關(guān)于PE4259等各類(lèi)射頻開(kāi)關(guān)選型對比分析

射頻器件是無(wú)線(xiàn)通信設備的基礎性零部件，在無(wú)線(xiàn)通信中扮演著(zhù)兩個(gè)重要的角色：首先是在****信號的過(guò)程中，能將二進(jìn)制信號轉換成高頻率的無(wú)線(xiàn)電磁波信號；其次是在接收信號的過(guò)程中，能將收到的電磁波信號轉換成二進(jìn)制數字信號。射頻前端主要包括射頻開(kāi)關(guān)、濾波器、雙工器、PA（功率放大器）、LNA（低噪聲放大器）等器件。

而近年來(lái)，全球射頻開(kāi)關(guān)市場(chǎng)保持快速增長(cháng)態(tài)勢。射頻開(kāi)關(guān)，又稱(chēng)為微波開(kāi)關(guān)，它是構成射頻前端的一種芯片，主要作用在于通過(guò)控制邏輯，實(shí)現對不同方向（接收或****）、不同頻率的信號進(jìn)行切換，以達到共用天線(xiàn)、節省終端產(chǎn)品成本的目的。按照刀數和擲數，射頻開(kāi)關(guān)可以分為單刀單擲(SPST)、單刀雙擲(SPDT)、單刀多擲(SPNT)、多到多擲(NPNT)。接下來(lái)我們就來(lái)講一講如何選擇合適的射頻開(kāi)關(guān)。

CKRF2179MM26是pHEMT GaAs SPDT(單刀雙擲)開(kāi)關(guān)。這設備運行頻率為0.05 ~ 3.0GHz，具有低插入損耗和高隔離性。

AS179-92LF是一種pHEMT GaAs FET單刀雙擲開(kāi)關(guān)。該裝置具有插入損耗小、正極好等特點(diǎn)極低直流功耗的電壓操作，低成本封裝sc70-6(2.00 x 1.25 mm)。

UPG2179TB是日本RENESAS生產(chǎn)的砷化鎵MMIC L s波段領(lǐng)域開(kāi)關(guān)(單刀雙擲)。該裝置的工作電壓為2.5 ~ 5.3 V。這個(gè)裝置的工作范圍從0.05到3.0 GHz，低插入損耗，高隔離。但是目前已經(jīng)停產(chǎn)，新產(chǎn)品不作主推。

PE4259 UltraCMOS RF開(kāi)關(guān)的設計涵蓋10MHz的廣泛應用范圍通過(guò)3000 MHz。這個(gè)反射開(kāi)關(guān)板載CMOS低電壓控制邏輯cmos兼容的控制接口，并可以使用單引腳或互補控制控制輸入。使用標稱(chēng)+3V電源電壓，一個(gè)典型的輸入1dB的壓縮點(diǎn)+33.5 dBm可以實(shí)現。PE4259是在Peregrine 's上生產(chǎn)的超微半導體工藝，硅的專(zhuān)利變種藍寶石上的絕緣體(SOI)技術(shù)襯底，提供了砷化鎵的性能傳統CMOS的經(jīng)濟性和集成度。

ATR5179是動(dòng)能世紀的一款采用 pHEMT GaAs 工藝制作的單刀雙擲開(kāi)關(guān)單芯片，芯片內部電路結構簡(jiǎn)單，該芯片的推薦工作頻率為 20MHz-4GHz，開(kāi)關(guān)芯片采用單電源 供電控制，有非常低的電流功耗，開(kāi)關(guān)開(kāi)啟工作時(shí)有非常低的插入損耗。

性能參數對比：

結語(yǔ):從以上AS179-92、PE4259、CKRF2179MM26等各類(lèi)射頻開(kāi)關(guān)選型對比分析，這幾款射頻開(kāi)關(guān)相對來(lái)說(shuō)，目前ATR5179的性?xún)r(jià)比是比較高的，行業(yè)內的使用體量也不少，各廠(chǎng)家可以根據對應的產(chǎn)品相應地選擇適合自己產(chǎn)品的射頻開(kāi)關(guān)。另外，未來(lái)隨著(zhù)封裝尺寸的減小，整體射頻器件也呈現出模組化的趨勢，未來(lái)射頻開(kāi)關(guān)性能和單機價(jià)值量有望進(jìn)一步提升。