各地“十四五”集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃和產(chǎn)業(yè)規模目標

2021年8月18日，北京市人民政府發(fā)布《北京市“十四五”時(shí)期高精尖產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃》（京政發(fā)〔2021〕21號）。

《發(fā)展規劃》指出以自主突破、協(xié)同發(fā)展為重點(diǎn)，構建集設計、制造、裝備和材料于一體的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新高地，打造具有國際競爭力的產(chǎn)業(yè)集群。重點(diǎn)布局北京經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區、海淀區、順義區。

（1）集成電路創(chuàng )新平臺。以領(lǐng)軍企業(yè)為主體、科研院所為支撐，建立國家級集成電路創(chuàng )新平臺；支持新型存儲器、CPU、高端圖像傳感器等重大戰略領(lǐng)域基礎前沿技術(shù)的研發(fā)和驗證，形成完整知識產(chǎn)權體系。

（2）集成電路設計。重點(diǎn)布局海淀區，聚力突破量大面廣的國產(chǎn)高性能CPU、FPGA、DSP等通用芯片及EDA工具的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化；面向消費電子、汽車(chē)電子、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、超高清視頻等領(lǐng)域發(fā)展多樣化多層次行業(yè)應用芯片；支持技術(shù)領(lǐng)先的設計企業(yè)聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游建設產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新中心。

（3）集成電路制造。堅持主體集中、區域集聚，圍繞國家戰略產(chǎn)品需求，支持北京經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區、順義區建設先進(jìn)特色工藝、微機電工藝和化合物半導體制造工藝等生產(chǎn)線(xiàn)。

（4）集成電路裝備。支持北京經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區建設北京集成電路裝備產(chǎn)業(yè)園，建設國內領(lǐng)先的裝備、材料驗證基地，打造世界領(lǐng)先的工藝裝備平臺企業(yè)和技術(shù)先進(jìn)的光刻機核心部件及裝備零部件產(chǎn)業(yè)集群；加快完善裝備產(chǎn)業(yè)鏈條，提升成熟工藝產(chǎn)線(xiàn)成套化裝備供給能力以及關(guān)鍵裝備和零部件保障能力。

《規劃》還提出搶先布局一批未來(lái)前沿產(chǎn)業(yè)。包括：

（1）量子信息領(lǐng)域完善量子信息科學(xué)生態(tài)體系，加強量子材料工藝、核心器件和測控系統等核心技術(shù)攻關(guān)，推進(jìn)國際主流的超導、拓撲和量子點(diǎn)量子計算機研制，開(kāi)展量子保密通信核心器件集成化研究，搶占量子國際競爭制高點(diǎn)。

（2）光電子領(lǐng)域積極布局高數據容量光通信技術(shù)，攻克光傳感、大功率激光器等方向材料制備、器件研制、模塊開(kāi)發(fā)等關(guān)鍵技術(shù)，推動(dòng)硅基光電子材料及器件、大功率激光器國產(chǎn)化開(kāi)發(fā)。

（3）新型存儲器領(lǐng)域開(kāi)展先進(jìn)DRAM技術(shù)研發(fā)，推進(jìn)17nm/15納米DRAM研發(fā)與量產(chǎn)，突破10納米DRAM部分關(guān)鍵技術(shù)。

《北京市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，重點(diǎn)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)。

（1）以設計為龍頭，以裝備為依托，以通用芯片、特色芯片制造為基礎，打造集成電路產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng )新生態(tài)系統。

（2）開(kāi)發(fā)IP庫和工具軟件，建設集成電路裝備工藝驗證與技術(shù)創(chuàng )新平臺，建成中關(guān)村集成電路設計園二期、中國移動(dòng)國際信息港、北京經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區集成電路裝備產(chǎn)業(yè)基地二期和國家信創(chuàng )園。

（3）支持先進(jìn)工藝、制造材料、EDA、碳基集成電路等一批突破性項目，實(shí)施集成電路制造業(yè)新生產(chǎn)力布局項目和集成電路裝備產(chǎn)業(yè)基地項目，支持8英寸晶圓產(chǎn)線(xiàn)和8英寸MEMS高端產(chǎn)線(xiàn)落地，夯實(shí)“研發(fā)線(xiàn)+量產(chǎn)線(xiàn)”協(xié)同格局。

（4）支持創(chuàng )新企業(yè)共同組建光刻機研發(fā)中心，積極發(fā)展7/5/3納米刻蝕設備、薄膜設備、離子注入機等高端裝備，支持光刻機中光學(xué)鏡頭、光源及工件臺等自主可控項目建設。

（5）鼓勵企業(yè)開(kāi)展AI芯片、高端傳感器等人工智能細分領(lǐng)域應用，建設國家高端儀器和傳感器產(chǎn)業(yè)基地。

（6）加快基礎智造工藝、元器件等技術(shù)攻關(guān)，培育核心零部件、高端裝備制造工業(yè)。

北京經(jīng)開(kāi)區（亦莊）

2021年7月發(fā)布的《"十四五"時(shí)期北京經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區發(fā)展建設和二〇三五年遠景目標規劃》指出，“十四五”期間，北京經(jīng)開(kāi)區在產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng )新鏈上將進(jìn)一步發(fā)力，以“白菜心”工程等重大攻堅項目為抓手，繼續強化集成電路制造和裝備環(huán)節優(yōu)勢，確立北京經(jīng)開(kāi)區在全國集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的領(lǐng)導地位。

《目標規劃》指出，引領(lǐng)集成電路自主可控發(fā)展。

（1）以自主可控為導向，率先組織開(kāi)展集成電路產(chǎn)學(xué)研用一體化突破，推動(dòng)芯片設計、先進(jìn)制造、關(guān)鍵設備、零部件、核心材料、先進(jìn)封測等集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展

（2）重點(diǎn)布局圖像傳感器、超高清顯示、存儲、車(chē)規、國產(chǎn)CPU、IGBT等芯片設計細分領(lǐng)域。強化制造領(lǐng)域引領(lǐng)地位，加快中芯國際產(chǎn)能提升，支持存儲器芯片快速量產(chǎn)。

（3提升關(guān)鍵設備核心競爭力，實(shí)現刻蝕、薄膜、離子注入等關(guān)鍵裝備全布局，形成區域集中、協(xié)同發(fā)展的集群效應。

（4）聯(lián)合攻關(guān)金屬部件、硅基及陶瓷等非金屬部件、電子部件的供應安全問(wèn)題，重點(diǎn)關(guān)注光刻機核心部件，支持光學(xué)鏡頭、激光光源、工件臺及計算光刻軟件等規?；瘧?，探索光刻機整機測試平臺建設。

（5）填補核心材料產(chǎn)業(yè)空白環(huán)節，實(shí)現光刻膠、濺射靶材和專(zhuān)用氣體等材料國產(chǎn)化突破。

（6）加速先進(jìn)封裝工藝和測試能力落地，滿(mǎn)足國產(chǎn)CPU、顯示驅動(dòng)和5G射頻產(chǎn)品封測需求，補齊區域短板。

2021年6月發(fā)布的《上海市戰略性新興產(chǎn)業(yè)和先導產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規劃》提出，以國家重大戰略任務(wù)為牽引，強化創(chuàng )新平臺體系建設、關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)和重大項目布局，持續提升產(chǎn)業(yè)能級和綜合優(yōu)勢?！笆奈濉逼陂g，集成電路產(chǎn)業(yè)規模年均增速達到20%左右，力爭在制造領(lǐng)域有兩家企業(yè)營(yíng)收穩定進(jìn)入世界前列，在設計、裝備材料領(lǐng)域培育一批上市企業(yè)。到2025年，基本建成具有全球影響力的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新高地。先進(jìn)制造工藝進(jìn)一步提升，芯片設計能力國際領(lǐng)先，核心裝備和關(guān)鍵材料國產(chǎn)化水平進(jìn)一步提高，基本形成自主可控的產(chǎn)業(yè)體系。

重點(diǎn)發(fā)展：1、集成電路設計。提升5G通信、桌面CPU、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子等核心芯片研發(fā)能力，加快核心IP開(kāi)發(fā)，推進(jìn)FPGA、IGBT、MCU等關(guān)鍵器件研發(fā)。提升集成電路設計工具供給能力，培育全流程EDA平臺，優(yōu)化國產(chǎn)EDA產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)環(huán)境。2、制造和封測。擴大集成電路成熟工藝產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)能，提高產(chǎn)品良率，提升先進(jìn)工藝量產(chǎn)規模，繼續加快先進(jìn)工藝研發(fā)。提升特色工藝芯片研發(fā)和規模制造能力。進(jìn)一步提升先進(jìn)封裝測試產(chǎn)業(yè)規模。3、裝備和材料。加快研制具有國際一流水平的刻蝕機、清洗機、離子注入機、量測設備等高端產(chǎn)品。開(kāi)展核心裝備關(guān)鍵零部件研發(fā)。提升12英寸硅片、先進(jìn)光刻膠研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化能力。

2021年7月5日，上海市人民政府發(fā)布《上海市先進(jìn)制造業(yè)發(fā)展“十四五”規劃》（滬府辦發(fā)〔2021〕12號）。

《規劃》提出發(fā)揮上海產(chǎn)業(yè)基礎和資源稟賦優(yōu)勢，以集成電路、生物醫****、人工智能三大先導產(chǎn)業(yè)為引領(lǐng)，大力發(fā)展電子信息、生命健康、汽車(chē)、高端裝備、先進(jìn)材料、時(shí)尚消費品六大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)，構建“3+6”新型產(chǎn)業(yè)體系，打造具有國際競爭力的高端產(chǎn)業(yè)集群。

《規劃》提出以自主創(chuàng )新、規模發(fā)展為重點(diǎn)，提升芯片設計、制造封測、裝備材料全產(chǎn)業(yè)鏈能級。

（1）芯片設計，加快突破面向云計算、數據中心、新一代通信、智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的高端處理器芯片、存儲器芯片、微處理器芯片、圖像處理器芯片、FPGA、5G核心芯片等，推動(dòng)骨干企業(yè)芯片設計能力進(jìn)入3納米及以下，打造國家級EDA平臺，支持新型指令集、關(guān)鍵核心IP等形成市場(chǎng)競爭力。

（2）制造封測，加快先進(jìn)工藝研發(fā)，支持12英寸先進(jìn)工藝生產(chǎn)線(xiàn)建設和特色工藝產(chǎn)線(xiàn)建設，爭取產(chǎn)能倍增，加快第三代化合物半導體發(fā)展；發(fā)展晶圓級封裝、2.5D/3D封裝、柔性基板封裝、系統封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)。

（3）裝備材料，加強裝備材料創(chuàng )新發(fā)展，突破光刻設備、刻蝕設備、薄膜設備、離子注入設備、濕法設備、檢測設備等集成電路前道核心工藝設備；提升12英寸硅片、高端掩膜板、光刻膠、濕化學(xué)品、電子特氣等基礎材料產(chǎn)能和技術(shù)水平，強化本地配套能力。

《規劃》還提出充分發(fā)揮張江實(shí)驗室、國家集成電路創(chuàng )新中心等“1+4”創(chuàng )新體系的引領(lǐng)作用，加強前瞻性、顛覆性技術(shù)研發(fā)和布局，聯(lián)合長(cháng)三角開(kāi)展產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作。加快建設上海集成電路設計產(chǎn)業(yè)園、東方芯港、電子化學(xué)品專(zhuān)區等特色產(chǎn)業(yè)園區載體，引進(jìn)建設一批重大項目。到2025年，基本建成具備自主發(fā)展能力、具有全球影響力的集成電路創(chuàng )新高地。

《上海市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，重點(diǎn)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)。具體計劃包括：

（1）增強集成電路產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng )新能力。努力打造完備產(chǎn)業(yè)生態(tài)，加快建設張江實(shí)驗室，加強前瞻性、顛覆性技術(shù)研發(fā)布局，構建上海集成電路研發(fā)中心等為主要支撐的創(chuàng )新平臺體系。

（2）圍繞國家重大生產(chǎn)力布局，推動(dòng)先進(jìn)工藝、特色工藝產(chǎn)線(xiàn)等重大項目加快建設盡早達產(chǎn)，加快高端芯片設計、關(guān)鍵器件、核心裝備材料、EDA設計工具等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節攻關(guān)突破，加強長(cháng)三角產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作，逐步形成綜合性集成電路產(chǎn)業(yè)集群，帶動(dòng)全國集成電路產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展。

（3）促進(jìn)人工智能深度賦能實(shí)體經(jīng)濟，在智能芯片、智能軟件、智能駕駛、智能機器人等領(lǐng)域，持續落地一批重大產(chǎn)業(yè)項目。

（4）在第六代通信、下一代光子器件等方面，加強科技攻關(guān)與前瞻謀劃，為未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定基礎。

（5）在上海自貿試驗區改革創(chuàng )新方面，要探索建立集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈保稅模式。

（6）培育壯大前沿產(chǎn)業(yè)集群和新興業(yè)態(tài)。聚焦集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節關(guān)鍵核心技術(shù)突破，建設國家級集成電路綜合產(chǎn)業(yè)基地。

浦東新區

2021年7月發(fā)布的《中共中央國務(wù)院關(guān)于支持浦東新區高水平改革開(kāi)放打造社會(huì )主義現代化建設引領(lǐng)區的意見(jiàn)》提出，打造集成電路世界級創(chuàng )新產(chǎn)業(yè)集群。

根據《意見(jiàn)》，浦東新區將實(shí)施集成電路強鏈育鏈補鏈提升工程，支持龍頭企業(yè)對標國際領(lǐng)先水平，發(fā)展先進(jìn)制造工藝技術(shù)，瞄準面廣量大的全球市場(chǎng)需求，加快推進(jìn)成熟工藝節點(diǎn)的產(chǎn)能建設，補齊產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈短板，加快構建集設計、制造、封測、裝備材料為一體的產(chǎn)業(yè)集聚區。

2021年8月26日，浦東新區發(fā)布的《浦東新區促進(jìn)制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展“十四五”規劃》提出，著(zhù)力提升電子元器件制造能級。聚焦集成電路制造，帶動(dòng)半導體分立器件制造、顯示器件制造等電子器件制造，帶動(dòng)電子電子制造、敏感元件信傳感器制造等電子元件及專(zhuān)用材料制造。

《規劃》提出，打造具有全球競爭力的全鏈條產(chǎn)業(yè)體系，聚焦張江集成電路設計產(chǎn)業(yè)園、東方芯港（臨港集成電路裝備和材料產(chǎn)業(yè)園）建設，培育引進(jìn)一批骨干企業(yè)，著(zhù)力攻克一批關(guān)鍵核心技術(shù)，應用推廣一批創(chuàng )新產(chǎn)品。

張江強化集成電路設計帶動(dòng)引領(lǐng)功能，臨港強化集成電路裝備材料自主可控能力，外高橋提升集成電路封測先進(jìn)水平。

做強集成電路覆蓋設計、制造、封測和設備材料等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節；強化在集成電路領(lǐng)域的光刻機、離子刻蝕機等裝備的自主創(chuàng )新，聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域核心環(huán)節，集聚靶點(diǎn)突破，運用科技創(chuàng )新實(shí)現技術(shù)和工藝突破，將產(chǎn)業(yè)鏈中一部分舉足輕重的基礎材料、基礎技術(shù)、核心零部件實(shí)現本土化、產(chǎn)業(yè)化。

臨港新片區

2021年3月3日，上海臨港新片區發(fā)布的《中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區集成電路產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項規劃（2021-2025）》指出，到2025年，先進(jìn)工藝、成熟工藝、特色工藝進(jìn)入國際前列，EDA工具、光刻膠、大硅片等關(guān)鍵“卡脖子”技術(shù)產(chǎn)業(yè)化取得突破，2種以上關(guān)鍵裝備進(jìn)入全球領(lǐng)先制造企業(yè)采購體系。引進(jìn)培育5家以上國內外領(lǐng)先的芯片制造企業(yè)；形成5家年收入超過(guò)20億元的設備材料企業(yè)；培育10家以上的上市企業(yè)，圍繞5G、CPU、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)人駕駛等細分領(lǐng)域發(fā)展壯大一批獨角獸設計企業(yè)。芯片制造、裝備材料主導地位進(jìn)一步加強，芯片設計、封裝測試形成規?；?。 

2020年12月18日發(fā)布的《臨港新片區前沿產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規劃》指出，到2025年，初步形成國家級集成電路綜合產(chǎn)業(yè)基地。打造“東方芯港”特色產(chǎn)業(yè)園區，形成具有國際影響力的核心產(chǎn)業(yè)集聚區。

“東方芯港”將圍繞核心芯片、特色工藝、關(guān)鍵裝備和基礎材料等領(lǐng)域實(shí)現關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，建設國家級集成電路綜合性產(chǎn)業(yè)基地。

在產(chǎn)業(yè)空間分布上，“東方芯港”將按照“10+X”布局，在前沿產(chǎn)業(yè)區規劃10平方公里產(chǎn)業(yè)用地，作為新片區集成電路產(chǎn)業(yè)核心承載區；同時(shí)，規劃“X”處集聚發(fā)展區域，比如，將國際創(chuàng )新協(xié)同區作為新片區集成電路研發(fā)創(chuàng )新集聚區，布局高端芯片設計、功能性平臺、創(chuàng )新孵化器（加速器）等；將綜合保稅區作為新片區集成電路產(chǎn)業(yè)外向型發(fā)展的窗口，布局保稅研發(fā)、保稅制造、集成電路貿易流通、支持服務(wù)等。

