǎng)中的份額達到 36.4%。MCU 是 汽車(chē)功能芯片的主角，以一輛奧迪豪華型 SUV 為例，根據 IHS 的報告，共使用了 38 顆MCU，其中動(dòng)力域使用了 2顆，底 盤(pán)和安全域使用了 12 顆，ADAS 使用了 6 顆，信息娛樂(lè )使用了8 顆，車(chē)身和便利使用了 10 顆。

隨著(zhù)汽車(chē)的“新四化”帶來(lái)的技術(shù)變革，智能座艙、高精度地圖、車(chē)身電子等應用對 MCU 需求量大增，所需的 MCU 數量 和單價(jià)均會(huì )提升，扮演的角色也日益重要。大到動(dòng)力系統、車(chē)身控制、電機驅動(dòng)控制系統、儀表盤(pán)、車(chē)載影音娛樂(lè )系統、高 級安全系統、ADAS 系統，小到車(chē)窗、雨刮、電動(dòng)座椅、倒車(chē)雷達和車(chē)鑰匙等都需要 MCU 進(jìn)行控制，一輛電動(dòng)汽車(chē)上的 MCU 數量可達幾十顆甚至上百顆。尤其是油門(mén)控制系統、自動(dòng)泊車(chē)、先進(jìn)巡航控制、防撞系統等ADAS 系統對 32 位MCU 芯片需求量將大幅度提升。當前，汽車(chē)電子電氣架構正在經(jīng)歷從分布式架構到基于域的集中式架構再到域融合（中央集成）的帶狀架構的重構歷程，未 來(lái)幾年，相應的高性能 MCU 需要實(shí)現高度的集成化，對 MCU 的需求和性能要求也會(huì )隨之發(fā)生變化。根據群智咨詢(xún)的統計，2022 年 Q3車(chē)用 MCU 市場(chǎng)價(jià)格漲幅約 5-10%，主要系下游新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量增長(cháng)迅猛，車(chē)用MCU 的需求量日益旺盛，短期內價(jià)格難下。根據 IC Insights 的預測，車(chē)載 MCU 市場(chǎng)規模將實(shí)現穩定增長(cháng)，2023 年可能實(shí)現微 增，到 2026 年有希望市場(chǎng)規模達到 125 億美元。目前，全球 MCU 供應商以國外廠(chǎng)商為主，行業(yè)集中度相對較高，尤其是 在車(chē)載 MCU 細分領(lǐng)域，市場(chǎng)主要由瑞薩、恩智浦、英飛凌、德州儀器、微芯科技占據，瑞薩排名第一，市占率為 28.8%， CR5 高達 90.5%，國內廠(chǎng)商目前競爭力正在形成中。

由于車(chē)規級MCU 認證門(mén)檻高、認證周期長(cháng)，對可靠性、安全性、一致性、壽命、良率要求很高，我國 MCU 芯片的國產(chǎn)自 給率偏低，且國內大部分廠(chǎng)商的 MCU 產(chǎn)品主要集中在消費電子和家電等中低端領(lǐng)域，汽車(chē)、工業(yè)等高端領(lǐng)域下游大量需求 長(cháng)期被國外廠(chǎng)商占據，但目前國內也已有不少廠(chǎng)家在布局車(chē)規級 MCU，如芯旺微、杰發(fā)科技、芯馳科技、比亞迪半導體以 及兆易創(chuàng )新等。

2.3.4 模擬 IC：應用最廣，助力電子系統“安全+智能”

與傳統通訊市場(chǎng)相比，現代新能源電動(dòng)汽車(chē)電子系統追求“安全+智能”，要求更加高效低功耗、更加集成化、更加智能化、 更加內核數智化。其中安全重要性居首位，要求電子系統與電源做到有效的安全隔離，模擬隔離芯片起到了關(guān)鍵作用。智能 即是電車(chē)智能化，指智能駕駛輔助系統ADAS和影音娛樂(lè )系統，智能駕駛和影音娛樂(lè )因脫離了人的主動(dòng)駕駛，需要極高要求 的毫米波雷達、監控攝像系統、車(chē)聯(lián)控制模塊、電源輔助模塊等，離不開(kāi)高性能的模擬芯片如放大器、傳感器、接口產(chǎn)品、 電源管理產(chǎn)品等。

