116億GaN項目落地

來(lái)源：化合物半導體市場(chǎng)

GaN作為第三代半導體領(lǐng)域的“潛力股”之一，已經(jīng)成為半導體、消費電子、汽車(chē)、光伏儲能、智能電網(wǎng)、衛星通信、國防安全等跨領(lǐng)域的必爭之地，近幾年來(lái)吸引了無(wú)數投資者的青睞，相關(guān)項目接連簽約落地、開(kāi)工、投產(chǎn)，市場(chǎng)產(chǎn)能規模不斷擴大。近期，又有一個(gè)GaN項目落地，投資規模超百億元。

12月11日，西咸新區涇河新城消息顯示，陜西省西咸新區涇河新城與江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：譽(yù)鴻錦）在北京簽訂戰略合作框架協(xié)議：總投資116億元的西安第三代化合物半導體芯片與器件產(chǎn)業(yè)化項目正式落戶(hù)涇河新城。

據悉，西安第三代化合物半導體芯片與器件產(chǎn)業(yè)化項目將GaN為核心內容，建立第三代化合物半導體研發(fā)中心，開(kāi)展GaN基半導體核心技術(shù)攻關(guān)、新品研發(fā)等工作。項目達產(chǎn)后，可實(shí)現年產(chǎn)值500億元，實(shí)現年上繳稅收約25億元。

該項目的主體方是譽(yù)鴻錦，天石基金管理（深圳）有限公司也將對項目進(jìn)行注資。譽(yù)鴻錦是成立于2021年1月的GaN IDM初創(chuàng )企業(yè)，位于江西省撫州市撫州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區，注冊資本1.16億元，由深圳譽(yù)鴻錦芯科技合伙企業(yè)（有限合伙）100%持股，旗下?lián)碛腥易庸尽?/span>

譽(yù)鴻錦的主營(yíng)業(yè)務(wù)是GaN系列第三代半導體材料的MOCVD外延生長(cháng)、電子器件和光電器件芯片流片研發(fā)制造、器件及模組的封裝制造等全產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)，產(chǎn)品覆蓋SBD、HEMT、射頻/功率放大器、UVC LED等，面向新能源汽車(chē)、數據中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領(lǐng)域。

旗下子公司譽(yù)鴻錦芯片規劃建設第三代半導體芯片全產(chǎn)業(yè)鏈項目，該項目主要從事GaN電子材料和高端光電材料的MOCVD外延生長(cháng)及器件流片、模組的研發(fā)和生產(chǎn)制造。該項目總投資50億元，一期已投入9億元，建成后將形成年產(chǎn)能60萬(wàn)片，年產(chǎn)值30億人民幣規模。二期投入41億元，建成后將形成年產(chǎn)能300萬(wàn)片，年產(chǎn)值100億人民幣規模。（文：化合物半導體市場(chǎng) Jenny整理）