張江科學(xué)城

2021年7月發(fā)布的《上海市張江科學(xué)城發(fā)展“十四五”規劃》指出，加快集成電路關(guān)鍵核心技術(shù)突破。引進(jìn)培育一批世界一流集成電路設計企業(yè)，著(zhù)力提升高端芯片設計能力。支持芯片制造企業(yè)推動(dòng)先進(jìn)制程工藝芯片規模量產(chǎn)，大力發(fā)展下一代集成電路生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品。支持集成電路材料、設備企業(yè)加大研發(fā)力度，提升生產(chǎn)制造能力。加快人工智能融合賦能應用，支持基礎AI芯片研發(fā)，以類(lèi)腦算法和類(lèi)腦芯片為方向，加快感知識別、知識計算、認知推理、運動(dòng)執行、智能無(wú)人系統等共性關(guān)鍵核心技術(shù)創(chuàng )新突破。推動(dòng)人工智能與其他產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展。

《規劃》明確建設特色產(chǎn)業(yè)園，上海集成電路設計產(chǎn)業(yè)園，聯(lián)動(dòng)集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)基地、中試產(chǎn)業(yè)區等平臺載體，打造國家級全產(chǎn)業(yè)鏈的集成電路集群。

2020年，張江示范區集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售規模達到約1800億元。

2021年5月發(fā)布的《天津市產(chǎn)業(yè)鏈高質(zhì)量發(fā)展三年行動(dòng)方案（2021—2023年）》提出，發(fā)揮集成電路設計領(lǐng)域優(yōu)勢，夯實(shí)集成電路制造、計算機零部件及外圍設備制造等領(lǐng)域基礎，重點(diǎn)推動(dòng)新一代CPU、大規模集成電路晶圓生產(chǎn)線(xiàn)、先進(jìn)封測生產(chǎn)線(xiàn)、化學(xué)機械拋光（CMP）設備、第三代半導體材料等項目建設，引進(jìn)和研制圖形處理器、存儲器、第五代移動(dòng)通信（5G）技術(shù)芯片、刻蝕機等高端項目和產(chǎn)品。到2023年，培育形成5至7家具有行業(yè)領(lǐng)先地位的龍頭企業(yè)，引育若干關(guān)鍵核心企業(yè)，實(shí)現關(guān)鍵裝備核心產(chǎn)品突破“卡脖子”，在國產(chǎn)CPU、移動(dòng)通信、工業(yè)控制、信息安全等細分領(lǐng)域形成特色鮮明、優(yōu)勢突出的產(chǎn)業(yè)集群，培育良好產(chǎn)業(yè)生態(tài)，推動(dòng)國產(chǎn)CPU、射頻芯片自給率市場(chǎng)份額逐年提高。強調加快建設世界最大的8英寸芯片生產(chǎn)基地；

2021年6月，天津市人民政府發(fā)布《天津市制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展“十四五”規劃》（津政辦發(fā)〔2021〕23號）。

《規劃》提出加快發(fā)展以人工智能產(chǎn)業(yè)為核心、以新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)為引領(lǐng)、以信創(chuàng )產(chǎn)業(yè)為主攻方向、以新型智能基礎設施為關(guān)鍵支撐、各領(lǐng)域深度融合發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)，加快建設“天津智港”。

《規劃》提到，要發(fā)展新一代信息技術(shù)材料。擴大8-12英寸硅單晶拋光片和外延片產(chǎn)能，加快6英寸半絕緣砷化鎵等研發(fā)生產(chǎn)。開(kāi)發(fā)生產(chǎn)高精度、高穩定性、高功率光纖材料，提升光電功能晶體材料研究開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化水平。推動(dòng)氟化氬光刻膠、正性光刻膠材料綠色發(fā)展，改進(jìn)光刻膠用光引發(fā)劑等高分子助劑材料性能，提升拋光液材料環(huán)保性。

《規劃》強調要夯實(shí)產(chǎn)業(yè)基礎能力。實(shí)施產(chǎn)業(yè)基礎再造工程，著(zhù)力推動(dòng)核心基礎零部件（元器件）、工業(yè)基礎軟件、關(guān)鍵基礎材料、先進(jìn)基礎工藝等領(lǐng)域研發(fā)創(chuàng )新、重點(diǎn)突破，強化產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎研究攻關(guān)，提升產(chǎn)品和技術(shù)競爭力，補齊產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈短板。支持企業(yè)通過(guò)“揭榜掛帥”等方式承擔重大攻關(guān)項目，加快解決共性基礎問(wèn)題，增強自主保障能力。積極承接一批國家級重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)基礎項目，引導產(chǎn)學(xué)研用聯(lián)合開(kāi)展關(guān)鍵核心技術(shù)和共性技術(shù)攻關(guān)，加快實(shí)現產(chǎn)業(yè)化突破。重點(diǎn)推動(dòng)唯捷創(chuàng )芯5G終端高集成度射頻模組、國芯可信計算系列系統級芯片（SOC）等核心基礎零部件項目，實(shí)施中環(huán)領(lǐng)先材料集成電路硅片、金橋焊材高端焊接材料等關(guān)鍵基礎材料項目，以及北特汽車(chē)輕量化鋁合金精密成型自動(dòng)化制造等先進(jìn)基礎工藝項目。

《天津市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出：集成電路是天津發(fā)展信創(chuàng )產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地的重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)。

（1）強化芯片設計、高端服務(wù)器制造等優(yōu)勢，補齊芯片制造、封測、傳感器、通信設備等薄弱或缺失環(huán)節，建成“芯片—整機終端”基礎硬件產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現全鏈發(fā)展。著(zhù)力夯實(shí)制造業(yè)根基。增強制造業(yè)核心競爭力。實(shí)施產(chǎn)業(yè)基礎再造工程，著(zhù)力推動(dòng)核心基礎零部件和元器件、關(guān)鍵基礎材料、先進(jìn)基礎工藝、工業(yè)基礎軟件、產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎等領(lǐng)域研發(fā)創(chuàng )新、重點(diǎn)突破，全面提升工業(yè)基礎能力。

（2）提出要重點(diǎn)發(fā)展 CPU、5G、物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的處理器芯片設計，在系統級芯片（SoC）、圖形處理器（GPU）、可編程邏輯門(mén)陣列（FPGA）等領(lǐng)域突破一批關(guān)鍵技術(shù)。做強芯片用8-12英寸半導體硅片制造，布局12英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)項目。

目前天津市形成了濱海新區以IC設計為主導，西青區主攻芯片制造、封裝測試，津南區聚焦高端設備、材料領(lǐng)域的分布格局。

《重慶市半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展五年工作方案》提出，重慶將聚焦“功率半導體芯片、存儲芯片、模擬與數?；旌闲酒?、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)芯片”四大重點(diǎn)方向，瞄準柔性顯示、Micro-LED等前沿技術(shù)，補齊集成電路設計短板，持續做大晶圓制造規模，不斷提升封裝測試水平，鼓勵面板產(chǎn)線(xiàn)技術(shù)升級，全力做好金融服務(wù)支撐，注重相關(guān)專(zhuān)業(yè)人才培養，高質(zhì)量布局“2+N”半導體產(chǎn)業(yè)規劃。

2021年8月3日，重慶市人民政府發(fā)布《重慶市制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展“十四五”規劃（2021—2025年）》（渝府發(fā)〔2021〕18號）。

《規劃》提出要重點(diǎn)發(fā)展包括半導體在內的新一代信息技術(shù)。

（1）依托重慶市電源管理芯片發(fā)展基礎，以IDM（整合元件制造）為路徑，加快后端功率器件發(fā)展，打造重慶市半導體產(chǎn)業(yè)核心競爭優(yōu)勢；

（2）發(fā)揮重慶市數模/模數混合集成電路技術(shù)優(yōu)勢，積極培育物聯(lián)網(wǎng)（工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)）芯片、激光器芯片、探測器芯片等專(zhuān)用芯片及相關(guān)器件；

（3）面向消費電子、汽車(chē)電子、5G（第五代移動(dòng)通信）等領(lǐng)域現實(shí)需求，推進(jìn)集成電路公共服務(wù)平臺建設，培育引進(jìn)一批集成電路設計龍頭企業(yè)，探索設計成果本地化流片途徑，豐富重慶市集成電路產(chǎn)品種類(lèi)；

（4）加強WLP（晶圓級封裝）、TSV（硅通孔）、FC（倒裝）、MCP（多芯片封裝）、3D（三維）等先進(jìn)存儲封裝技術(shù)研發(fā)應用，滿(mǎn)足多樣化的封裝需求。加強寬禁帶半導體材料技術(shù)研發(fā)和在半導體產(chǎn)品中應用，搶占未來(lái)競爭高地。

（5）先進(jìn)傳感器及智能儀器儀表：智能化CMOS（互補金屬氧化物半導體）圖像傳感器、溫度傳感器、濕度傳感器、壓力傳感器、慣性傳感器、重力感應傳感器、指紋識別傳感器、二維/三維視覺(jué)傳感器、力矩傳感器、碰撞傳感器等先進(jìn)傳感器產(chǎn)品。

《重慶市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，發(fā)展新一代信息技術(shù)，打造半導體優(yōu)勢產(chǎn)品譜系。

（1）功率器件，微機電系統（MEMS）傳感器，模擬/數?；旌闲酒?，存儲芯片，人工智能芯片，硅基光電芯片等半導體。

（2）有源矩陣有機發(fā)光二極管（AMOLED）、微型發(fā)光二極管（MicroLED）等面板及下游，激光顯示、激光電視，超高清視頻等新型顯示產(chǎn)品及內容，智能可穿戴設備，智能家居，服務(wù)機器人，智能視覺(jué)終端等新型智能終端。

（3）高密度、柔性印制電路板，片式元器件，高端濾波器，天饋線(xiàn)等新型電子元器件。

（4）基礎軟件，工業(yè)軟件，平臺軟件，高端行業(yè)應用軟件，新興軟件，信息安全軟件等。

（5）緊盯軟件定義汽車(chē)、芯片制造汽車(chē)、數據開(kāi)發(fā)汽車(chē)等新動(dòng)向，重點(diǎn)發(fā)展車(chē)規級芯片。

（6）加快先進(jìn)基礎材料開(kāi)發(fā)，突破關(guān)鍵戰略材料技術(shù)。重點(diǎn)發(fā)展功能改性高分子材料等先進(jìn)基礎材料、化合物半導體材料。

重慶集成電路產(chǎn)業(yè)將主要從以下方向發(fā)力：

（1）補齊集成電路設計短板。加快建設集成電路公共服務(wù)平臺，完善EDA工具、IP庫、檢測等公共服務(wù)功能。引進(jìn)培育一批集成電路設計龍頭企業(yè)，打造集成電路設計產(chǎn)業(yè)集聚區。

（2）做大晶圓制造規模。引進(jìn)、合資合作建設一批大尺寸、窄線(xiàn)寬先進(jìn)工藝晶圓制造重大項目，加快建設晶圓制造類(lèi)重大項目。

（3）提升封裝測試發(fā)展水平。發(fā)展高密度、高可靠性先進(jìn)封裝工藝，推進(jìn)SK海力士、華潤封測等項目加快建設和產(chǎn)能爬坡，進(jìn)一步壯大封裝測試產(chǎn)業(yè)規模。

（4）重點(diǎn)補強專(zhuān)用設備鏈條。以川渝聯(lián)合建設世界級電子信息和裝備制造產(chǎn)業(yè)集群為契機，重點(diǎn)發(fā)展設備產(chǎn)業(yè)。重點(diǎn)聚焦發(fā)展潛力巨大、國產(chǎn)替代容易、技術(shù)門(mén)檻較低的特種檢測設備領(lǐng)域。

重慶高新區（西永微電園）

西永微電園從集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈出發(fā)，構建從EDA平臺、共享IP庫、芯片設計、制造到封裝測試的集成電路全新產(chǎn)業(yè)鏈。目前占重慶市集成電路產(chǎn)值的70%以上。

2018年，安徽省發(fā)布《安徽省半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃（2018-2021年）》提出，構建“一核一弧”的半導體產(chǎn)業(yè)空間分布格局。

1、核心布局。合肥市要發(fā)揮現有產(chǎn)業(yè)基礎優(yōu)勢，以重大項目為引領(lǐng)，積極推進(jìn)面板驅動(dòng)芯片、家電核心芯片、汽車(chē)電子芯片模塊國產(chǎn)化，打造集成電路設計、制造、封裝測試、裝備和材料全產(chǎn)業(yè)鏈，完善產(chǎn)業(yè)配套，輻射帶動(dòng)全省半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2、弧形布局。蚌埠市要把握軍民融合大趨勢，拓展微機電系統（MEMS）等產(chǎn)品的研發(fā)與制造空間，推進(jìn)在工業(yè)、汽車(chē)電子、通信電子、消費電子等領(lǐng)域的應用。滁州市要依托區位優(yōu)勢，重點(diǎn)發(fā)展半導體封裝測試產(chǎn)業(yè)和半導體材料產(chǎn)業(yè)。蕪湖市要以化合物半導體為突破口，積極推進(jìn)在汽車(chē)、家電等領(lǐng)域的應用。銅陵市要利用引線(xiàn)框架、封裝測試設備的研發(fā)與制造基礎，探索發(fā)展高純金屬靶材、鍵合金屬絲（銅絲為主），積極創(chuàng )建半導體設備研發(fā)中心及國家半導體設備研發(fā)生產(chǎn)基地。池州市要持續推動(dòng)半導體分立器件的制造、封裝測試等，實(shí)現產(chǎn)值突破，形成產(chǎn)業(yè)規模。省內其他城市要結合產(chǎn)業(yè)基礎，支持配套產(chǎn)業(yè)發(fā)展，拓展應用領(lǐng)域，逐漸融入“一核一弧”半導體產(chǎn)業(yè)鏈條。

《安徽省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》指出，在集成電路方面，重點(diǎn)開(kāi)展先進(jìn)工藝芯片制造技術(shù)、新型集成電路芯片、光通信芯片和高端芯片設計技術(shù)、集成電路核心設備、新型 MEMS 器件、EDA 軟件等研發(fā)，開(kāi)展系統級封裝平臺建設。

《規劃綱要》提出戰略性新興產(chǎn)業(yè)集群建設工程，做大做強長(cháng)鑫、晶合等龍頭企業(yè)，迅速提升集成電路制造規模和能級，積極參與國家集成電路制造業(yè)創(chuàng )新中心等平臺建設，打造高效協(xié)同的集成電路產(chǎn)業(yè)集群。

合肥市

2020年發(fā)布的《合肥市數字經(jīng)濟發(fā)展規劃（2020-2025年）》提出，穩步壯大集成電路產(chǎn)業(yè)。

1、全力推進(jìn)長(cháng)鑫芯片生產(chǎn)線(xiàn)建設。以顯示驅動(dòng)、智能家電、汽車(chē)電子、功率集成電路、存儲器等芯片為切入點(diǎn)，通過(guò)應用牽引搭建產(chǎn)業(yè)合作平臺、公共服務(wù)平臺，瞄準先進(jìn)工藝，積極聯(lián)合行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)建設高水平集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)和先進(jìn)封裝測試生產(chǎn)線(xiàn)。

2、積極培育芯片設計企業(yè)。招引培育優(yōu)秀芯片設計企業(yè)，發(fā)揮好集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金引導作用，助力芯片設計企業(yè)快速發(fā)展。依托芯片設計龍頭企業(yè)開(kāi)展顯示驅動(dòng)、汽車(chē)電子、數字家庭、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、云計算等領(lǐng)域的芯片設計和系統解決方案研究。

3、發(fā)展新型功率器件和分立器件。鼓勵發(fā)展基于氮化鎵的高溫大功率電子器件和高頻微波器件，基于砷化鎵的光電器件和微波器件等新型功率器件，鼓勵企業(yè)研發(fā)集成、邏輯、控制、檢測和保護電路的新型智能功率器件，發(fā)展面向工業(yè)和汽車(chē)的新型功率模塊相關(guān)產(chǎn)品。

4、提升材料和設備供給能力。引進(jìn)具備條件的單位開(kāi)展集成電路關(guān)鍵設備、材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，支持國產(chǎn)裝備、材料在集成電路生產(chǎn)線(xiàn)上的應用。

《合肥市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和2035年遠景目標綱要》提出產(chǎn)業(yè)集群培育行動(dòng)計劃。集成電路：聚焦芯片設計、芯片制造、封裝測試、設備和材料等領(lǐng)域，加大動(dòng)態(tài)存儲、顯示驅動(dòng)、GPU、MCU、DSP、FPGA、CMOS、可控硅、分立器件、化合物半導體、IP核、EDA等技術(shù)研發(fā)，重點(diǎn)加快長(cháng)鑫12英寸存儲器晶圓制造基地建設，推動(dòng)晶合12英寸晶圓制造基地二期、沛頓集成電路先進(jìn)封測和模組生產(chǎn)、第三代功率半導體產(chǎn)業(yè)園等項目建設，促進(jìn)海峽兩岸（合肥）集成電路產(chǎn)業(yè)合作試驗區建設，打造中國IC之都。

合肥市將加快國產(chǎn)集成電路的技術(shù)創(chuàng )新步伐，進(jìn)一步完善“合肥芯”“合肥產(chǎn)”“合肥用”全鏈條，全面提升國家集成電路戰新產(chǎn)業(yè)集群能級。目前，在產(chǎn)業(yè)布局上，合肥市已形成了經(jīng)開(kāi)區、高新區、新站高新區三大集成電路產(chǎn)業(yè)基地，擁有集成電路企業(yè)近300家，聚集從業(yè)人員超過(guò)2萬(wàn)人，初步完成了產(chǎn)業(yè)布局，成為國內集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展最快、成效最顯著(zhù)的城市之一，被國家發(fā)改委、工信部列為集成電路產(chǎn)業(yè)全國重點(diǎn)發(fā)展城市，獲批了全國首個(gè)“海峽兩岸集成電路產(chǎn)業(yè)合作試驗區”和國家首批集成電路戰略性新興產(chǎn)業(yè)集群。