模擬芯片在新能源電動(dòng)汽車(chē)電子系統領(lǐng)域承擔著(zhù)重要作用，覆蓋發(fā)動(dòng)機進(jìn)氣歧管、機油/剎車(chē)、空調壓力、動(dòng)力總成、汽油 尾氣檢測、車(chē)載電池管理等。從市場(chǎng)規模來(lái)看，隨著(zhù)新能源汽車(chē)的快速發(fā)展，模擬芯片的市場(chǎng)規模呈現逐年增長(cháng)態(tài)勢。根據 IC Insights 數據推測，預計到 2026 年，全球車(chē)載模擬芯片預計將較 2021 年接近翻番，接近 310 億美元，受半導體行業(yè)周 期波動(dòng)影響較小。

車(chē)規級模擬芯片領(lǐng)域具有較為嚴格的進(jìn)入標準，如可靠性標準AEC-Q 系列和功能安全標準 ISO 26262 標準等，要求更高的 性能保障、更嚴格的安全保障以及更加可靠的實(shí)用性。早期國內模擬芯片公司相對聚焦在消費類(lèi)，在車(chē)規模擬領(lǐng)域起步比較 晚，隨著(zhù)下游新能源汽車(chē)的需求爆發(fā)，國內傳統模擬企業(yè)紛紛切換到車(chē)規模擬賽道，如納芯微早于 2016 年即開(kāi)始布局，具 有一定的先發(fā)優(yōu)勢，經(jīng)過(guò)近六年的發(fā)展，現已躋身國內模擬隔離芯片龍頭，而傳統模擬廠(chǎng)商圣邦股份、思瑞浦、希荻微等企 業(yè)緊隨其后，利用其技術(shù)積累與上下游產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，不斷豐富車(chē)規模擬芯片布局。

2.4 應用端之可再生能源：“風(fēng)光儲”裝機量快速增長(cháng)拉動(dòng)功率半導體需求

隨著(zhù)節能減排需求的提升，全球已有多個(gè)國家提出“零碳”或“碳中和”的發(fā)展目標，全球的太陽(yáng)能光伏發(fā)電、風(fēng)電、儲能 等可再生能源行業(yè)發(fā)展迅猛，新增裝機量快速增長(cháng)。

在光伏發(fā)電方面，根據 CPIA 的數據，2021 年全球光伏新增裝機量為 170GW，其中中國光伏新增裝機 54.88GW。CPIA 樂(lè ) 觀(guān)預測下，2025 年全球光伏新增裝機量將達到 330GW；我國 2025 年光伏新增裝機量將達到 110GW。在風(fēng)力發(fā)電方面， 根據 GWEC的數據，2021 年全球風(fēng)電新增裝機（并網(wǎng)容量）93.6GW，中國裝機占比 50.91%，預計未來(lái) 5 年 CAGR 約 6.6%， 2025 年全球風(fēng)電新增裝機量達到 119.4GW。在儲能方面，根據BNEF的數據，2021 年全球儲能新增裝機 10GW/22GWh， 中國儲能新增裝機 2.45GW/4.61GWh，而隨著(zhù)光伏風(fēng)電配儲率的提高，預計未來(lái)幾年儲能行業(yè)將飛速發(fā)展，根據《儲能產(chǎn) 業(yè)研究白皮書(shū) 2021》預測，樂(lè )觀(guān)場(chǎng)景下 2025 年電化學(xué)儲能累計投運規模有望達到 55.9GW，對應 2022-2025 年間，電化 學(xué)儲能新增裝機量年均增速為 62.7%。功率半導體是發(fā)電、輸電、變配電、用電、儲能等領(lǐng)域的基礎核心部件，以 MOSFET、IGBT為代表的功率半導體和模組是 電力轉換和控制的核心元器件，能起到提高轉換效率和電流密度的作用。由于需要輸出符合電網(wǎng)要求的交流電，新能源發(fā)電 增加了大量對于整流器、逆變器及變壓器的需求，由于逆變器/變流器是“風(fēng)光儲”系統的核心設備，二極管、MOSFET、 IGBT等功率半導體因此應用廣泛。根據英飛凌的數據，在風(fēng)能發(fā)電中，功率半導體的價(jià)值量在 2000~3500 歐元/MW；在光伏發(fā)電中，功率半導體的價(jià)值量在 2000~5000 歐元/MW；在儲能系統中，功率半導體的價(jià)值量在 2500~3500 歐元/MW。假設風(fēng)能、光伏、儲能應用中功率半 導體的價(jià)值量分別均取中值 2750、3500、3000 歐元/MW，對應 2021 年全球風(fēng)電、光伏、儲能領(lǐng)域功率半導體市場(chǎng)規模分 別大約是 19.2 億元、44.4 億元和 2.2 億元人民幣（假設匯率1 歐元=7.4578 人民幣），合計約 66 億元。

