「必看干貨」淺談GD32與STM32之間的區別
發(fā)布人：智能物聯(lián)研習社
時(shí)間：2021-09-26
來(lái)源：工程師
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一.硬件設計
以我們常用的STM32與gd32單片機為例，做一下對比。
比較GD32E230C8（M0），GD32F103C8（M3），GD32F303CG（M4），STM32F103C8（M3），STM32F303C8T6（M4）硬件管腳的區別。
從上圖中可以看出：
GD32E230C8（M0）與STM32G030C8（M0）管腳不兼容；
GD32F103C8（M3）與STM32F103C8（M3）管腳兼容；
GD32F303CG（M4）與STM32F303C8T6（M4）管腳兼容。
GD32E230C8（M0），GD32F103C8（M3）,GD32F303CG（M4）有兩個(gè)引腳（35腳和36腳）硬件電氣不兼容，可以加電阻，用于切換，實(shí)現PCB板兼容。
下表是GD32E230C8單片機35和36管腳定義：
下表是GD32F103C8（M3）單片機35和36管腳定義：
*可以看出這兩個(gè)管腳不兼容，若想實(shí)現PCB管腳兼容，可以加電阻。
下圖是GD32E230C8單片機原理圖：
從上圖可以看出，在35和36腳加了3個(gè)電阻，2個(gè)上拉電阻和1個(gè)下拉電阻。
當使用GD32E230C8T6單片機時(shí)，35腳和36腳默認是普通IO口，可以按照上圖所示連接電阻。
當使用GD32F103C8單片機時(shí)，35腳和36腳是電源口，此時(shí)可以把R6換成0歐姆的電阻，R7不焊接，R8焊接0歐姆的電阻。
二.設計中的不同點(diǎn)
1.工作電壓不同：STM32的工作電壓在2.0~ 3.6V或1.65~3.6V，GD32F的工作電壓在 2.6~3.6V，工作范圍相對要窄。
電壓范圍不同： GD32F： 2.6-3.6V STM32F： 2.0-3.6V（外部電壓） GD32F： 1.2V（內核電壓）STM32F： 1.8V（內核電壓）
GD32的內核電壓比STM32的內核電壓要低，所以GD32的芯片在運行的時(shí)候運行功耗更低。
2.GD32F303/F103主頻比STM32F103主頻要高，GD32F10 系列主頻： 108MHZ ， STM32F10 系列主頻 ：72MHZ 。
3.啟動(dòng)時(shí)間：GD32 啟動(dòng)時(shí)間相同，由于 GD32 運行稍快，需要延長(cháng)上電時(shí)間 ，配置(2ms) 。
4.GD32提高了相同工作頻率下的代碼執行速度，所以GD32的_NOP()時(shí)間比STM32更加短，所以不使用定時(shí)器做延時(shí)時(shí)要注意修改。
5.GD32的flash擦除時(shí)間要比STM32更長(cháng)。
Flash 擦除時(shí)間： GD32 是 60ms/page，STM32 30ms/page
6.功耗上GD32的靜態(tài)功耗要相對高一點(diǎn)
功耗區別(以128k以下容量的作為參考)
a： 睡眠模式 Sleep：GD32F： 12.4mA STM32F10X： 7.5mA
b：深度睡眠模式 Deep Sleep： GD32F： 1.4mA STM32F10X： 24uA
c：待機模式 Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA
d：運行功耗： GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M
7.GD32的BOOT0必須接10K下拉或接GND，ST可懸空。
BOOT0 管腳： Flash 程序運行時(shí)，BOOT0 在 STM32 上可懸空，GD32 必須外部下拉（從 Flash 運行，BOOT0 必須下拉地）。
8.RC復位電路必須要有，否則MCU可能不能正常工作，STM32有時(shí)候可以不要。
9.GD32的SWD接口驅動(dòng)能力比STM32弱，可以有如下幾種方式解決：
a：線(xiàn)盡可能短一些；
b：降低SWD通訊速率；
c: SWDIO接10k上拉，SWCLK接10k下拉。
10.GD32對時(shí)序要求嚴格，配置外設需要先打開(kāi)時(shí)鐘，否則可能導致外設無(wú)法配置成功；STM32的可以先配置再開(kāi)時(shí)鐘。
11.修改外部晶振起振超時(shí)時(shí)間，不用外部晶振可跳過(guò)這步。
原因：GD32與STM32的啟動(dòng)時(shí)間存在差異，為了讓GD32 MCU更準確復位（不修改可能無(wú)法復位）。
12.串口通信不同點(diǎn)： GD32在連續發(fā)送數據的時(shí)候每?jì)蓚€(gè)字節之間會(huì )有一個(gè)Bit的Idle，而STM32沒(méi)有。