池州市

《池州市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，發(fā)展壯大半導體產(chǎn)業(yè)。堅持把半導體產(chǎn)業(yè)作為全市戰略性新興產(chǎn)業(yè)的首位產(chǎn)業(yè)，推動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)向5G、IC設計、大數據和云計算、人工智能等融合領(lǐng)域延伸，提升省級半導體產(chǎn)業(yè)基地能級，打造全國有特色的分立器件產(chǎn)業(yè)基地和設計、封測產(chǎn)業(yè)基地。到2025年，引進(jìn)培育20家以上集成電路設計企業(yè)、50家封裝測試企業(yè)、5家晶圓制造企業(yè)，以半導體為核心的新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破300億元。

《規劃綱要》提出“建芯”工程和“固器”工程。

“建芯”工程。按照“抓兩頭(設計、封裝測試)、促中間(制造)”的發(fā)展思路，壯大芯片設計，做強封裝測試，突破晶圓制造和材料。開(kāi)展應用領(lǐng)域專(zhuān)用芯片以及5G、傳感器、圖像處理、數字信號處理等高端芯片研發(fā)。大幅提升封裝測試水平，加快先進(jìn)封裝和測試技術(shù)的開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。聚焦特色芯片制造，加強化合物半導體生產(chǎn)線(xiàn)的布局和建設。促進(jìn)半導體清洗、修復等配套產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展。

“固器”工程。鞏固GPP分立器件優(yōu)勢，搶抓新型基礎設施建設契機，聚焦電源控制芯片市場(chǎng)，大力發(fā)展新一代半導體分立器件，加快發(fā)展關(guān)鍵電子材料。到2025年，打造2-3家產(chǎn)值超5億元的分立器件IDM (設計+制造+封裝)龍頭企業(yè)及20家配套企業(yè)，形成功率半導體器件-模塊-芯片的全鏈條設計生產(chǎn)能力。

《規劃綱要》提出半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)：

集成電路設計。重點(diǎn)開(kāi)發(fā)以應用為導向的定制化芯片，大力發(fā)展面板顯示及觸控驅動(dòng)芯片、汽車(chē)電子芯片、家電芯片、MEMS傳感器、高端電力電子功率器件等專(zhuān)用芯片設計，引導芯片設計企業(yè)與整機制造企業(yè)協(xié)同開(kāi)發(fā)，推進(jìn)產(chǎn)業(yè)化。

封裝測試。重點(diǎn)發(fā)展芯片級封裝（CSP）、晶圓級封裝（WLP）、系統級封裝業(yè)務(wù)(SIP)、三維封裝等新型封裝，以及邏輯芯片檢測、射頻芯片測試、存儲芯片測試、系統級測試、芯片可靠性測試等檢測重點(diǎn)領(lǐng)域。

晶圓制造。圍繞新能源汽車(chē)、5G通信等重點(diǎn)領(lǐng)域，布局GaAs、GaN、SiC等化合物晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，滿(mǎn)足高功率、高頻率、高效率等特殊應用需求。

關(guān)鍵電子材料和專(zhuān)用配套設備。引入發(fā)展高精度電子銅箔，大力發(fā)展導電膜玻璃、引線(xiàn)框架、電子化學(xué)試劑、封裝自動(dòng)化設備、自動(dòng)分選機等關(guān)鍵電子材料和專(zhuān)用設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目。

蕪湖市

《蕪湖市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，微電子領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)攻堅行動(dòng)，包括：第三代半導體需要的高純度低缺陷碳化硅和氮化鎵外延片，超高頻、大功率高端器件研發(fā)。高頻率太赫茲設備、量子通信設備研發(fā)與應用示范等。5G新產(chǎn)品研發(fā)與應用示范。

蚌埠市

《蚌埠市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，重點(diǎn)建設6吋GaAs微波集成電路制造線(xiàn)和4-6英寸SiC基GaN微波射頻電路制造線(xiàn)，發(fā)展集成電路用硅片。突破高速高精度數模轉換芯片技術(shù)，研發(fā)高速高精度通訊設備的測試儀器，發(fā)展微波集成電路設計與制造以及太赫茲測試技術(shù)、設備和成套解決方案，擴展太赫茲產(chǎn)品示范使用。

馬鞍山市

《馬鞍山市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，圍繞半導體封裝測試領(lǐng)域完善產(chǎn)業(yè)鏈，著(zhù)力建設鄭蒲港新區集成電路封裝測試及相關(guān)配套產(chǎn)業(yè)集群（基地），打造華東地區具有影響力的半導體封裝測試產(chǎn)業(yè)集群；并向IC設計、先進(jìn)封測領(lǐng)域延伸產(chǎn)業(yè)鏈，打造長(cháng)三角地區具有影響力的半導體產(chǎn)業(yè)集群。

《福建省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》在制造業(yè)主導產(chǎn)業(yè)重大工程電子信息產(chǎn)業(yè)中提出，集成電路以第三代半導體、存儲器、專(zhuān)用芯片等制造為核心，帶動(dòng)設計、封測產(chǎn)業(yè)鏈上下游進(jìn)一步協(xié)同，材料設備等配套產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步突破，打造東南沿海重要的集成電路產(chǎn)業(yè)基地。

2021年7月6日，福建省人民政府發(fā)布《福建省“十四五”制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專(zhuān)項規劃》（閩政〔2021〕12號）。

《規劃》明確做大做強電子信息和數字產(chǎn)業(yè)。突出“增芯強屏”延鏈補鏈發(fā)展，重點(diǎn)發(fā)展特色專(zhuān)用芯片、柔性顯示、LED、自主計算機整機制造及以5G為牽引的網(wǎng)絡(luò )通信等領(lǐng)域，深入實(shí)施數字經(jīng)濟創(chuàng )新發(fā)展工程，加快數字產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，培育壯大大數據、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)。

集成電路產(chǎn)業(yè)依托福州、廈門(mén)、泉州、莆田等重點(diǎn)區域，推進(jìn)集成電路特色園區建設，加快形成“一帶雙核多園”的集聚發(fā)展格局。發(fā)揮聯(lián)芯、士蘭微、瑞芯微等重點(diǎn)企業(yè)作用，加快發(fā)展高端芯片，突破28納米以下先進(jìn)制程工藝，推動(dòng)MEMS傳感器生產(chǎn)線(xiàn)建成投產(chǎn)。推動(dòng)三安化合物半導體、士蘭微化合物半導體等項目建設，提升高速芯片、高功率芯片、5G射頻芯片和5G功放芯片等制造工藝水平。研發(fā)并產(chǎn)業(yè)化內存封裝、系統級封裝、晶圓級封裝等先進(jìn)封測技術(shù)，提升通富、渠梁等企業(yè)的生產(chǎn)能力和技術(shù)水平。發(fā)展特色集成電路設計業(yè)，重點(diǎn)開(kāi)展智能物聯(lián)等新一代信息技術(shù)應用芯片研發(fā)，推進(jìn)集成電路企業(yè)和研發(fā)機構移植使用國產(chǎn)軟件工具，引導芯片設計與應用結合，著(zhù)力提升消費電子領(lǐng)域芯片設計競爭力。增強集成電路材料和裝備本地配套及服務(wù)能力，支持大尺寸硅片、光刻膠、高純化學(xué)試劑、電子氣體、化合物半導體材料、濺射靶材以及沉積設備、刻蝕設備、半導體檢測設備等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。支持建設兩岸集成電路測試省級公共服務(wù)平臺，深化閩臺集成電路技術(shù)研發(fā)、人才培養等領(lǐng)域合作。

《規劃》中還指出了福建重點(diǎn)關(guān)鍵技術(shù)路徑突破工程，在這一工程里，特別提到了集成電路領(lǐng)域。集成電路領(lǐng)域，福建將豐富知識產(chǎn)權IP核和設計工具，完善HBT和0.25微米PHEMT工藝；推動(dòng)12英寸ID內存芯片生產(chǎn)與技術(shù)革新，推動(dòng)先進(jìn)制造和特色制造工藝發(fā)展，加速化合物半導體研發(fā)和應用，加強砷化鎵射頻芯片、氮化鎵/碳化硅高功率芯片制造；提升封裝測試產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平。

福州市

2021年6月29日發(fā)布的《福州市推進(jìn)新型基礎設施建設行動(dòng)方案（2020－2022年）》指出，促進(jìn)新型基礎設施相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈集聚發(fā)展，支持5G、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域核心芯片、中高頻器件、智能傳感器的研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化和集成應用，推動(dòng)形成全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

廈門(mén)市

2016年《廈門(mén)市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃綱要》發(fā)布?！毒V要》提出，以集成電路產(chǎn)業(yè)支撐的信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)規模超4500億元，成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)集聚地區之一，形成具有國內龍頭地位的化合物半導體研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化基地，構建較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈，在部分領(lǐng)域占有國際半導體產(chǎn)業(yè)版圖中的一席之地。

2021年8月16日，廈門(mén)市工信局印發(fā)《廈門(mén)市“十四五”先進(jìn)制造業(yè)發(fā)展專(zhuān)項規劃》?！秾?zhuān)項規劃》提出，在生物醫****與健康、集成電路、新材料等領(lǐng)域突破關(guān)鍵核心技術(shù)，培育形成一大批以國產(chǎn)替代、自主可控為核心的創(chuàng )新型企業(yè)，企業(yè)自主創(chuàng )新能力躋身全國前列。

半導體與集成電路方面：緊盯國家戰略方向及國內外市場(chǎng)缺口，以強化區域協(xié)同為主線(xiàn)，以突破基礎核心領(lǐng)域為目標，強化關(guān)鍵共性技術(shù)供給、裝備研發(fā)，打造東南沿海集成電路產(chǎn)業(yè)核心區。一是促進(jìn)產(chǎn)品往高端應用場(chǎng)景延伸。推動(dòng)LED企業(yè)向智慧照明、健康照明、農業(yè)照明及醫療照明等應用場(chǎng)景發(fā)展；推動(dòng)芯片設計企業(yè)向高性能計算機、新型顯示等領(lǐng)域延伸；支持發(fā)展面向5G、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新基建及智慧城市場(chǎng)景的電子元器件；鼓勵發(fā)展應用于新能源動(dòng)力汽車(chē)、可穿戴智能裝備等未來(lái)熱點(diǎn)應用場(chǎng)景的集成電路產(chǎn)品。二是全力突破關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節。重點(diǎn)發(fā)展半導體和集成電路制造所需的基礎材料及相關(guān)制備工藝。三是加快區域資源整合。依托廈門(mén)集成電路設計公共服務(wù)平臺、廈門(mén)大學(xué)國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng )新平臺等科研平臺，建立健全產(chǎn)教融合、產(chǎn)學(xué)合作體系；深化廈臺合作，以重點(diǎn)項目為抓手，加強廈門(mén)兩岸集成電路自貿區產(chǎn)業(yè)基地建設，加快集成電路關(guān)鍵領(lǐng)域取得突破。

半導體與集成電路重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域：

半導體：發(fā)展第三代化合物半導體，刻蝕機、離子注入機、多線(xiàn)切割機、自動(dòng)封裝系統 、全自動(dòng)晶圓檢測機。

集成電路：發(fā)展云計算服務(wù)器芯片、新型平板顯示 OLED、MICRO-LED芯片、新能源動(dòng)力汽車(chē)芯片、5G電子元器件 芯片、壓力傳感器、加速度傳感器、微電機陀螺儀、慣性你真棒一器、MEMS硅麥克風(fēng)芯片，光刻機、刻蝕機、離子注入機、量測設備。

泉州市

2016年泉州發(fā)布《福建（泉州）半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃（2016-2025）》提出打造“泉州芯谷”。泉州芯谷主要涵蓋晉江集成電路產(chǎn)業(yè)園區（構建集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈）、南安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區（化合物半導體專(zhuān)業(yè)園區）、安溪湖頭光電產(chǎn)業(yè)園區（LED全產(chǎn)業(yè)基地），以存儲器制造和化合物半導體制造為支柱，吸引設計、封裝測試、制造設備、關(guān)鍵原材料等上下游產(chǎn)業(yè)鏈配套企業(yè)落戶(hù)泉州，推動(dòng)全產(chǎn)業(yè)鏈集聚。

晉江市

2016年，晉江發(fā)布《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃綱要（2016-2025）》提出，晉江集成電路產(chǎn)業(yè)將形成以制造為主，封裝測試、設計為輔，裝備材料和應用終端為配套的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展格局。

莆田市

《莆田市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二O三五年遠景目標綱要》提出，發(fā)展集成電路行業(yè)，重點(diǎn)延伸發(fā)展氮化鎵、碳化硅等集成電路特色工藝，推動(dòng)8英寸硅基芯片制造和封測項目建設，加快濾波器、射頻芯片、圖像傳感器芯片、嵌入式CPU內核、3D圖像模塊等產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，發(fā)展集成電路裝備、設計、封裝和測試等產(chǎn)業(yè)鏈。推動(dòng)莆臺合作半導體產(chǎn)業(yè)項目建設，打造兩岸集成電路產(chǎn)業(yè)合作示范區。

《甘肅省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，提升新型功率器件和集成電路封測能力，延伸發(fā)展配套產(chǎn)品，打造西部集成電路封測產(chǎn)業(yè)基地。加快智能終端產(chǎn)品、電子材料與元器件 、電器制造業(yè)發(fā)展，培育形西部重要的電子信息產(chǎn)業(yè)集群。

《規劃綱要》提出，重點(diǎn)發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)，發(fā)展以氮化鎵為代表的第三代半導體材料制造，依托甘肅省有機半導體材料及應用技術(shù)工程中心，推動(dòng)新型半導體材料與器件關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)和成果轉化。

天水市

《天水市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，圍繞“強龍頭、補鏈條、聚集群”，堅持“因企施策、一企一策”，以培育優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)、骨干企業(yè)、品牌產(chǎn)品為重點(diǎn)，加速新一代信息技術(shù)與制造業(yè)深度融合，發(fā)展先進(jìn)適用技術(shù)，實(shí)現延鏈補鏈強鏈，推動(dòng)電子信息等傳統優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)做大做強。

《規劃綱要》提出，依托華天、華洋、六九一三、天光、慶華電子等企業(yè)，引進(jìn)上下游配套產(chǎn)業(yè)鏈，打造電子信息產(chǎn)業(yè)基地，重點(diǎn)發(fā)展集成電路芯片設計制造、高端引線(xiàn)框架、新一代半導體材料、高端封裝測試、敏感元器件系列產(chǎn)品，打造總產(chǎn)值超過(guò)200億元的電子信息產(chǎn)業(yè)集群。

2021年7月30日，廣東省人民政府發(fā)布《廣東省制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展“十四五”規劃》（粵府〔2021〕53號）?！兑巹潯诽岢?，打造我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展第三極，建成具有國際影響力的半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)聚集區。其中集成電路設計業(yè)業(yè)務(wù)收入超2000億元，設計行業(yè)的骨干企業(yè)研發(fā)投入強度超過(guò)20%，全行業(yè)研發(fā)投入強度超過(guò)5%，集成電路制造業(yè)業(yè)務(wù)收入超1000億元，建成較大規模特色工藝制程生產(chǎn)線(xiàn)，先進(jìn)封測比例顯著(zhù)提升。

《規劃》提出要重點(diǎn)發(fā)展新一代信息技術(shù)。著(zhù)力突破核心電子元器件、高端通用芯片，提升高端電子元器件的制造工藝技術(shù)水平和可靠性，布局關(guān)鍵核心電子材料和電子信息制造裝備研制項目，支持發(fā)展晶圓制造裝備、芯片/件封裝裝備3C自動(dòng)化、智能化產(chǎn)線(xiàn)裝備等。以廣州、深圳、珠海為核心,打造涵蓋設計、制造、封測等環(huán)節的半導體及集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈。支持廣州開(kāi)展“芯火”雙創(chuàng )基地建設,建設制造業(yè)創(chuàng )新中心。支持深圳、汕頭、梅州、肇慶、潮州建設新型電子元器件產(chǎn)業(yè)集聚區，推進(jìn)粵港澳大灣區集成電路公共技術(shù)研究中心建設。推動(dòng)粵東粵西粵北地區主動(dòng)承接珠三角地區產(chǎn)業(yè)轉移，發(fā)展半導體元器件配套產(chǎn)業(yè)。

《規劃》提出要軟件與信息服務(wù)。要重點(diǎn)突破CAD（計算機輔助設計）、CAM（計算機輔助制造）、CAE（計算機輔助工程）、EDA（電子設計自動(dòng)化）等工業(yè)軟件。

《規劃》對集成電路等十大戰略性新興產(chǎn)業(yè)進(jìn)行前瞻性布局。

有關(guān)半導體及集成電路的整體布局：推進(jìn)集成電路EDA底層工具軟件國產(chǎn)化，支持開(kāi)展EDA云上架構、應用AI技術(shù)、TCAD、封裝EDA工具等研發(fā)。擴大集成電路設計優(yōu)勢，突破邊緣計算芯片、儲存芯片、處理器等高端通用芯片設計，支持射頻、傳感器、基帶、交換、光通信、顯示驅動(dòng)、RISC-V等專(zhuān)用芯片開(kāi)發(fā)設計，前瞻布局化合物半導體、毫米波芯片、太赫茲芯片等專(zhuān)用芯片設計。布局建設較大規模特色工藝制程和先進(jìn)工藝制程生產(chǎn)線(xiàn)，重點(diǎn)推進(jìn)模擬及數?；旌闲酒a(chǎn)制造，加快FD-SOI核心技術(shù)攻關(guān),支持氮化鎵、碳化硅等化合物半導體器件和模塊的研發(fā)制造。支持先進(jìn)封裝測試技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，重點(diǎn)突破氟聚酰亞胺、光刻膠等關(guān)鍵原材料以及高性能電子電路基材、高端電子元器件,發(fā)展光刻機、缺陷檢測設備、激光加工設備等整機設備以及精密陶瓷零部件、射頻電源等設備關(guān)鍵零部件研制。