國內供應商在核心器件取得突破?！帮L(fēng)光儲”是國內功率廠(chǎng)商進(jìn)入最晚的市場(chǎng)，國產(chǎn)化率最低。以最大的光伏市場(chǎng)為例，光 伏芯片開(kāi)關(guān)頻率高，能量轉換效率要求高。2021 年斯達半導、士蘭微、新潔能、時(shí)代電氣、宏微科技抓住了分布式光伏用 IGBT 缺貨的歷史機遇，切入了光伏市場(chǎng)。根據 Wood Mackenzie 的數據統計，2021 年全球光伏逆變器市場(chǎng)前五均為中國公司，分別是國內的華為、陽(yáng)光電源、古瑞瓦特、錦浪、固德威。其中華為保持第一 23%的市場(chǎng)份額，陽(yáng)光電源緊隨其后， 且從 2020 年的 19%提升到了 21%，同時(shí)古瑞瓦特取代了原先的 SMA 躋身前三，前三在全球光伏逆變器市場(chǎng)占有率過(guò)半。光伏逆變器的競爭格局較為集中，且由國內逆變器龍頭主導，有利于國內上游半導體器件供應商實(shí)現核心器件國產(chǎn)替代的里 程碑式突破。

電子測量?jì)x器是 5G、人工智能、新能源、航空航天、國防軍工等行業(yè)的基礎設備，推動(dòng)各產(chǎn)業(yè)不斷進(jìn)行轉型升級與技術(shù)創(chuàng ) 新，是工業(yè)、半導體等智能制造領(lǐng)域發(fā)展的加速器。電子測量?jì)x器屬于精密儀器領(lǐng)域，高端儀器以及生產(chǎn)儀器所必需的 ADC/DAC/FPGA 等芯片掌握在美國等西方國家手里。近年來(lái)，瓦森納協(xié)議、美國芯片法案、是德科技 Keysight 出口管控等 一系列的制裁措施，意圖打壓國內電子測量?jì)x器企業(yè)的高端突破。隨著(zhù)工業(yè)信息化產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，電子測量?jì)x器的國產(chǎn)替 代重要性凸顯，國務(wù)院及各單位鼓勵政策連續出臺，國內電子測量?jì)x器廠(chǎng)商開(kāi)始嶄露頭角，自主可控勢在必行。

3.1 電子測量?jì)x器是工業(yè)、半導體等智能制造的加速器

半導體集成電路經(jīng)歷從實(shí)驗室研發(fā)階段、客戶(hù)端產(chǎn)品認證階段到大規模量產(chǎn)階段等，每一個(gè)階段都需要經(jīng)過(guò)專(zhuān)業(yè)的標準化測 試，而電子測量?jì)x器即是一桿秤，用來(lái)衡量產(chǎn)品是否達到性能指標要求，從而進(jìn)入下一個(gè)環(huán)節進(jìn)行驗證。因此，電子測量?jì)x 器的需求將伴隨著(zhù)半導體集成電路生命周期的每一個(gè)階段，是工業(yè)、半導體等高端智能制造的加速器。一般來(lái)說(shuō)，電子測量?jì)x器分為專(zhuān)用測量?jì)x器和通用測量?jì)x器，專(zhuān)用測量?jì)x器屬于偏定制化儀器，針對不同產(chǎn)品不同應用，提出不同的測量需求，這類(lèi)測量?jì)x器具有客戶(hù)粘性高、因定制化帶來(lái)的技術(shù)門(mén)檻高、應用范圍較小、需求量不高等特點(diǎn)，如光 纖測試儀器、電磁兼容EMC 測試設備等。通用測量?jì)x器主要用來(lái)測試電信號基本參量，包括示波器、射頻類(lèi)儀器、波形發(fā) 生器、電源及電子負載和其他儀器等，其中射頻類(lèi)儀器包括頻譜（信號）分析儀、微波射頻源、矢量網(wǎng)絡(luò )分析儀、微波功率 計等，每個(gè)儀器分類(lèi)針對不同的產(chǎn)品測試要求，具有應用范圍廣、市場(chǎng)需求量大等特點(diǎn)。