《規劃》提出廣東有關(guān)半導體及集成電路的空間布局：

1、芯片設計及底層工具軟件。以廣州、深圳、珠海、江門(mén)等市為核心,建設具有全球競爭力的芯片設計和軟件開(kāi)發(fā)聚集區。廣州重點(diǎn)發(fā)展智能傳感器、射頻濾波器、第三代半導體,建設綜合性集成電路產(chǎn)業(yè)聚集區。深圳集中突破CPU/GPU/FPGA等高端通用芯片設計、人工智能專(zhuān)用芯片設計、高端電源管理芯片設計。珠海聚焦辦公打印、電網(wǎng)、工業(yè)等行業(yè)安全領(lǐng)域提升芯片設計技術(shù)水平。江門(mén)重點(diǎn)推進(jìn)工業(yè)數字光場(chǎng)芯片、硅基液晶芯片、光電耦合器芯片等研發(fā)制造。

2、芯片制造。依托廣州、深圳、珠海做大做強特色工藝制造，廣州以硅基特色工藝晶圓代工線(xiàn)為核心，布局建設12英寸集成電路制造生產(chǎn)線(xiàn)；深圳定位28納米及以下先進(jìn)制造工藝和射頻、功率、傳感器、顯示驅動(dòng)等高端特色工藝，推動(dòng)現有生產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)能和技術(shù)水平提升。

珠海重點(diǎn)建設第三代半導體生產(chǎn)線(xiàn),推動(dòng)8英寸硅基氮化鎵晶圓線(xiàn)及電子元器件等擴產(chǎn)建設。佛山依托季華實(shí)驗室推動(dòng)建設12英寸全國產(chǎn)半導體裝備芯片試驗驗證生產(chǎn)線(xiàn)。

3、芯片封裝測試。以廣州、深圳、東莞為依托，做大做強半導體與集成電路封裝測試。廣州發(fā)展器件級、晶圓級MEMS封裝和系統級測試技術(shù)，鼓勵封裝測試企業(yè)向產(chǎn)業(yè)鏈的設計環(huán)節延伸。深圳集中優(yōu)勢力量,增強封測、設備和材料環(huán)節配套能力。東莞重點(diǎn)發(fā)展先進(jìn)封測平臺及工藝。

4、化合物半導體。依托廣州、深圳、珠海、東莞、江門(mén)等市大力發(fā)展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鎵、氮化鋁、金剛石等第三代半導體材料制造，支持氮化鎵、碳化硅、砷化鎵、磷化銦等化合物半導體器件和模塊的研發(fā)制造，培育壯大化合物半導體IDM企業(yè)，支持建設射頻、傳感器、電力電子等器件生產(chǎn)線(xiàn)，推動(dòng)化合物半導體產(chǎn)品的推廣應用。

5、材料與關(guān)鍵元器件。依托廣州、深圳、珠海、東莞等市加快氟聚酰亞胺、光刻膠、高純度化學(xué)試劑、電子氣體、碳基、高密度封裝基板等材料研發(fā)生產(chǎn)，大力支持納米級陶瓷粉體、微波陶瓷粉體、功能性金屬粉體、賤金屬漿料等元器件關(guān)鍵材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。依托廣州、深圳、汕頭、佛山、梅州、肇慶、潮州、東莞、河源、清遠等市大力建設新型電子元器件產(chǎn)業(yè)集聚區，推動(dòng)電子元器件企業(yè)與整機廠(chǎng)聯(lián)合開(kāi)展核心技術(shù)攻關(guān)，建設高端片式電容器、電感器、電阻器等元器件以及高端印制電路板生產(chǎn)線(xiàn)，提升國產(chǎn)化水平。

6、特種裝備及零部件配套。依托珠三角地區,加快半導體集成電路裝備生產(chǎn)制造。支持深圳加大集成電路用的刻蝕設備、離子注入設備、沉積設備、檢測設備以及可靠性和魯棒性校驗平臺等高端設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。支持廣州發(fā)展涂布機、電漿蝕刻、熱加工、晶片沉積、清洗系統、劃片機、芯片互連縫合機、芯片先進(jìn)封裝線(xiàn)、上芯機等裝備制造業(yè)。支持佛山、惠州、東莞、中山、江門(mén)、汕尾、肇慶、河源等市依據各自產(chǎn)業(yè)基礎，積極培育特種裝備及零部件領(lǐng)域龍頭企業(yè)及“****冠軍”企業(yè)，形成與廣深珠聯(lián)動(dòng)發(fā)展格局。 

廣州市

2020年9月，廣州市工業(yè)和信息化局印發(fā)了《廣州市加快發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的若干措施》提出爭取納入國家集成電路重大生產(chǎn)力布局規劃，建設國內先進(jìn)的晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，引進(jìn)一批、培育一批、壯大一批集成電路設計、封裝、測試、分析以及深耕智能傳感器系統方案的企業(yè)，爭取打造出千億級的集成電路產(chǎn)業(yè)集群，建成全國集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區、人才匯聚地、創(chuàng )新示范區。

《廣州市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，做精做深細分產(chǎn)業(yè)鏈，以特色配套新型顯示電路生產(chǎn)制造為契機，積極布局集成電路研發(fā)設計與封裝測試環(huán)節，吸引集成電路設計、制造與封裝企業(yè)來(lái)增城發(fā)展。推動(dòng)產(chǎn)業(yè)協(xié)同，以硬件制造為切入點(diǎn)，高起點(diǎn)規劃建設信創(chuàng )產(chǎn)業(yè)園，推進(jìn)CPU芯片、服務(wù)器、數據庫、終端安全產(chǎn)品等企業(yè)集聚，大力引導應用軟件及配套產(chǎn)業(yè)集聚。力爭到2025年，新一代信息技術(shù)產(chǎn)值（營(yíng)收）規模超1000億元。

深圳市

2019年5月15日發(fā)布的《深圳市進(jìn)一步推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計劃（2019－2023年）》指出，深圳將建成具有國際競爭力的集成電路產(chǎn)業(yè)集群。設計業(yè)銷(xiāo)售收入突破1600億元，制造業(yè)及相關(guān)環(huán)節銷(xiāo)售收入達到400億元。引進(jìn)和培育10家銷(xiāo)售收入20億元以上的骨干企業(yè)。

《深圳市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，建設世界級新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地。強化集成電路設計能力，優(yōu)化提升芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)，加快推進(jìn)中芯國際12英寸晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn)建設，積極布局先進(jìn)制程集成電路制造項目，增強封測、設備和材料環(huán)節配套能力，前瞻布局化合物半導體產(chǎn)業(yè)，高水平建設若干專(zhuān)業(yè)集成電路產(chǎn)業(yè)園區。

《規劃綱要》列示集成電路攻關(guān)重點(diǎn)領(lǐng)域：重點(diǎn)圍繞芯片架構等開(kāi)展技術(shù)攻關(guān)，發(fā)展絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機電系統（MEMS）等特色工藝，發(fā)展碳化硅等化合物半導體。

珠海市

2020年10月，珠海市發(fā)布的《珠海市大力支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見(jiàn)》提出，初步建成高端引領(lǐng)、協(xié)同發(fā)展、特色突出的具有國際競爭力的集成電路產(chǎn)業(yè)集群。

（1）壯大芯片設計產(chǎn)業(yè)規模。加強政策扶持與引導，支持珠海芯片設計規上企業(yè)加大研發(fā)投入，積極對接國家科技計劃和重大項目，形成一批標志性自主創(chuàng )新成果。

（2）提升高端芯片設計水平。加強芯片設計能力塑造提升，在嵌入式SoC、高性能數?；旌霞呻娐?、新型顯示專(zhuān)用芯片、智能計算芯片、新型存儲器、工業(yè)金融電力等重點(diǎn)行業(yè)應用的SoC芯片、通信芯片、安全芯片等重點(diǎn)產(chǎn)品和技術(shù)上，形成差異化特色優(yōu)勢，骨干企業(yè)設計水平實(shí)現引領(lǐng)全球創(chuàng )新。

（3）引進(jìn)培育設計龍頭企業(yè)。加大對集成電路設計企業(yè)的招商引資力度，引進(jìn)和培育一批具有自主知識產(chǎn)權、具有行業(yè)影響力的集成電路設計龍頭企業(yè)，支持EDA工具研發(fā)企業(yè)、IP設計及服務(wù)企業(yè)到珠海落戶(hù)，帶動(dòng)珠海集成電路設計向高端發(fā)展。

（4）重點(diǎn)建設12寸中試研發(fā)線(xiàn)、IC產(chǎn)業(yè)云服務(wù)平臺、快速封裝測試分析平臺、集成電路設計服務(wù)中心、集成電路IP共享中心和工程服務(wù)中心，為集成電路企業(yè)提供中試研發(fā)、EDA、IP、設計、多項目晶圓（MPW）等領(lǐng)域的公共服務(wù)，提升珠海集成電路產(chǎn)業(yè)深度技術(shù)支撐能力。

（5）大力支持和引進(jìn)IDM企業(yè)。探索發(fā)展虛擬IDM、共享IDM等新模式。推動(dòng)珠?，F有領(lǐng)軍企業(yè)建設特色工藝生產(chǎn)線(xiàn)和中試研發(fā)線(xiàn)，確保市場(chǎng)潛力大、產(chǎn)業(yè)基礎好、且涉及國家安全的關(guān)鍵特色工藝領(lǐng)域快速發(fā)展。

（6）通過(guò)建設EDA布局布線(xiàn)創(chuàng )新平臺、先進(jìn)半導體IP和定制量產(chǎn)平臺，強化與各大foundry廠(chǎng)的合作。支持8英寸硅基氮化鎵外延與芯片大規模量產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)增資擴產(chǎn)，迅速形成規模生產(chǎn)能力，打破阻礙珠海集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。

（7）加快提升封測等環(huán)節配套能力。積極對接國際國內封測技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)，積極引進(jìn)系統級封裝、三維封裝、面板級以及晶圓級封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)和團隊在珠海產(chǎn)業(yè)化，逐步滿(mǎn)足本地市場(chǎng)廣泛需求。加大對本地第三方代工測試企業(yè)扶持和培育力度，做大做強集成電路企業(yè)自有封裝廠(chǎng)，引導本地企業(yè)通過(guò)業(yè)務(wù)并購、增資擴產(chǎn)等方式實(shí)現快速擴張。

（8）加快關(guān)鍵裝備和材料配套產(chǎn)業(yè)發(fā)展。加強集成電路關(guān)鍵設備、零部件及材料企業(yè)和創(chuàng )新團隊的引資引智工作。大力引進(jìn)包括刻蝕、清洗、離子注入、CMP、ATE等關(guān)鍵環(huán)節裝備領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。面向硅晶圓、光刻膠、拋光液、濺射靶材、金屬絲線(xiàn)、清洗液、中高端電子化學(xué)品等專(zhuān)用原材料領(lǐng)域培育和引進(jìn)國內外龍頭企業(yè)。發(fā)展非硅基材料、化合物半導體材料等新興領(lǐng)域，發(fā)展高端封裝基板、通信天線(xiàn)等高附加值的泛電子泛半導體產(chǎn)業(yè)，逐步完善珠海集成電路產(chǎn)業(yè)鏈布局。

珠海高新區

《珠海高新區集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃(2020-2025年)》中指出，珠海高新區力爭到2025年形成一個(gè)兩百億級產(chǎn)業(yè)集群(芯片設計)、一個(gè)百億集群(化合物半導體)，建成在珠三角乃至全國范圍內都有較強影響力的集成電路產(chǎn)業(yè)聚集區。

《發(fā)展規劃》提出三個(gè)方向，一是做大做強芯片設計，立足本地設計企業(yè)集聚、周邊終端企業(yè)眾多的基礎，重點(diǎn)發(fā)揮優(yōu)勢，形成特色；二是做精化合物半導體，重點(diǎn)聚焦氮化鎵、磷化銦、碳化硅等新材料、新器件、新工藝；三是做好產(chǎn)業(yè)鏈式延展，重點(diǎn)對接國內封裝測試和模組制造領(lǐng)域龍頭企業(yè)，招引有建封裝測試工廠(chǎng)需求的集成電路設計企業(yè)到高新區建廠(chǎng)。

《廣西壯族自治區國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，培育壯大新一代信息技術(shù)；超前布局第三代半導體、人工智能等未來(lái)產(chǎn)業(yè)。

2021年6月3日，《廣西集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃（2021-2025年）》通過(guò)評審。

《貴州省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，加快培育智能制造裝備產(chǎn)業(yè)，培育發(fā)展芯片、減速機、傳感器等核心零部件及控制系統制造業(yè)；加快創(chuàng )新技術(shù)服務(wù)平臺建設，加快人工智能技術(shù)研發(fā)創(chuàng )新平臺、智能語(yǔ)音開(kāi)放創(chuàng )新平臺、自動(dòng)駕駛和智能機器人研發(fā)平臺等建設，推進(jìn)深度學(xué)習框架、智能芯片產(chǎn)品研發(fā)和應用，建設人工智能實(shí)驗室；加快發(fā)展大數據電子信息產(chǎn)業(yè)，加快發(fā)展智能終端、集成電路、新型電子元件與電子材料等高端電子信息制造業(yè)。

無(wú)內容

《河北省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，打好關(guān)鍵核心技術(shù)攻堅戰，瞄準新一代人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、航空航天等前沿領(lǐng)域，實(shí)施一批發(fā)展急需的重大科技項目，積極參與國家戰略性科學(xué)計劃和科學(xué)工程；構筑現代產(chǎn)業(yè)體系新支柱，推進(jìn)基礎材料、關(guān)鍵芯片、高端元器件、生物識別等核心技術(shù)攻關(guān)，大力發(fā)展整機、終端產(chǎn)品，促進(jìn)大數據、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、區塊鏈等技術(shù)集成創(chuàng )新和融合應用，做大做強行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，重點(diǎn)建設廊坊新型顯示、石家莊光電與導航、辛集智能傳感器等產(chǎn)業(yè)基地，形成具有全國影響力的優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)集群。

2020年4月19日，河北省人民政府發(fā)布了《河北省數字經(jīng)濟發(fā)展規劃（2020-2025年）》?！兑巹潯诽岢?/span>，培育壯大半導體器件產(chǎn)業(yè)。大力發(fā)展第三代半導體材料及器件，支持碳化硅、氮化鎵單晶及外延研發(fā)產(chǎn)業(yè)化，推進(jìn)高端傳感器、光機電集成微系統（MEMS）、光通信器件等產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，壯大功率器件及微波集成電路產(chǎn)業(yè)。推動(dòng)第三代北斗導航高精度芯片、太赫茲芯片、衛星移動(dòng)通信射頻終端芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。支持太赫茲高功率可控****、關(guān)鍵元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，建設太赫茲產(chǎn)業(yè)基地。

《規劃》提出，推進(jìn)科技成果產(chǎn)業(yè)化。利用創(chuàng )新成果轉化體制機制，激活中電科13所、54所、中船重工718所創(chuàng )新資源，推進(jìn)第三代半導體材料、微電子機械系統（MEMS）、數字集群無(wú)線(xiàn)通信系統、衛星應用通信系統、先進(jìn)復合材料、特種電子氣體、制氫裝備等重大科技成果產(chǎn)業(yè)化。

石家莊市

2021年4月23日，石家莊發(fā)布《關(guān)于新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的實(shí)施意見(jiàn)》的通知?！秾?shí)施意見(jiàn)》提出，培育集成電路上市企業(yè)3家以上，并形成以集成電路專(zhuān)用材料、集成電路設計、集成電路加工制作、集成電路封裝測試為核心的較為完備的產(chǎn)業(yè)鏈。

培育集成電路基礎材料優(yōu)勢提升工程：擴大氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）晶圓加工能力，提升4英寸/6英寸碳化硅外延、8-12英寸硅外延材料品質(zhì)，加快6英寸碳化硅外延、氮化鎵外延、12英寸硅外延以及高性能陶瓷封裝材料量產(chǎn)化進(jìn)程。

培育專(zhuān)用集成電路設計與制造發(fā)展工程：提升微波集成電路、射頻集成電路、超大規模SoC芯片、微機電系統（MEMS） 器件、光電模塊、第三代北斗導航高精度芯片、射頻識別 （RFID）芯片等設計水平，推進(jìn)芯片設計與制造一體化發(fā)展；實(shí)施5G通信****用射頻前端套片及模塊重點(diǎn)項目，建設特色集成電路生產(chǎn)線(xiàn)，推動(dòng)射頻前端芯片、濾波器芯片等實(shí)現產(chǎn)業(yè)化。支持開(kāi)展功率半導體器件與功率集成芯片產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

《河南省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，推進(jìn)數字產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，推動(dòng)智能傳感器、射頻卡、嵌入式芯片、傳感網(wǎng)絡(luò )設備等物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品升級和體系拓展，做優(yōu)車(chē)聯(lián)網(wǎng)、醫療物聯(lián)網(wǎng)、家居物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)，協(xié)同發(fā)展云服務(wù)與邊緣計算服務(wù)，構建物聯(lián)網(wǎng)全產(chǎn)業(yè)鏈。

《黑龍江省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，建設好一批質(zhì)量高、拉動(dòng)能力強的重大項目，其中包括萬(wàn)鑫石墨谷、第三代半導體材料碳化硅襯底材料及生產(chǎn)裝備等項目。

2019年湖北發(fā)布《關(guān)于推進(jìn)全省十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的意見(jiàn)》。湖北省將依托國家存儲器基地，重點(diǎn)發(fā)展存儲芯片、光通信芯片和衛星導航芯片，努力形成以芯片設計為引領(lǐng)、芯片制造為核心、封裝測試與材料為配套的較為完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。

《湖北省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，集中力量和資源推進(jìn)國家存儲器基地建設，加快實(shí)現技術(shù)趕超和規模提升，建成全國先進(jìn)存儲“產(chǎn)業(yè)航母”。加快發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)芯片、北斗芯片等，補齊封裝測試短板，完善產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新體系和發(fā)展生態(tài)，打造全球知名的集成電路產(chǎn)業(yè)基地；打好關(guān)鍵核心技術(shù)攻堅戰，探索形成社會(huì )主義市場(chǎng)經(jīng)濟條件下新型舉國體制湖北路徑。實(shí)施關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)工程，圍繞三維存儲芯片、硅光芯片、新型顯示材料、高端醫學(xué)影像設備等重點(diǎn)領(lǐng)域，加強產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同，推動(dòng)“臨門(mén)一腳”關(guān)鍵技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，實(shí)現率先突破；打造具有國際競爭力的產(chǎn)業(yè)集群，推進(jìn)集成電路、新型顯示器件、下一代信息網(wǎng)絡(luò )、生物醫****等國家戰略性新興產(chǎn)業(yè)集群建設，著(zhù)力培育具有國際競爭力的萬(wàn)億級光電子信息、大健康產(chǎn)業(yè)集群。構建“光芯屏端網(wǎng)”縱向鏈合、橫向協(xié)同的發(fā)展機制，突出“光”特色，做強“芯”核心，做大“屏”規模，強化“端”帶動(dòng)，優(yōu)化“網(wǎng)”生態(tài)，發(fā)揮重大項目支撐引領(lǐng)作用，推動(dòng)建立以武漢為核心，沿江城市分工協(xié)作的產(chǎn)業(yè)布局。

2021年7月，湖北發(fā)布《中共湖北省委、湖北省人民政府關(guān)于新時(shí)代推動(dòng)湖北高質(zhì)量發(fā)展加快建成中部地區崛起重要戰略支點(diǎn)的實(shí)施意見(jiàn)》?！秾?shí)施意見(jiàn)》提出，堅持戰略性新興產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)，實(shí)施戰略性新興產(chǎn)業(yè)倍增計劃，著(zhù)力打造以“光芯屏端網(wǎng)”為重點(diǎn)的新一代信息技術(shù)和；培育壯大集成電路、光通信及激光、新型顯示、智能終端、信息網(wǎng)絡(luò )、軟件及信息服務(wù)、人工智能、電子信息材料、生物醫****及醫療器械、數字創(chuàng )意等10個(gè)千億級特色產(chǎn)業(yè)集群。

武漢市

2019年，武漢發(fā)布《武漢市人民政府關(guān)于推進(jìn)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的意見(jiàn)》。《意見(jiàn)》提出，武漢將依托國家存儲器基地，重點(diǎn)發(fā)展存儲芯片、光通信芯片和衛星導航芯片，形成以芯片設計為引領(lǐng)、芯片制造為核心、封裝測試為配套的較為完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。

《武漢市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和2035年遠景目標綱要》提出，圍繞國家戰略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)域和方向，集中力量發(fā)展集成電路、新型顯示器件、下一代信息網(wǎng)絡(luò )、生物醫****四大國家級戰略性新興產(chǎn)業(yè)集群。發(fā)展“光芯屏端網(wǎng)”新一代信息技術(shù)。聚焦光電子、硅光及第三代化合物半導體芯片、5G通信與人機交互、虛擬現實(shí)、智能終端、信息網(wǎng)絡(luò )等，打造“光芯屏端網(wǎng)”萬(wàn)億產(chǎn)業(yè)集群。到2025年，“光芯屏端網(wǎng)”產(chǎn)值5000億元。

2020年2月，湖南省發(fā)布的《湖南省數字經(jīng)濟發(fā)展規劃（2020-2025年）》提出，形成以設計業(yè)為龍頭、特色制造業(yè)為核心、裝備及材料等配套產(chǎn)業(yè)為支撐的發(fā)展格局，成為全國功率器件中心、第三代半導體重要基地、集成電路設計和裝備特色集聚區。

發(fā)展壯大電子信息制造業(yè)。搶抓信息技術(shù)應用創(chuàng )新發(fā)展重大機遇，放大特色優(yōu)勢，強化核心基礎零部件（元器件）、先進(jìn)基礎工藝、關(guān)鍵基礎材料和產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎發(fā)展能力，加快打造成為享有盛譽(yù)的國家級產(chǎn)業(yè)集群。面向高端設計、特色工藝制造、先進(jìn)封測、關(guān)鍵設備和材料等領(lǐng)域，推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。建設國家功率半導體制造業(yè)創(chuàng )新中心等創(chuàng )新平臺，推動(dòng)關(guān)鍵共性技術(shù)突破。

著(zhù)力突破關(guān)鍵核心技術(shù)。圍繞集成電路等行業(yè)，重點(diǎn)突破寬禁帶半導體、CPU、GPU、DSP、SSD等技術(shù)，發(fā)展面向通用芯片、專(zhuān)用芯片等領(lǐng)域的高端定制設計、研發(fā)、生產(chǎn)服務(wù)能力。

集成電路產(chǎn)業(yè)成長(cháng)工程：提升集成電路設計業(yè)，力爭在CPU、GPU、DSP、SSD、4K/8K、5G等高端芯片產(chǎn)業(yè)化上實(shí)現突破。壯大集成電路關(guān)鍵設備，發(fā)展離子注入機等集成電路裝備，研發(fā)光刻機、刻蝕機等關(guān)鍵設備技術(shù)，提升集成電路國產(chǎn)化裝備和成套建設能力和水平。布局新一代半導體產(chǎn)業(yè)，推動(dòng)IGBT、第三代半導體等重大項目，構建完善產(chǎn)品鏈，促進(jìn)氮化鎵和碳化硅器件制造技術(shù)開(kāi)發(fā)，發(fā)展器件級、晶圓級封裝和系統級測試技術(shù)，提升工藝技術(shù)水平，加快實(shí)現規?；a(chǎn)能力。推進(jìn)功率半導體器件創(chuàng )新中心等創(chuàng )新平臺建設，探索行業(yè)共性關(guān)鍵技術(shù)聯(lián)合攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化路徑。

《湖南省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，推進(jìn)半導體關(guān)鍵核心成套設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，加快6英寸碳化硅材料及芯片、中低壓功率半導體等產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，建成全國最大碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)基地，創(chuàng )建國家級半導體裝備制造區域中心。

株洲市

《株洲市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，大力發(fā)展大功率半導體器件產(chǎn)業(yè)鏈。重點(diǎn)發(fā)展硅基IGBT為主要特征的第三代半導體，推動(dòng)IGBT器件在風(fēng)電、太陽(yáng)能發(fā)電、工業(yè)傳動(dòng)、通用高壓變頻器、電力市場(chǎng)等領(lǐng)域的應用。

《規劃綱要》提出，關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)清單，IGBT大功率器件領(lǐng)域：重點(diǎn)突破硅基IGBT技術(shù)瓶頸，重點(diǎn)發(fā)展8英寸汽車(chē)級 IGBT 變頻控制技術(shù)，推進(jìn)SiC、GaN等寬禁帶為主要特征的第三代半導體的研發(fā)；發(fā)展芯片制造設備、檢驗監測設備等關(guān)鍵設備，發(fā)展低壓IGBT芯片、新能源車(chē)用IGBT模塊等，發(fā)展精細溝槽柵IGBT和寬禁帶SiC半導體芯片和器件，重點(diǎn)發(fā)展8英寸汽車(chē)級IGBT電控系統基礎器件；發(fā)展芯片單晶硅材料、基板材料等基礎材料。

《吉林省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，建設集成光電子學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗室：主要研究高速及特殊應用光電子集成器件、硅基光子學(xué)及光子器件集成、光電器件物理及微納集成新工藝、微納光電子與光電集成芯片、光電集成新材料和新器件等領(lǐng)域。

《規劃綱要》提出，前沿領(lǐng)域科技攻關(guān)項目：極紫外光刻光學(xué)關(guān)鍵技術(shù)研究項目（研究極小像差反射式光學(xué)設計協(xié)同設計、精密光機結構、深亞納米光學(xué)加工與檢測以及極紫外多層膜技術(shù)，開(kāi)展六鏡極紫外光刻物鏡研發(fā)與驗證項目中元件面形檢測研究）和高功率高光束質(zhì)量激光芯片創(chuàng )新研究項目（完善高功率半導體激光器的材料－器件－系統－應用的全技術(shù)研究鏈條，突破高功率偏振穩定VCSEL芯片和高功率、小體積、高光束質(zhì)量中紅外激光技術(shù)等技術(shù)）。

《江蘇省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，全面增強芯片、關(guān)鍵材料、核心部件、工業(yè)軟件等中間品創(chuàng )新能力，帶動(dòng)內循環(huán)加快升級。聚焦重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)集群和標志性產(chǎn)業(yè)鏈，瞄準高端裝備制造、集成電路、生物醫****、人工智能、移動(dòng)通信、航空航天、軟件、新材料、新能源等重點(diǎn)領(lǐng)域，組織實(shí)施關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)工程，力爭形成一批具有自主知識產(chǎn)權的原創(chuàng )性標志性技術(shù)成果，加快改變關(guān)鍵核心技術(shù)受制于人的被動(dòng)局面。

南京市

2020年4月，南京市發(fā)布的《南京市數字經(jīng)濟發(fā)展三年行動(dòng)計劃（2020—2022年）》指出，重點(diǎn)攻關(guān)第三代半導體材料、功率半導體以及國產(chǎn)EDA工具，高水平建設國家集成電路設計服務(wù)產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新中心，重點(diǎn)發(fā)展面向工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域高端芯片設計、晶圓制造、專(zhuān)用前沿材料及設備。

2019年發(fā)布的《南京市打造集成電路產(chǎn)業(yè)地標行動(dòng)計劃》提出，力爭到2020年，南京全市擁有銷(xiāo)售收入超100億元的集成電路生產(chǎn)類(lèi)龍頭企業(yè)1-2家，產(chǎn)業(yè)人才整體規模達3萬(wàn)人以上，集成電路設計、制造、封測等關(guān)鍵環(huán)節核心技術(shù)達到國內領(lǐng)先水平，初步建成國內著(zhù)名的千億級集成電路產(chǎn)業(yè)基地。到2025年，集成電路產(chǎn)業(yè)綜合銷(xiāo)售收入力爭達1500億元，進(jìn)入國內第一方陣，實(shí)現“全省第一、全國第三、全球有影響力”的產(chǎn)業(yè)地標。

南京江北新區

《南京江北新區“十四五”發(fā)展規劃》提出，打造集成電路產(chǎn)業(yè)集群。

1、突破“卡脖子”關(guān)鍵核心技術(shù)。大力發(fā)展安全可控的高端芯片設計，支持創(chuàng )建國家集成電路設計服務(wù)產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新中心和國家集成電路設計自動(dòng)化技術(shù)創(chuàng )新中心，高水平建設中國EDA（電子設計自動(dòng)化）創(chuàng )新中心，加速?lài)a(chǎn)EDA工具和知識產(chǎn)權核商業(yè)化進(jìn)程。深耕智能汽車(chē)芯片、物聯(lián)網(wǎng)芯片、人工智能芯片、信息通訊芯片、光電芯片等重點(diǎn)領(lǐng)域，圍繞先進(jìn)晶圓制造及封測、前沿材料研制、高端設備制造等關(guān)鍵環(huán)節，加快突破三維堆疊封裝、晶圓級封裝、第三代半導體材料、功率半導體等核心技術(shù)。

2、構建具有根植性的產(chǎn)業(yè)生態(tài)網(wǎng)絡(luò )。大力培育產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”企業(yè)，招引具有核心競爭力的骨干企業(yè)，打造具有地標特色的集成電路產(chǎn)業(yè)集群。強化集成電路設計、軟件開(kāi)發(fā)、系統集成、內容與服務(wù)協(xié)同創(chuàng )新，打造涵蓋芯片、軟件、整機、系統、信息服務(wù)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。突出“應用牽引”“芯機聯(lián)動(dòng)”，拓展集成電路創(chuàng )新產(chǎn)品市場(chǎng)化應用，構筑整機帶動(dòng)芯片技術(shù)進(jìn)步、芯片支撐整機競爭力提升的生態(tài)閉環(huán)。放大產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)效應，加大人工智能、新一代通信、汽車(chē)半導體、智能制造、衛星導航等領(lǐng)域專(zhuān)用集成電路開(kāi)發(fā)力度，吸引帶動(dòng)上下游企業(yè)落戶(hù)。

3、打造全鏈條式產(chǎn)業(yè)服務(wù)體系。深化南京集成電路產(chǎn)業(yè)服務(wù)中心建設，加快人才資源、開(kāi)放創(chuàng )新、公共技術(shù)、產(chǎn)業(yè)促進(jìn)等特色服務(wù)平臺功能升級，完善EDA工具、測試與驗證、多項目晶圓、材料和器件分析、知識產(chǎn)權核庫等專(zhuān)業(yè)化公共服務(wù)平臺體系，打造全國集成電路公共服務(wù)平臺標桿。深化南京集成電路培訓基地建設，完善產(chǎn)學(xué)融合、學(xué)學(xué)協(xié)同、學(xué)科交叉的集成電路產(chǎn)業(yè)人才培養機制。持續辦好世界半導體大會(huì )、集成電路系列賽事等重大行業(yè)活動(dòng)，推動(dòng)重大活動(dòng)品牌化、市場(chǎng)化、平臺化發(fā)展。引導國內頂尖的專(zhuān)業(yè)咨詢(xún)和研究機構在新區開(kāi)展專(zhuān)業(yè)化服務(wù)。進(jìn)一步完善集成電路產(chǎn)業(yè)支持政策體系。

江寧開(kāi)發(fā)區

江寧開(kāi)發(fā)區正加快打造以第三代半導體為發(fā)展特色、以高端設計為未來(lái)發(fā)展方向的集成電路產(chǎn)業(yè)。

第三代半導體領(lǐng)域以龍頭企業(yè)中國電子科技集團第五十五研究所為引領(lǐng)，主要從事射頻電子、功率電子兩大板塊產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)；高端設計領(lǐng)域集聚了臺積電設計服務(wù)中心、鉅泉光電總部及MCU研發(fā)中心、航天龍夢(mèng)總部及國產(chǎn)芯片研發(fā)中心等重點(diǎn)項目；在重點(diǎn)科研平臺方面擁有毫米波及射頻電子國家重點(diǎn)實(shí)驗室、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗室、砷化鎵微波毫米波單片集成電路和多芯片模塊國家級重點(diǎn)實(shí)驗室等。

無(wú)錫市

2020年2月無(wú)錫發(fā)布《關(guān)于加快推進(jìn)數字經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展的實(shí)施意見(jiàn)》指出要鞏固數字經(jīng)濟關(guān)鍵優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)。提升集成電路產(chǎn)業(yè)能級。推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)、智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)、5G通信、高端功率器件等領(lǐng)域的芯片研發(fā)，做大做強設計主業(yè)，支持晶圓制造的擴產(chǎn)與技術(shù)改造，支持封裝測試業(yè)優(yōu)勢企業(yè)整合增效、技術(shù)升級。

《無(wú)錫市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，提升集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展水平，優(yōu)化無(wú)錫國家“芯火”雙創(chuàng )基地等載體平臺，推動(dòng)一批產(chǎn)業(yè)鏈重大項目建設，形成以新吳區制造設計、濱湖區設計、江陰市封裝測試、宜興市材料、錫山區裝備等集成電路產(chǎn)業(yè)鏈分工協(xié)作體系。高標準建設江蘇集成電路應用技術(shù)創(chuàng )新中心，著(zhù)重開(kāi)展設計、加工、制造、封裝、測試分析、新材料開(kāi)發(fā)等關(guān)鍵共性技術(shù)聯(lián)合攻關(guān)，打造微納加工與測試表征實(shí)驗室。重點(diǎn)突破高端通用芯片和專(zhuān)用芯片、基礎軟件和工業(yè)軟件、控制系統、核心材料等領(lǐng)域的“卡脖子”問(wèn)題，積極開(kāi)展6G技術(shù)預研，前瞻性部署石墨烯、區塊鏈、量子技術(shù)、深海極地、星際網(wǎng)絡(luò )、北斗、氫能及氫能源汽車(chē)、化合物半導體等未來(lái)前沿技術(shù)研發(fā)，支持企事業(yè)單位先行示范應用。

無(wú)錫高新區

《無(wú)錫高新區（新吳區）現代產(chǎn)業(yè)“十四五”發(fā)展規劃》指出，集成電路產(chǎn)業(yè)，無(wú)錫高新區將著(zhù)眼提升集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展水平，重點(diǎn)發(fā)展高端芯片設計、集成電路核心設備及關(guān)鍵零部件，支持發(fā)展芯片制造和封測業(yè)，高水平推進(jìn)國家集成電路特色工藝及封裝測試創(chuàng )新中心、無(wú)錫國家“芯火”雙創(chuàng )基地等重大平臺建設，加快打造世界級集成電路產(chǎn)業(yè)集群。

《發(fā)展規劃》指出，第三代半導體產(chǎn)業(yè)，無(wú)錫高新區將以市場(chǎng)應用為牽引，面向以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料應用領(lǐng)域，貫穿產(chǎn)業(yè)研究、標準檢測、新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、晶圓生產(chǎn)、封裝應用、襯底材料技術(shù)、裝備制造等全產(chǎn)業(yè)鏈，促進(jìn)技術(shù)研發(fā)應用，2025年產(chǎn)業(yè)規模突破50億元。