電子測量?jì)x器主要實(shí)現對電子產(chǎn)品各項性能的測試檢測功能，將貫穿電子產(chǎn)品生命周期，同時(shí)也滲透進(jìn)電子產(chǎn)品的各個(gè)下游 應用領(lǐng)域，如電子暗室測試、物聯(lián)網(wǎng)、醫療電子、航空與國防研究所、汽車(chē)電子、教育與科學(xué)研究等。

從市場(chǎng)規模來(lái)看，得益于電子測量?jì)x器的廣泛應用，2015-2018 年全球及中國的電子測量?jì)x器市場(chǎng)規模實(shí)現穩步增長(cháng)態(tài)勢。2019 年受中美貿易摩擦影響，全球及中國的電子測量?jì)x器市場(chǎng)規模出現較大幅度下滑，2020 年開(kāi)始隨著(zhù)下游行業(yè)的需求持 續，根據 Frost&Sullivan 推測，預計到 2025 年全球電子測量?jì)x器市場(chǎng)規模將達 1257 億元，2019-2025 年的年復合增長(cháng)率 為 5.3%；2025 年中國電子測量?jì)x器市場(chǎng)規模將達 467 億元，2019-2025 年的年復合增長(cháng)率為6.5%。從下游應用來(lái)看，根據 Frost&Sullivan 推測，2025 年全球電子測量?jì)x器下游應用市場(chǎng)份額中，通信、航空航天與消防、消 費電子、交通、半導體、工業(yè)電子、醫療、能源等分別占據 39%/15%/11%/10%/5%/5%/6%/8%。下游應用相對廣泛，對電 子測量?jì)x器市場(chǎng)抵抗某單一行業(yè)周期波動(dòng)起到一定利好作用。

3.2 美國制裁不斷，電子測量?jì)x器自主可控是必經(jīng)之路

全球著(zhù)名模擬芯片龍頭廠(chǎng)商德州儀器 Texas Instruments 提供常規的電子測量?jì)x器功能模塊，國內電子測量?jì)x器廠(chǎng)商早期發(fā) 展模式一般是通過(guò)從德州儀器等國際廠(chǎng)商購置核心功能模塊，然后加上自主研發(fā)的軟硬件及算法等核心技術(shù)，可設計出滿(mǎn)足 不同測試功能的電子測量?jì)x器。

高端 ADC/DAC 芯片、FPGA 芯片是電子測量的核心零部件，供應商主要以德州儀器、賽靈思、英特爾等國外企業(yè)為主，國 內芯片企業(yè)暫時(shí)不具備此類(lèi)芯片的自主研發(fā)能力。美國為了維護其國防軍事實(shí)力以及高端制造等領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，不斷對中 國進(jìn)行高端芯片的出口限制、以及高端電子測量?jì)x器出口管制。