江陰市

《江陰市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，攻關(guān)集成電路產(chǎn)業(yè)集群。依托江陰集成電路設計創(chuàng )新中心，持續深化與中科院微電子研究所合作，強化集成電路設計、軟件開(kāi)發(fā)、封裝測試、系統集成的協(xié)同創(chuàng )新，加快核心芯片的設計、開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。依托長(cháng)電科技、長(cháng)電先進(jìn)、星科金朋等龍頭企業(yè)，打造全球領(lǐng)先的高端封裝測試基地。聚焦先進(jìn)材料和終端產(chǎn)品，縱深挖掘市場(chǎng)前景好、應用范圍廣的光刻膠、感光油墨等特色細分領(lǐng)域，全面融入長(cháng)三角集成電路產(chǎn)業(yè)鏈條。

宜興市

《江陰市省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)。推進(jìn)錫宜集成電路產(chǎn)業(yè)協(xié)同，聚焦集成電路材料和裝備，主攻集成電路硅片、電子氣體、光刻膠及配套試劑、先進(jìn)封裝材料等領(lǐng)域，引進(jìn)上下游配套企業(yè)，打造無(wú)錫集成電路產(chǎn)業(yè)重要基地。

2018年宜興市發(fā)布《集成電路材料產(chǎn)業(yè)規劃》，預計到2025年，宜興市集成電路材料產(chǎn)業(yè)將形成300億規模相關(guān)產(chǎn)業(yè)。

宜興市集成電路材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展將以集成電路硅片、化學(xué)機械拋光配套材料、高純化學(xué)試劑、電子氣體、光刻膠及配套試劑、掩膜版、化合物半導體材料及器件、先進(jìn)封裝材料為主。

蘇州市

《蘇州市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，打造半導體和集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。發(fā)展集成電路設計、特色集成電路制造，高端集成電路封測，關(guān)鍵設備和材料。

《規劃綱要》提出，發(fā)展車(chē)用芯片、安全芯片、網(wǎng)絡(luò )芯片、高端數模芯片、硅光芯片等集成電路設計、化合物半導體、MEMS智能傳感。

2021年1月，蘇州發(fā)布的《蘇州市推進(jìn)數字經(jīng)濟和數字化發(fā)展三年行動(dòng)計劃（2021—2023 年）》提出，集成電路產(chǎn)業(yè)要聚焦集成電路制造業(yè)，著(zhù)力布局 GaN、GaAs、MEMS 等特色工藝制造產(chǎn)線(xiàn)，穩固封測領(lǐng)域領(lǐng)先優(yōu)勢，加快芯片設計和產(chǎn)業(yè)化，做優(yōu)集成電路配套，補齊產(chǎn)業(yè)發(fā)展短板。針對5G產(chǎn)業(yè)，要圍繞芯片、射頻器件、光器件和光通信設備等優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)發(fā)力，培育龍頭企業(yè)，基本建立各細分領(lǐng)域相對完整的產(chǎn)業(yè)鏈集群。

昆山市

2017年發(fā)布的《昆山市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃(2017-2021)》提出昆山要打造國內封裝測試產(chǎn)業(yè)重鎮、面向應用的集成電路設計產(chǎn)業(yè)新高地、長(cháng)三角地區半導體設備研發(fā)中心，并建立二手半導體設備交易集散地，

目前昆山已初步形成了“設計-制造-封裝測試-材料及配套設備”的完整半導體產(chǎn)業(yè)鏈。

徐州市

《徐州市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，做特集成電路與ICT產(chǎn)業(yè)集群。主攻集成電路材料裝備、第三代半導

體材料器件、先進(jìn)封測等領(lǐng)域，形成“材料-裝備-設計-制造-封測”產(chǎn)業(yè)鏈，建設徐州經(jīng)開(kāi)區、邳州經(jīng)開(kāi)區半導體材料與裝備基地，打造全球領(lǐng)先的半導體大硅片制造基地和國內集成電路材料、裝備產(chǎn)業(yè)高地。

常州市

常州市的儲存電路布局主要位于武進(jìn)區。

武進(jìn)區

2021年2月發(fā)布的《武進(jìn)區集成電路產(chǎn)業(yè)鏈躍升發(fā)展實(shí)施方案（2021-2023）》提出，堅持以推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈躍升發(fā)展為主題，以化合物半導體為主要切入口，大力建設集研發(fā)、設計、制造、應用全流程的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，圍繞建鏈、補鏈、強鏈，加大龍頭企業(yè)培育和重大項目招引力度，著(zhù)力打造“濱湖高地 武進(jìn)芯谷”。加強產(chǎn)業(yè)頂層設計，聚焦砷化鎵等第二代化合物半導體以及碳化硅、氮化鎵等第三代化合物半導體細分產(chǎn)業(yè)發(fā)展，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，構建良好產(chǎn)業(yè)生態(tài)，加強基礎設施配套，實(shí)現產(chǎn)業(yè)良性有序發(fā)展，力爭用較短的時(shí)間搭建產(chǎn)業(yè)鏈框架，培育形成在全省乃至全國具有競爭力的化合物半導體特色優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)鏈。建立完善產(chǎn)業(yè)配套。打造集設計、制造、封裝于一體的地區產(chǎn)業(yè)鏈IDM模式，支持集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同發(fā)力，鼓勵集成電路產(chǎn)業(yè)和地區主導優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)協(xié)同合作，實(shí)現本地化配套和本地化應用，形成多產(chǎn)業(yè)鏈相互促進(jìn)的全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展態(tài)勢，實(shí)現超常規的跨越式發(fā)展模式。

《江西省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，加快推動(dòng)數字產(chǎn)業(yè)化。作為數字產(chǎn)業(yè)化的核心，集成電路產(chǎn)業(yè)要立足前端材料、后端市場(chǎng)等基礎，以移動(dòng)智能終端、可穿戴設備、半導體照明等應用芯片研發(fā)設計為切入點(diǎn)，做實(shí)產(chǎn)用對接，培育設計、制造、封裝、應用產(chǎn)業(yè)鏈，打造全國具有影響力的集成電路產(chǎn)業(yè)集群。

《推規劃綱要》提出“集成電路產(chǎn)業(yè)培育工程”，以南昌、吉安、贛州等地為重點(diǎn)，加快打造集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區。加大集成電路研發(fā)投入，精準引進(jìn)集成電路先進(jìn)工藝生產(chǎn)線(xiàn)及行業(yè)龍頭企業(yè)，提升本地芯片設計、封測等能力。

南昌市

南昌縣（小藍經(jīng)開(kāi)區）

2021年3月，南昌縣（小藍經(jīng)開(kāi)區）發(fā)布的《半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展三年行動(dòng)計劃（2021-2023）》提出，將以封裝測試快速切入、以化合物半導體形成突破、以器件模組生產(chǎn)帶動(dòng)增長(cháng)、以設備、材料、設計作為補充。力爭到2023年，南昌縣（小藍經(jīng)開(kāi)區）落戶(hù)半導體企業(yè)達50家（其中上市公司5家），形成“封測業(yè)支撐、制造業(yè)提升、設計業(yè)補充、材料裝備等配套產(chǎn)業(yè)基本健全”的完整半導體產(chǎn)業(yè)鏈，形成初具規模的產(chǎn)業(yè)集聚。

贛州市

2020年10月，的《關(guān)于新時(shí)代支持贛南等原中央蘇區新一輪產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》提出，做大做強電子信息產(chǎn)業(yè)，在京九（江西）電子信息產(chǎn)業(yè)帶建設規劃框架下，支持發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，培育引進(jìn)特種芯片和半導體材料等企業(yè)。

近年來(lái)，贛州市大力發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)，著(zhù)力建設對接融入粵港澳大灣區重要的電子信息產(chǎn)業(yè)集聚地，聚焦新型電子材料、新型顯示、芯片設計和封裝測試、汽車(chē)電子產(chǎn)業(yè)鏈條，加速延鏈補鏈強鏈。

《遼寧省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，做大做強集成電路產(chǎn)業(yè)。推動(dòng)集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，加快沈陽(yáng)集成電路裝備高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化基地、大連集成電路設計產(chǎn)業(yè)基地、朝陽(yáng)半導體新材料研發(fā)生產(chǎn)基地、盤(pán)錦光電產(chǎn)業(yè)基地、錦州電子信息產(chǎn)業(yè)園等建設。做強集成電路裝備及關(guān)鍵零部件等優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)，提高集成電路特色材料配套能力。圍繞嵌入式CPU、工業(yè)自動(dòng)化、汽車(chē)電子等領(lǐng)域，強化集成電路設計、軟件開(kāi)發(fā)、系統集成、內容與服務(wù)協(xié)同創(chuàng )新。

沈陽(yáng)市

《沈陽(yáng)市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，強做優(yōu)制造業(yè)，推進(jìn)IC裝備零部件產(chǎn)業(yè)基地、半導體薄膜設備產(chǎn)業(yè)化基地建設，建成國內領(lǐng)先的IC整機設備產(chǎn)業(yè)化基地和全球集成電路裝備零部件及系統配套集聚地。

支持IC裝備企業(yè)研發(fā)填補國內空白的產(chǎn)品，發(fā)展以涂膠顯影、薄膜沉積設備為核心的IC整機裝備。突破IC裝備關(guān)鍵技術(shù)工藝，推動(dòng)集成電路核心零部件表面處理效能提升,加快科技成果轉移轉化，加快推動(dòng)真空干泵等一批重大研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目建設。發(fā)揮IC裝備產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟優(yōu)勢，廣泛吸引上游零部件企業(yè)和研發(fā)機構落戶(hù)。

開(kāi)展集成電路控制系統、涂膠顯影設備、3D NAND和DRAM存儲器薄膜沉積設備等技術(shù)攻關(guān)。研制28nm集成電路前道單片式清洗設備和大行程連桿型真空機械手產(chǎn)品，突破苛刻工藝用DP系列真空干泵等關(guān)鍵技術(shù)和工藝，完善和發(fā)展“控制系統+重要整機裝備+關(guān)鍵單元部件+先進(jìn)材料”的IC產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新鏈。

關(guān)鍵核心技術(shù)：3D先進(jìn)存儲薄膜堆疊層關(guān)鍵技術(shù)、ALD High-k、Metal Gate等沉積工藝、集成電路10nm以下制程PE-ALD關(guān)鍵技術(shù)及設備研制、集成電路前道高產(chǎn)能深紫外光刻工藝勻膠顯影設備關(guān)鍵技術(shù)、65nm光刻工藝勻膠顯影設備研制、苛刻工藝用真空干泵關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)化。

大連市

《大連市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，重點(diǎn)依托高新區、金普新區，重點(diǎn)發(fā)展集成電路、新型元器件、人工智能等信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)。

《規劃綱要》提出建設集成電路產(chǎn)業(yè)鏈：構建以集成電路設計為龍頭，集成電路制造和封測為核心、關(guān)鍵設備和材料為支撐的具有大連特色的產(chǎn)業(yè)集群，成為國內技術(shù)水平先進(jìn)、產(chǎn)業(yè)特色明顯、配套功能齊全、人才資源豐富、帶動(dòng)作用較強的集成電路產(chǎn)業(yè)新高地。

《規劃綱要》強調集成電路產(chǎn)業(yè)“強芯”工程：打造以先進(jìn)非易失性存儲器為核心的集成電路制造基地。面向高端智能視覺(jué)芯片、工業(yè)控制芯片、傳感器芯片、信息安全芯片、汽車(chē)電子芯片等領(lǐng)域，引進(jìn)集成電路制造項目。

2020年《大連市促進(jìn)數字經(jīng)濟發(fā)展行動(dòng)方案》提出，做大做強集成電路產(chǎn)業(yè)，打造集成電路完整產(chǎn)業(yè)鏈。

金普新區

《金普新區促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展實(shí)施方案》提出，到2020年，推動(dòng)英特爾三期開(kāi)工建設，以英特爾為龍頭，大力發(fā)展集成電路芯片制造業(yè)；力爭再引進(jìn)一家新的集成電路芯片制造生產(chǎn)企業(yè)，使新區集成電路芯片制造業(yè)更開(kāi)放、更多元。到2023年，緊緊圍繞英特爾，爭取三期項目竣工投產(chǎn)和研發(fā)中心落地，全力引進(jìn)國內外各大封裝、測試項目落戶(hù)新區，推動(dòng)相關(guān)配套產(chǎn)業(yè)發(fā)展，實(shí)現金普新區芯片制造、封測一體化發(fā)展。到2028年，形成產(chǎn)業(yè)鏈完整、國內技術(shù)水平先進(jìn)、配套功能齊全、人才供給充足、產(chǎn)業(yè)發(fā)展均衡的集成電路產(chǎn)業(yè)集群。

（1）著(zhù)力發(fā)展集成電路設計產(chǎn)業(yè)。依托省級集成電路設計產(chǎn)業(yè)化基地的天然條件和良好基礎，逐步引導集成電路設計產(chǎn)業(yè)由高新園區向新區拓展。引進(jìn)和培育具有國內外競爭力的集成電路設計骨干企業(yè)，圍繞高端裝備、智能汽車(chē)、5G通信等重點(diǎn)領(lǐng)域應用市場(chǎng)需求，重點(diǎn)發(fā)展高端裝備關(guān)鍵芯片、汽車(chē)電子關(guān)鍵芯片、無(wú)線(xiàn)射頻通信芯片、模擬和功率集成電路芯片的設計產(chǎn)業(yè)。鼓勵推動(dòng)集成電路設計企業(yè)為本地智能裝備制造產(chǎn)業(yè)升級等方面提供配套，帶動(dòng)軟件、制造業(yè)、服務(wù)業(yè)協(xié)同發(fā)展。

（2）壯大集成電路制造產(chǎn)業(yè)規模。繼續發(fā)揮英特爾項目影響力，支持其技術(shù)升級和產(chǎn)能擴充，積極推動(dòng)其三期項目建設、竣工、投產(chǎn)；廣泛開(kāi)展國際交流合作，適時(shí)引進(jìn)和建設新的芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)，爭取引進(jìn)集成電路代工企業(yè)來(lái)新區建廠(chǎng)。多渠道吸引投資，布局建設8英寸及以下、模擬及數?；旌想娐?、微機電系統（MEMS）器件、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等特色工藝生產(chǎn)線(xiàn)，發(fā)展功率器件、射頻器件以及5G無(wú)線(xiàn)通信芯片等集成電路產(chǎn)品。增強芯片制造綜合能力，以工藝能力提升帶動(dòng)設計水平提升，以生產(chǎn)線(xiàn)建設帶動(dòng)關(guān)鍵裝備和材料配套發(fā)展。著(zhù)眼長(cháng)遠發(fā)展光通信器件、光照明器件產(chǎn)業(yè)，培育新的增長(cháng)點(diǎn)。

（3）重點(diǎn)培育集成電路封裝、測試產(chǎn)業(yè)。抓住英特爾非易失性存儲器大規模擴產(chǎn)的有利時(shí)機，通過(guò)英特爾公司和本地政策激勵方式，引進(jìn)建設一條為英特爾項目配套的封測生產(chǎn)線(xiàn)；在此基礎上，積極以國內外知名集成電路封裝、測試企業(yè)為招商重點(diǎn)，爭取在新區建設集成電路新型封裝技術(shù)生產(chǎn)線(xiàn)或功率器件等集成電路特色工藝產(chǎn)品封測生產(chǎn)線(xiàn)，重點(diǎn)發(fā)展晶圓級封裝、倒裝封裝、三維封裝、基板封裝等先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，填補集成電路產(chǎn)業(yè)鏈空白，推動(dòng)相關(guān)配套產(chǎn)業(yè)發(fā)展，實(shí)現新區芯片制造、封測一體化發(fā)展。

（4）逐步發(fā)展設備材料產(chǎn)業(yè)。結合裝備制造業(yè)轉型升級和發(fā)展智能制造等舉措，鼓勵和支持本地裝備制造業(yè)企業(yè)進(jìn)入半導體設備領(lǐng)域，重點(diǎn)發(fā)展可應用于本地集成電路制造企業(yè)的蝕刻機、清洗機、氣體純化設備、檢測儀器等半導體關(guān)鍵裝備；加快本地設備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等項目建設，有選擇的引進(jìn)國內外半導體設備廠(chǎng)商來(lái)新區發(fā)展。在集成電路關(guān)鍵材料領(lǐng)域，發(fā)揮新區在氣體材料方面的基礎和優(yōu)勢，支持科利德等企業(yè)發(fā)展，鞏固和擴大集成電路 專(zhuān)用氣體工業(yè)版圖。

《內蒙古自治區國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，加快發(fā)展新材料產(chǎn)業(yè)，適度在呼和浩特、包頭等地區布局多晶硅、單晶硅及配套延伸加工產(chǎn)業(yè)，鼓勵發(fā)展電子級晶硅，建設我國重要的光伏材料生產(chǎn)基地。發(fā)展高品質(zhì)藍寶石晶體及切片、LED藍寶石襯底等系列產(chǎn)品，擴大藍寶石在智能終端、航空航天、半導體等領(lǐng)域的應用。

《寧夏回族自治區國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，加快推動(dòng)數字產(chǎn)業(yè)化，打造西部電子信息產(chǎn)業(yè)高地。推動(dòng)電子信息產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展、推進(jìn)半導體材料、鋰離子電池、半導體照明等產(chǎn)業(yè)集成化、高端化發(fā)展，加快電子測量?jì)x器、電子專(zhuān)用儀表、電子監測儀器等產(chǎn)品研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

《青海省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，建設科技創(chuàng )新工程，研究推進(jìn)鹽湖資源綜合開(kāi)發(fā)利用、干熱巖綜合開(kāi)發(fā)利用、高原醫學(xué)、集成電路硅材料等實(shí)驗室和工程研究中心建設。

《山東省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，引進(jìn)行業(yè)龍頭企業(yè)，依托青島芯谷國家集成電路設計高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地、山東信通院集成電路設計公共服務(wù)平臺，推進(jìn)嵌入式CPU、存儲器、智能計算芯片等集成電路研發(fā)設計和產(chǎn)業(yè)化。

2021年5月，山東省工信廳草擬《山東省“十四五”工業(yè)和信息化發(fā)展規劃（征求意見(jiàn)稿）》，并公開(kāi)征求意見(jiàn)。《規劃》指出，山東將以重大技術(shù)突破和重****展需求為基礎，集中力量發(fā)展新一代信息技術(shù)、高端裝備、新材料等新興產(chǎn)業(yè)。

集成電路產(chǎn)業(yè)，山東將重點(diǎn)開(kāi)發(fā)電子設計自動(dòng)化工具（EDA）、高端存儲芯片、數字音視頻處理芯片、熱成像芯片、現場(chǎng)可編程門(mén)陣列芯片（FPGA）、信息安全和激光芯片等產(chǎn)品，支持光刻膠、大硅片、高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)應用，發(fā)展絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機電系統（MEMS）等特色工藝，加快實(shí)施 CPU 等核心器件的國產(chǎn)化適配替代。

山東集成電路產(chǎn)業(yè)城市布局：濟南重點(diǎn)圍繞高性能集成電路、功率器件、智能傳感器、第三代半導體等細分領(lǐng)域，完善材料、設計、制造、封測等產(chǎn)業(yè)環(huán)節，壯大產(chǎn)業(yè)規模。青島重點(diǎn)發(fā)展專(zhuān)用芯片設計、晶圓制造、系統級封裝等產(chǎn)業(yè)。煙臺重點(diǎn)發(fā)展鍵合絲、封裝基板、MEMS 傳感器、半導體化學(xué)材料、紅外探測器產(chǎn)品設計、特色半導體封測等產(chǎn)業(yè)。淄博重點(diǎn)發(fā)展 MEMS 傳感器、晶圓級封裝、引線(xiàn)框架材料、第三代半導體等產(chǎn)品。濰坊、威海、日照重點(diǎn)發(fā)展智能傳感器、功率半導體封測、光刻膠等產(chǎn)業(yè)。德州重點(diǎn)發(fā)展集成電路用硅片生產(chǎn)。濟寧重點(diǎn)發(fā)展半導體分立器件、功率器件及功能芯片、第三代半導體。濱州重點(diǎn)發(fā)展半導體分立器件生產(chǎn)和制造。棗莊重點(diǎn)發(fā)展硅基輻射探測器芯片產(chǎn)品、高端磁性材料產(chǎn)品等。

2021年7月發(fā)布的《山東省“十四五”數字強省建設規劃》強調大力發(fā)展關(guān)鍵基礎產(chǎn)業(yè)。

集成電路：壯大集成電路設計、封測能力，支持集成電路產(chǎn)業(yè)基地建設，培育形成一批具備國際競爭力的IC設計企業(yè)，突破大規模集成電路生產(chǎn)能力；鞏固擴大集成電路材料環(huán)節優(yōu)勢，強化集成電路用大尺寸硅片、金絲、硅鋁絲、封裝載帶等材料產(chǎn)業(yè)的國內優(yōu)勢地位；合理部署大規模集成電路制造能力，填補制造環(huán)節短板；加快布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)，打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)高地。具體有：建設濟南國家集成電路設計產(chǎn)業(yè)化基地、 “青島芯谷”集成電路產(chǎn)業(yè)基地，實(shí)施山東有研12英寸硅片制造、青島惠科6英寸半導體項目等一批重點(diǎn)制造項目；支持濟南等地布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群，推進(jìn)濟南天岳碳化硅襯底材料項目等項目建設。

基礎電子元器件：大力發(fā)展面向智能終端、5G、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、高端裝備等領(lǐng)域應用需求的核心基礎電子元器件產(chǎn)業(yè)，支持發(fā)展新型顯示器件、電路類(lèi)元器件產(chǎn)業(yè)化，積極布局傳感類(lèi)元器件和光電子器件，加強核心光電子芯片技術(shù)研發(fā)突破，打造自主領(lǐng)先光電子產(chǎn)業(yè)體系。具體包括：支持發(fā)展新型顯示器件，加快液晶面板、主動(dòng)矩陣有機發(fā)光二極管面板及其模組、背光源、超薄玻璃基板等關(guān)鍵材料和器件研發(fā)產(chǎn)業(yè)化；支持發(fā)展電路類(lèi)元器件，重點(diǎn)發(fā)展微型化、片式化阻容感元件，耐高溫、耐高壓、高可靠半導體分立器件及模塊；積極布局傳感類(lèi)元器件，重點(diǎn)發(fā)展小型化、低功耗、集成化、高靈敏度的敏感元件；大力發(fā)展光電子器件，突破高速高精度激光器芯片、探測器芯片、硅基集成相干芯片等核心光電子技術(shù)，打造自主領(lǐng)先光電子產(chǎn)業(yè)體系，支持海信寬帶等重點(diǎn)企業(yè)，推進(jìn)高速800G光模塊技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。

2018年10月山東發(fā)布《山東省新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項規劃（2018—2022年）》。

《專(zhuān)項規劃》強調提升集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平。按照“先兩頭（設計、封裝測試）、后中間（制造）”的發(fā)展思路，鞏固材料環(huán)節優(yōu)勢，壯大設計、封裝測試環(huán)節，全力突破制造環(huán)節，打造集成電路“強芯”工程，形成集成電路材料、設計、制造、封裝、應用的完整產(chǎn)業(yè)體系。面向物聯(lián)網(wǎng)、云計算、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、醫療電子、金融、智能交通等需求大的領(lǐng)域，推動(dòng)設計企業(yè)與整機企業(yè)開(kāi)展合作，重點(diǎn)開(kāi)發(fā)EDA（電子設計自動(dòng)化）工具、高端存儲芯片、數字音視頻處理芯片、熱成像芯片、FPGA（現場(chǎng)可編程門(mén)陣列）芯片、信息安全和激光芯片等產(chǎn)品。依托濟南、淄博等市產(chǎn)業(yè)基礎，建成國內重要的IC卡芯片和MEMS（微機電系統）傳感器封裝測試基地。建設基于BGA（焊球陣列封裝）技術(shù)的SIP（系統級封裝）生產(chǎn)線(xiàn)，擴大中高端產(chǎn)品占比。積極引進(jìn)高端集成電路制造企業(yè)，建設大規模集成電路晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，填補制造環(huán)節短板，盡快形成較為完善的產(chǎn)業(yè)鏈。推動(dòng)龍頭企業(yè)做大做強，進(jìn)一步強化集成電路用金絲、硅鋁絲、封裝載帶等配套材料產(chǎn)業(yè)的國內優(yōu)勢地位。支持濟南發(fā)展以碳化硅為代表的寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)，建設寬禁帶半導體小鎮，打造全球領(lǐng)先的寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)高地。

《專(zhuān)項規劃》提出打造集成電路產(chǎn)業(yè)集群。該集群將依托濟南、青島、淄博等城市，重點(diǎn)發(fā)展集成電路設計、晶圓制造、半導體硅片、IC卡芯片、視聽(tīng)芯片和智能傳感器封裝等領(lǐng)域，到2022年形成較完整的產(chǎn)業(yè)鏈，具備千億級發(fā)展潛力，具有全國一流競爭實(shí)力。

青島市

2019年發(fā)布的《數字青島發(fā)展規劃（2019-2022年）》提出，以先進(jìn)模擬集成電路和半導體功率器件、光通信芯片及模塊、MEMS傳感器為主要方向，構建具有青島特色的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向價(jià)值鏈高端發(fā)展。推動(dòng)嶗山區青島芯谷、即墨區青島（芯園）半導體產(chǎn)業(yè)基地、西海岸新區中德生態(tài)園集成電路產(chǎn)業(yè)基地等集成電路產(chǎn)業(yè)園區建設，構建集成電路產(chǎn)業(yè)研發(fā)設計、制造、封裝測試、終端產(chǎn)品生產(chǎn)和人才培養培訓“五位一體”產(chǎn)業(yè)體系，打造青島沿海集成電路產(chǎn)業(yè)帶。圍繞智能家電產(chǎn)業(yè)，推動(dòng)配件、專(zhuān)用設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，建設國家新型工業(yè)化產(chǎn)業(yè)示范基地，支持集成電路、新型顯示等產(chǎn)業(yè)與系統整機（終端）協(xié)同發(fā)展，補齊產(chǎn)業(yè)鏈核心基礎環(huán)節。

2020年5月，青島市發(fā)布《市屬企業(yè)加快布局“新基建”實(shí)現數字化智能化轉型升級三年行動(dòng)計劃（2020—2022年）》。

《行動(dòng)計劃》指出，以提升青島市數字產(chǎn)業(yè)競爭力為目標，發(fā)揮國有資本投資運營(yíng)公司平臺功能，通過(guò)股權投資、基金投資等方式，前瞻布局5G產(chǎn)業(yè)鏈和5G融合專(zhuān)網(wǎng)、集成電路、人工智能、大數據中心、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等數字經(jīng)濟基礎設施和核心產(chǎn)業(yè)。到2022年末，市屬企業(yè)在5G產(chǎn)業(yè)鏈、集成電路、人工智能等領(lǐng)域投資布局一批戰略性新興數字產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)項目，培育形成發(fā)展新動(dòng)能。

山西省以太原、忻州為核心，以碳化硅、氮化鎵第三代半導體等為重點(diǎn)，形成碳化硅、芯片設計、芯片制造等全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品體系，打造太原、忻州半導體產(chǎn)業(yè)集群。

《山西省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，加快半導體材料提質(zhì)升級。以山西轉型綜合改革示范區為主平臺建設研發(fā)創(chuàng )新策源地，打造一批半導體產(chǎn)業(yè)高端創(chuàng )新平臺基地，前瞻謀劃第四代半導體材料研發(fā)。圍繞半導體材料、芯片及器件、半導體裝備、光伏和LED等領(lǐng)域的前沿技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化技術(shù)集中攻關(guān)，優(yōu)化創(chuàng )新鏈布局。以高純度、大尺寸、高均勻性、高性能、低成本、多功能和集成化為方向，研發(fā)新型電子材料及替代進(jìn)口高端芯片等產(chǎn)品，做大做強砷化鎵、碳化硅等第二/三代半導體襯底材料—芯片—封裝—應用創(chuàng )新鏈條，積極建設國家半導體材料研發(fā)生產(chǎn)基地。

2021年6月，山西發(fā)布《山西省“十四五”新裝備規劃》，提出在電子裝備領(lǐng)域，山西將延伸發(fā)展半導體裝備及下游終端產(chǎn)品。發(fā)展紅藍寶石晶體生長(cháng)裝備、平板顯示導光板等半導體產(chǎn)品，重點(diǎn)發(fā)展砷化鎵第二代半導體、碳化硅與氮化鎵第三代半導體等產(chǎn)品生產(chǎn)及檢測裝備，提高半導體工藝及產(chǎn)品良品率。進(jìn)一步延伸發(fā)展智能終端、集成電路、新型顯示、智能傳感器等電子產(chǎn)品，實(shí)現電子信息裝備制造業(yè)智能化發(fā)展。積極引入上游裝備制造以及下游器件設計、封裝和應用企業(yè)，打造國際有影響力的第二代及三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)基地。

《陜西省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，實(shí)施“卡脖子”領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)工程，啟動(dòng)高端集成電路與先進(jìn)半導體器件專(zhuān)項。重點(diǎn)開(kāi)展12英寸大尺寸硅片和大尺寸微電子級直拉硅單晶、FPGA芯片、無(wú)線(xiàn)通信用的核心集成電路IP核和芯片、新型顯示用多光譜芯片、大容量存儲器設計及測試、功率器件和IGBT模塊封裝攻關(guān)，以及第三代半導體所需的化合物半導體（碳化硅、氮化鎵）設計與制造工藝研發(fā)。

提升集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展能級，突破前端材料制備及大尺寸晶圓設備產(chǎn)業(yè)化，持續擴大閃存芯片制造產(chǎn)業(yè)規模，提升功率器件高端化制造水平，爭取邏輯代工生產(chǎn)線(xiàn)落地，鞏固提升封裝測試競爭優(yōu)勢。圍繞高純度氫氟酸、光刻膠等集成電路生產(chǎn)耗材，引進(jìn)行業(yè)先進(jìn)企業(yè)，提高集成電路本地配套率。

西安市

2019年4月，《西安市光電芯片(集成電路)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃(2018—2021年)》發(fā)布，西安明確半導體產(chǎn)業(yè)的核心地位，優(yōu)先支持核心芯片設計業(yè)，推動(dòng)制造業(yè)升級。產(chǎn)業(yè)規模：到2021年，西安集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破1000億元（提前完成，2020年西安集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值高達1200億元）。

2019年10月，西安市集成電路產(chǎn)業(yè)集群列入第一批國家戰略性新興產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展工程。

2020年10月發(fā)布的《西安市現代產(chǎn)業(yè)布局規劃》指出，大力發(fā)展集成電路、光電芯片、新材料等電子信息產(chǎn)業(yè)。

集成電路：以三星存儲項目為引領(lǐng)，構建存儲芯片設計、制造、封裝、測試完整產(chǎn)業(yè)鏈，建設世界一流高端芯片產(chǎn)業(yè)基地，在下一代新型存儲器產(chǎn)業(yè)中保持世界領(lǐng)先水平。圍繞三星電子存儲芯片和封裝測試項目抓好配套跟進(jìn)，擴大美光、華天、力成等存儲芯片制造及封裝測試規模。依托西安克瑞斯、紫光國芯、西岳電子等企業(yè)，加快智能終端、網(wǎng)絡(luò )通信、存儲器、傳感器、物聯(lián)網(wǎng)、軍工等專(zhuān)用芯片的設計與產(chǎn)業(yè)化，持續提升西安集成電路設計規模和水平。

光電芯片：重點(diǎn)支持DFB/EML激光器、高折射率硅光集成芯片等光通信芯片發(fā)展，提升光通信芯片產(chǎn)業(yè)的聚集效應和規模效應，推進(jìn)產(chǎn)業(yè)優(yōu)化和升級。提前布局光子芯片，大力發(fā)展智能光子芯片領(lǐng)域的VCSEL芯片、激光雷達、3D識別技術(shù)等，帶動(dòng)生物醫療、量子信息、人工智能、安防檢測、無(wú)人駕駛相關(guān)領(lǐng)域發(fā)展，布局下一個(gè)產(chǎn)業(yè)的風(fēng)口。 

電子新材料：重點(diǎn)發(fā)展電子級硅材料、平板顯示材料、電子漿料、OLED高純有機材料和其他電子專(zhuān)用材料，形成液晶單體、液晶中間體等系列高端產(chǎn)品。重點(diǎn)突破碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代寬禁帶半導體用新型電子材料關(guān)鍵技術(shù)。加強納米材料技術(shù)研發(fā)，加快石墨烯低成本批量制備及純化技術(shù)和透明電極手機觸摸屏研發(fā)產(chǎn)業(yè)化。推進(jìn)液晶材料、濕電子化學(xué)品、電子特種氣體、封裝材料、有機發(fā)光材料等電子化學(xué)品的產(chǎn)業(yè)化。

2019年3月四川發(fā)布《集成電路與新型顯示產(chǎn)業(yè)培育方案》提出，將全力推動(dòng)全省“一芯一屏”重點(diǎn)突破和整體提升視作助推我省電子信息產(chǎn)業(yè)結構升級和發(fā)展轉型、支撐我省實(shí)現“中國制造”西部高地戰略的關(guān)鍵之舉。

《培育方案》明確，集成電路將從重點(diǎn)發(fā)展集成電路設計業(yè)、特色發(fā)展集成電路制造業(yè)、著(zhù)力發(fā)展集成電路封裝測試業(yè)、配套發(fā)展集成電路材料和設備業(yè)四個(gè)方向發(fā)力。“兩手抓”集成電路設計龍頭企業(yè)規?；l(fā)展，一方面繼續招大引強，加速吸引國內外2-3家全國前十的集成電路設計龍頭企業(yè)落戶(hù)；另一方面大力培育本土力量，積極引導和推動(dòng)省內企業(yè)兼并重組，形成5-10家競爭力強、國內前列的集成電路設計企業(yè)。

《四川省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，重點(diǎn)發(fā)展集成電路設計，提升人工智能、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、通信、超高清視頻、汽車(chē)電子等領(lǐng)域高端芯片設計競爭能力，發(fā)殿核心電子元器件和先進(jìn)材料，建設以先進(jìn)光刻光刻為核心的集成電路制造裝備集群。

四川相關(guān)部門(mén)編制了《四川省電子信息產(chǎn)業(yè)“十四五”高質(zhì)量發(fā)展路徑研究》《四川省“十四五”存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃》《四川省傳感器產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計劃(2021-2023年)》，制定了全省集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的政策措施。

成都市

《成都市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，打造世界集成電路重要基地。

目前，成都，這座西南重鎮也成為全國集成電路產(chǎn)業(yè)重要聚集區，基本形成了涵蓋集成電路設計、制造、封測、設備及材料等環(huán)節的完整產(chǎn)業(yè)鏈。發(fā)展主要集聚在高新區。

成都高新區

成都高新區“十四五”集成電路產(chǎn)業(yè)初步規劃，到2025年，全區設計業(yè)躋身國內第二方陣前列，超過(guò)杭州、西安；培育上市企業(yè)10家，實(shí)現營(yíng)收超10億設計企業(yè)零突破，爭取培育2家超10億元集成電路設計企業(yè)，打造國內領(lǐng)先集成電路設計高地和國家重要的集成電路產(chǎn)業(yè)基地。成都高新區占有成都集成電路產(chǎn)業(yè)規模的90%。

無(wú)。

石河子市

《石河子市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，硅基新材料重大工業(yè)項目，推進(jìn)年產(chǎn)1000噸半導體級晶硅原料、電子專(zhuān)用材料單晶襯底1500錠、50噸半導體單晶原料潔凈廠(chǎng)房及配電站、方芯硅用晶圓棒等項目建設。