事件一：瓦森納協(xié)定，是一項于最初簽訂于 1996 年 5 月 12 日、專(zhuān)門(mén)管制傳統武器及軍商兩用貨品的多邊出口控制機制的 協(xié)定，目前含 42 個(gè)成員國家，并不斷補充限制物項清單和增加國家成員名單。其中電子測量?jì)x器所必需的高端ADC、FPGA 等芯片屬于出口管制的范圍之列，中國也屬于受限制的國家之一。高端ADC 芯片禁運范圍主要是精度超過(guò) 8 位 1.3Gsps 以 及 16 位以上采樣率超過(guò) 65MSPS 的芯片。例如在絕大多數示波器產(chǎn)品中，使用的ADC 芯片都需要美國政府的同意才能進(jìn) 口，同時(shí)要承諾不被轉用軍事用途。國內電子測量?jì)x器廠(chǎng)商雖然出口數量較多，但大多都是中低端儀器，受制于高速高精度 ADC/DAC 芯片的出口管控，目前高端儀器較大程度依賴(lài)進(jìn)口。

事件二：2021 年 8 月，美國政府因國際電子測量?jì)x器龍頭廠(chǎng)商是德科技 Keysight 向中國和俄羅斯等 15 個(gè)國家出售用來(lái)“模 擬電子戰的形式以及建?！钡亩?***場(chǎng)景生成器，對其罰款 660 萬(wàn)美元，或將迫使是德科技嚴格執行禁運性清單，阻止其 部分高端儀器對中國的出口。是德科技被禁運儀器主要為多****場(chǎng)景生成器，具有電子戰系統測量、雷達/通信系統開(kāi)發(fā)、 脈沖****控制和多****機場(chǎng)景模擬等應用方向，下游應用場(chǎng)景主要有電子對抗、航空航天、國防軍工以及雷達等，其被禁 運主要因為其在軍事作戰上起到的關(guān)鍵作用，意圖打擊中國以及俄羅斯的軍事實(shí)力，保護美國的自身利益。

競爭格局：電子測量?jì)x器屬于精密儀器領(lǐng)域，國外起步早，且與德州儀器等芯片廠(chǎng)商、蘋(píng)果微軟等應用廠(chǎng)商深度合作，外加上美國對高端 ADC、DAC 芯片以及 FPGA 芯片的禁運，全球電子測量?jì)x器市場(chǎng)前排一直被國際廠(chǎng)商占據著(zhù)。根據 Frost&Sullivan 統計，2019 年全球電子測量?jì)x器市場(chǎng)占比前五的公司分別為是德科技 Keysight、羅德與施瓦茨 Rohde & Schwarz、安立 Anritsu、泰克 Tektronix 和力科 LeCroy，累計占據全球市場(chǎng)份額的 48.7%，其中是德科技以 25.9%的市場(chǎng) 份額領(lǐng)跑全球。從國內競爭格局來(lái)看，2019 年我國電子測量?jì)x器市場(chǎng)占比前五的公司與全球市場(chǎng)相同，前五大廠(chǎng)商共占據 43.2%的市場(chǎng)份額。這些前排國際廠(chǎng)商電子測量?jì)x器種類(lèi)齊全，其中是德科技還具有一系列的配合自身測量?jì)x器的 EDA 軟 件工具，具有非常深厚的技術(shù)積累和良好的市場(chǎng)口碑，穩居國際國內電子測量?jì)x器市場(chǎng)龍頭地位。

3.3 政策加持+技術(shù)推動(dòng)，國內企業(yè)在細分賽道正發(fā)力

受下游應用的推動(dòng)以及國產(chǎn)替代的必須性，電子測量?jì)x器自主可控的重要性不言而喻。但因其賽道的特殊性，部分高端 ADC/DAC、FPGA 芯片被禁運的背景下，單靠行業(yè)自身驅動(dòng)力還不夠，因此國務(wù)院及各單位紛紛出臺支持電子測量?jì)x器行 業(yè)發(fā)展的激勵政策，包括貸款額度的發(fā)放及貼息、高校研究所儀器設備更新升級、鼓勵優(yōu)先使用國產(chǎn)儀器、設立專(zhuān)項項目、 攻克高端芯片難題等等。

在下游行業(yè)需求推動(dòng)、國務(wù)院及各單位的支持政策激勵下，國內誕生出一批優(yōu)秀的電子測量?jì)x器企業(yè)，主要有普源精電、鼎 陽(yáng)科技、坤恒順維以及未上市的電科思儀等。每家公司發(fā)展模式及產(chǎn)品側重方向略有不同，均在各自賽道上不斷發(fā)力。

（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議）