云南利用當地豐富的礦產(chǎn)資源和水電資源，積極發(fā)展新材料產(chǎn)業(yè)。如6英寸砷化鎵單晶片、4英寸磷化銦單晶片以及電子級多晶硅。

2021年2月云南省發(fā)布《云南省貫徹落實(shí)新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的任務(wù)清單》。《任務(wù)清單》是為貫徹落實(shí)《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知》（國發(fā)〔2020〕8號）精神，進(jìn)一步優(yōu)化我省集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，深化產(chǎn)業(yè)國際合作，提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新能力和發(fā)展質(zhì)量。

2021年8月云南省工業(yè)和信息化廳就《云南省“十四五”信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規劃(征求意見(jiàn)稿)》公開(kāi)征求意見(jiàn)?！兑巹潯?/span>提出著(zhù)力打造“一核、一區、兩群、多點(diǎn)”的產(chǎn)業(yè)發(fā)展新格局,助推新發(fā)展階段全省信息產(chǎn)業(yè)實(shí)現高質(zhì)量發(fā)展。重點(diǎn)發(fā)展多晶硅、單晶硅棒硅片生產(chǎn),并逐漸從單一生產(chǎn)光伏硅產(chǎn)品向同時(shí)生產(chǎn)電子級硅產(chǎn)品發(fā)展，將半導體材料打造成為一個(gè)千億級別的產(chǎn)業(yè)集群。

《浙江省國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，聚焦集成電路等十大標志性產(chǎn)業(yè)鏈：突破第三代半導體芯片、專(zhuān)用設計軟件（EDA）、專(zhuān)用設備與材料等材料、前瞻布局毫米波芯片、太赫茲芯片、云端一體芯片，打造國內重要的集成電路產(chǎn)業(yè)基地。

2021年6月29日，浙江省發(fā)布的《浙江省數字經(jīng)濟發(fā)展“十四五”規劃的通知》提出要做強基礎產(chǎn)業(yè)。深入推進(jìn)產(chǎn)業(yè)基礎再造與產(chǎn)業(yè)鏈提升，提升數字安防、高端軟件、網(wǎng)絡(luò )通信、新型電子材料及元器件等產(chǎn)業(yè)競爭力，做大集成電路、智能計算、新型顯示、智能光伏等產(chǎn)業(yè)，加快培育自主可控產(chǎn)業(yè)生態(tài)及信息技術(shù)應用創(chuàng )新產(chǎn)業(yè)。打造數字安防、高端軟件、集成電路、網(wǎng)絡(luò )通信、智能計算等5個(gè)千億級標志性產(chǎn)業(yè)鏈和產(chǎn)業(yè)集群。

集成電路作為基礎產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)方面，《規劃》提出要增強芯片設計能力，加快第三代半導體技術(shù)突破，開(kāi)發(fā)5G、汽車(chē)、數字安防、智能家居等專(zhuān)用芯片和邊緣計算、存儲器、處理器等通用芯片。發(fā)展模擬及數?；旌闲酒a(chǎn)制造、高端封裝測試、關(guān)鍵材料和核心設備。支持技術(shù)先進(jìn)的IDM布局，推動(dòng)12英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)、6英寸以上化合物芯片生產(chǎn)線(xiàn)等建設。

《規劃》提出布局未來(lái)產(chǎn)業(yè)。積極發(fā)展量子通信，謀劃發(fā)展量子精密傳感測量、量子計算、量子芯片等產(chǎn)業(yè)。攻關(guān)類(lèi)腦計算，加快類(lèi)腦計算芯片、計算機和機器人產(chǎn)業(yè)化。發(fā)展柔性傳感器、柔性射頻電子標簽、柔性顯示器件、柔性電池等產(chǎn)業(yè)。加快下一代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò )技術(shù)和標準研制。

2021年7月2日，浙江省人民政府發(fā)布《浙江省全球先進(jìn)制造業(yè)基地建設“十四五”規劃》（浙政發(fā)〔2021〕20號）。

《建設規劃》提出重點(diǎn)發(fā)展新興產(chǎn)業(yè)、新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)，聚焦數字安防、集成電路、網(wǎng)絡(luò )通信、智能計算標志性產(chǎn)業(yè)鏈，打造國家重要的集成電路產(chǎn)業(yè)基地。

《建設規劃》提出新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)。聚焦數字安防、集成電路、網(wǎng)絡(luò )通信、智能計算標志性產(chǎn)業(yè)鏈，大力發(fā)展智能安防終端、系統集成和行業(yè)服務(wù)平臺，構建“云網(wǎng)端”一體化產(chǎn)業(yè)生態(tài)；構建較為完善的“芯片-軟件-整機-系統-信息服務(wù)”產(chǎn)業(yè)鏈；鞏固路由交換設備、網(wǎng)絡(luò )通信器件、光纖光纜、通信終端等優(yōu)勢，補鏈發(fā)展射頻器件及材料、5G設備和模塊；做強存儲器、數據庫、服務(wù)器、中間件等關(guān)鍵產(chǎn)品。培育發(fā)展智能光電、網(wǎng)絡(luò )安全、超高清視頻顯示等新興產(chǎn)業(yè)。加快發(fā)展軟件與信息服務(wù)、物聯(lián)網(wǎng)系統與應用等產(chǎn)業(yè)。打造國家重要的集成電路產(chǎn)業(yè)基地、全球數字安防產(chǎn)業(yè)中心、信息技術(shù)自主創(chuàng )新基地。

浙江省出臺的《浙江省實(shí)施制造業(yè)產(chǎn)業(yè)基礎再造和產(chǎn)業(yè)鏈提升工程行動(dòng)方案（2020-2025年）》指出，到2025年，浙江省十大標志性產(chǎn)業(yè)鏈之一的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，要突破第三代半導體芯片、專(zhuān)用設計軟件（電子設計自動(dòng)化工具等）、專(zhuān)用設備與材料等技術(shù)，前瞻布局毫米波芯片、太赫茲芯片、云端一體芯片，打造國內重要的集成電路產(chǎn)業(yè)基地。形成以杭州、寧波、紹興為核心，湖州、嘉興、金華、衢州等地協(xié)同發(fā)展的產(chǎn)業(yè)布局。

杭州市

《杭州市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出打造包括集成電路在內的九大標志性產(chǎn)業(yè)鏈。

集成電路方面要推進(jìn)芯片、軟件、智能終端協(xié)調聯(lián)動(dòng)，重點(diǎn)布局高端射頻芯片、RISC-V開(kāi)源平臺、新一代光電芯片、人工智能及視覺(jué)處理芯片、信息安全類(lèi)芯片、類(lèi)腦計算芯片、存儲器芯片和第三代半導體等領(lǐng)域，大力發(fā)展微機電系統(MEMS)技術(shù)和產(chǎn)品，推動(dòng)電子設計自動(dòng)化（EDA）軟件、半導體核心設備和關(guān)鍵材料的自主攻關(guān)。到2025年，產(chǎn)值達到800億元。

寧波市

《寧波市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出全力打造特色工藝集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。重點(diǎn)發(fā)展離子注入機、涂膠顯影設備、鍵合機等制造設備和硅片、高純靶材、掩膜版、光刻膠等關(guān)鍵材料，加快發(fā)展光通信芯片、時(shí)鐘芯片等功率器件，提升信號鏈產(chǎn)品及電源管理類(lèi)產(chǎn)品等模擬芯片工藝和技術(shù)。

2021年7月27日，寧波市發(fā)布《寧波市新材料產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展規劃（2021-2025）》。

《發(fā)展規劃》在做大做強五大領(lǐng)域方面，電子信息材料發(fā)展重點(diǎn)：

（1）發(fā)展集成電路用大尺寸硅片及外延片，氮化鎵、碳化硅、氧化鋅等寬禁帶第三代半導體材料，引線(xiàn)框架，鍵合銅絲、掩膜版等輔助材料，CMP拋光材料、DUV/EUV級光刻膠、電子特種氣體、超高純化學(xué)試劑、蝕刻液等電子化學(xué)品。

（2）發(fā)展超高純鈦、鋁、鉭、銅等金屬濺射靶材，保障大規模集成電路、半導體芯片、液晶顯示、太陽(yáng)能板等領(lǐng)域需要。

（3）發(fā)展平板顯示TFT液晶顯示材料、OLED發(fā)光材料、TFT-LCD用偏光片材料，形成系列化產(chǎn)品。

（4）發(fā)展LCP樹(shù)脂、特種環(huán)氧樹(shù)脂、PTFE樹(shù)脂、熱固性聚苯醚樹(shù)脂、導電涂料、導電導熱膠等原材料。

（5）培育發(fā)展氧化鎵、金剛石、氮化鋁超寬禁帶第四代半導體材料，銻化銦、銻化鎵等超窄禁帶半導體材料。

空間布局：支持浙江余姚經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區、寧波經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區，打造電子信息材料產(chǎn)業(yè)集群。

寧波將大力培育包括集成電路在內的戰略性新興產(chǎn)業(yè)，努力打造具有國際競爭力的特色工藝集成電路產(chǎn)業(yè)基地，推動(dòng)第三代半導體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)規模進(jìn)入全國第一梯隊。

寧波杭州灣新區

2020年發(fā)布的《寧波杭州灣新區集成電路產(chǎn)業(yè)規劃》提出，新區集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展定位為國內領(lǐng)先的功率半導體制造基地、集成電路先進(jìn)封裝測試產(chǎn)業(yè)高地、寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)集中區、設備及零部件和材料生產(chǎn)物流中心、集成電路應用中心、高端汽車(chē)電子芯片示范中心等六大中心，并力爭未來(lái)五年，新區集成電路企業(yè)超60家，集成電路關(guān)聯(lián)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達300億元，從業(yè)人數集聚8000人，最終帶動(dòng)新區數字經(jīng)濟相關(guān)產(chǎn)業(yè)規模超過(guò)1000億元.

紹興市

2019年1月發(fā)布的《紹興市數字經(jīng)濟五年倍增計劃》提出，造大灣區集成電路“芯”高地。以打造集成電路“萬(wàn)畝千億”級新產(chǎn)業(yè)平臺為目標，將集成電路產(chǎn)業(yè)作為發(fā)展數字經(jīng)濟核心產(chǎn)業(yè)的突破口，聚焦集成電路設計—制造—封裝—測試—設備及應用的全產(chǎn)業(yè)鏈，加快補鏈建鏈，致力謀規劃、引項目、育企業(yè)、優(yōu)生態(tài)，爭取在重點(diǎn)領(lǐng)域取得實(shí)質(zhì)性突破，在關(guān)鍵環(huán)節實(shí)現精準趕超。

（1）實(shí)施集成電路制造躍升工程。以增強芯片制造綜合能力為目標，依托中芯國際MEMS（微機電系統）生產(chǎn)線(xiàn)，拓展MEMS領(lǐng)域封裝測試及模組制造，形成MEMS傳感器領(lǐng)域較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈條，向工業(yè)控制、汽車(chē)電子領(lǐng)域提升，基本建成國內微機電和功率集成系統制造中心。鼓勵集成電路優(yōu)勢企業(yè)升級建設集成電路先進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)，提升生產(chǎn)制造技術(shù)水平、擴大企業(yè)規模、壯大企業(yè)實(shí)力。到2022年，集成電路制造業(yè)產(chǎn)值突破200億元。

（2）實(shí)施集成電路設計提升工程。依托長(cháng)三角地區應用市場(chǎng)，著(zhù)力引進(jìn)移動(dòng)通信、物聯(lián)網(wǎng)、高端裝備、人工智能等智能控制芯片設計企業(yè)，鼓勵現有集成電路設計企業(yè)圍繞戰略性新興產(chǎn)業(yè)和重點(diǎn)領(lǐng)域的應用需求，開(kāi)發(fā)量大面廣的移動(dòng)智能終端芯片、數字電視芯片、網(wǎng)絡(luò )通信芯片、智能穿戴設備芯片及操作系統，支持集成電路企業(yè)以與高校研究院所合作共建研究中心的模式，扎實(shí)推進(jìn)紹興集成電路“萬(wàn)畝千億”級平臺創(chuàng )新綜合體項目建設，著(zhù)力構建“方案—芯片—模組—整機”的產(chǎn)業(yè)整合生態(tài)體系，打造面向智能應用的集成電路設計產(chǎn)業(yè)高地。到2022年，集成電路設計產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達到100億元。

（3）實(shí)施集成電路封裝測試完善工程。以集成電路先進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)建設為引領(lǐng)，以韋爾股份、豪威科技等重大項目為依托，重點(diǎn)聚焦晶圓級封裝等先進(jìn)技術(shù)，建立國內領(lǐng)先的先進(jìn)封測生產(chǎn)線(xiàn)和封裝技術(shù)研發(fā)中心。招引和集聚一批封裝、測試企業(yè)，加快推進(jìn)芯片測試、封裝等生產(chǎn)線(xiàn)建設。鞏固擴大現有集成電路芯片封裝、測試產(chǎn)業(yè)基礎優(yōu)勢，支持龍頭骨干企業(yè)開(kāi)展兼并重組，形成集成電路封裝測試產(chǎn)業(yè)區域性?xún)?yōu)勢。到2022年，集成電路封裝測試產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達到50億元。

（4）實(shí)施集成電路應用推廣工程。加快鴻吉智能、北斗導航等企業(yè)的建設推進(jìn)，做實(shí)做強北斗高精度導航產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)基地、北斗導航大數據處理中心和位置信息服務(wù)平臺，建成浙江北斗產(chǎn)業(yè)科技公司孵化基地，打造中國東部北斗技術(shù)應用推廣中心。鼓勵集成電路裝備企業(yè)與制造企業(yè)開(kāi)展協(xié)作，加快集成電路專(zhuān)用設備、8英寸/12英寸硅片等集成電路配套材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，增強產(chǎn)業(yè)配套能力。到2022年，集成電路應用領(lǐng)域產(chǎn)值達到150億元。

《紹興市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，加速壯大集成電路產(chǎn)業(yè)，打造國家集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新中心、長(cháng)三角集成電路制造基地。

近年來(lái)，紹興市把集成電路產(chǎn)業(yè)列入新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)打造，加快培育形成了芯片設計、晶圓制造、封裝測試、材料設備等較為完整的特色工藝產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現了集成電路制造與材料特色化發(fā)展。2020年，紹興市123家集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)實(shí)現產(chǎn)值304億元，同比增長(cháng)25%，并目標到2025年實(shí)現總產(chǎn)值逾1000億元。

2019年5月，《長(cháng)江三角洲區域一體化發(fā)展規劃綱要》正式出臺，建設“紹興集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新中心”首次被寫(xiě)入國家戰略。

紹興濱海新區

2020年11月發(fā)布的《紹興濱海新區發(fā)展規劃》提出，做大集成電路。聚焦創(chuàng )新設計–制造–封測–裝備和材料–存儲和應用產(chǎn)業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈，以制造封測園、存儲應用園、創(chuàng )新設計園三大園區建設為重點(diǎn)，以標志性項目引進(jìn)、領(lǐng)軍型企業(yè)培育、創(chuàng )新資源要素集聚、體制機制改革為突破口，以“一園一院一基金”模式構建集產(chǎn)業(yè)鏈、創(chuàng )新鏈、人才鏈、服務(wù)鏈、資金鏈于一體的高端集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)，高標準建設集成電路省級“萬(wàn)畝千億”產(chǎn)業(yè)平臺，建設成為長(cháng)三角集成電路產(chǎn)業(yè)新高地、國家集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新中心、集成電路國家及省級實(shí)驗室。

紹興濱海新區的集成電路“萬(wàn)畝千億”產(chǎn)業(yè)平臺，已布局招引了70余個(gè)產(chǎn)業(yè)項目，項目總投資超過(guò)3000億元，擁有豪威科技項目、中芯紹興項目、長(cháng)電科技（600584）項目等頭部項目。

2019年4月，“紹興集成電路產(chǎn)業(yè)平臺”入選首批省級“萬(wàn)畝千億”新產(chǎn)業(yè)平臺?！叭f(wàn)畝千億”產(chǎn)業(yè)平臺已布局招引了70余個(gè)產(chǎn)業(yè)項目，總投資超過(guò)3000億元。聚集了豪威科技項目、中芯紹興項目、長(cháng)電科技項目等頭部項目的紹興濱海新區，正在打造國內知名的集成電路產(chǎn)業(yè)集群和產(chǎn)城融合發(fā)展引領(lǐng)高地，推動(dòng)著(zhù)一輪全新的轉型。

嘉興市

《嘉興市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，重點(diǎn)發(fā)展氮化鎵、碳化硅等第三代半導體材料，各類(lèi)微機電系統（MEMS）傳感器、半導體芯片等，集成電路材料、集成電路專(zhuān)用裝備與制造等，推動(dòng)構建設計、制造、封裝、測試全產(chǎn)業(yè)鏈，重點(diǎn)布局南湖、嘉善、海寧等半導體產(chǎn)業(yè)基地。

金華市

《金華市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，加快推進(jìn)數字產(chǎn)業(yè)化。培育信息光電、光學(xué)膜、化合物半導體等特色電子信息制造業(yè)，重點(diǎn)布局整機生產(chǎn)制造、芯片封裝測試等集成電路（芯片）產(chǎn)業(yè)。

衢州市

《衢州市國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十四個(gè)五年規劃和二〇三五年遠景目標綱要》提出，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈提升工程。突破新一代信息技術(shù)、先進(jìn)半導體芯片與材料、特種氣體等關(guān)鍵技術(shù)，完善集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈，做大做強省級集成電路材料產(chǎn)業(yè)基地，打造全國具有重要影響力的集成電路產(chǎn)業(yè)集群。提升發(fā)展電子信息制造業(yè)，大力發(fā)展高端電子材料、高端存儲半導體等數字經(jīng)濟核心制造業(yè)。