GD32的串口在發(fā)送的時(shí)候停止位只有1/2兩種停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。
13.ADC不同點(diǎn)： GD32的輸入阻抗和采樣時(shí)間的設置和STM32有一定差異，相同配置GD32采樣的輸入阻抗相對來(lái)說(shuō)要小。
14.FSMC不同點(diǎn)： STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
理論不及實(shí)踐，推薦一個(gè)平臺，大家可以DIY智能硬件
一.硬件設計
以我們常用的STM32與gd32單片機為例，做一下對比。
比較GD32E230C8（M0），GD32F103C8（M3），GD32F303CG（M4），STM32F103C8（M3），STM32F303C8T6（M4）硬件管腳的區別。
從上圖中可以看出：
GD32E230C8（M0）與STM32G030C8（M0）管腳不兼容；
GD32F103C8（M3）與STM32F103C8（M3）管腳兼容；
GD32F303CG（M4）與STM32F303C8T6（M4）管腳兼容。
GD32E230C8（M0），GD32F103C8（M3）,GD32F303CG（M4）有兩個(gè)引腳（35腳和36腳）硬件電氣不兼容，可以加電阻，用于切換，實(shí)現PCB板兼容。
下表是GD32E230C8單片機35和36管腳定義：
下表是GD32F103C8（M3）單片機35和36管腳定義：
*可以看出這兩個(gè)管腳不兼容，若想實(shí)現PCB管腳兼容，可以加電阻。
下圖是GD32E230C8單片機原理圖：
從上圖可以看出，在35和36腳加了3個(gè)電阻，2個(gè)上拉電阻和1個(gè)下拉電阻。
當使用GD32E230C8T6單片機時(shí)，35腳和36腳默認是普通IO口，可以按照上圖所示連接電阻。
當使用GD32F103C8單片機時(shí)，35腳和36腳是電源口，此時(shí)可以把R6換成0歐姆的電阻，R7不焊接，R8焊接0歐姆的電阻。
二.設計中的不同點(diǎn)
1.工作電壓不同：STM32的工作電壓在2.0~ 3.6V或1.65~3.6V，GD32F的工作電壓在 2.6~3.6V，工作范圍相對要窄。
電壓范圍不同： GD32F： 2.6-3.6V STM32F： 2.0-3.6V（外部電壓） GD32F： 1.2V（內核電壓）STM32F： 1.8V（內核電壓）
GD32的內核電壓比STM32的內核電壓要低，所以GD32的芯片在運行的時(shí)候運行功耗更低。
2.GD32F303/F103主頻比STM32F103主頻要高，GD32F10 系列主頻： 108MHZ ， STM32F10 系列主頻 ：72MHZ 。
3.啟動(dòng)時(shí)間：GD32 啟動(dòng)時(shí)間相同，由于 GD32 運行稍快，需要延長(cháng)上電時(shí)間 ，配置(2ms) 。
4.GD32提高了相同工作頻率下的代碼執行速度，所以GD32的_NOP()時(shí)間比STM32更加短，所以不使用定時(shí)器做延時(shí)時(shí)要注意修改。
5.GD32的flash擦除時(shí)間要比STM32更長(cháng)。
Flash 擦除時(shí)間： GD32 是 60ms/page，STM32 30ms/page
6.功耗上GD32的靜態(tài)功耗要相對高一點(diǎn)
功耗區別(以128k以下容量的作為參考)
a： 睡眠模式 Sleep：GD32F： 12.4mA STM32F10X： 7.5mA
b：深度睡眠模式 Deep Sleep： GD32F： 1.4mA STM32F10X： 24uA
c：待機模式 Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA
d：運行功耗： GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M
7.GD32的BOOT0必須接10K下拉或接GND，ST可懸空。
BOOT0 管腳： Flash 程序運行時(shí)，BOOT0 在 STM32 上可懸空，GD32 必須外部下拉（從 Flash 運行，BOOT0 必須下拉地）。
8.RC復位電路必須要有，否則MCU可能不能正常工作，STM32有時(shí)候可以不要。
9.GD32的SWD接口驅動(dòng)能力比STM32弱，可以有如下幾種方式解決：
a：線(xiàn)盡可能短一些；
b：降低SWD通訊速率；
c: SWDIO接10k上拉，SWCLK接10k下拉。
10.GD32對時(shí)序要求嚴格，配置外設需要先打開(kāi)時(shí)鐘，否則可能導致外設無(wú)法配置成功；STM32的可以先配置再開(kāi)時(shí)鐘。
11.修改外部晶振起振超時(shí)時(shí)間，不用外部晶振可跳過(guò)這步。
原因：GD32與STM32的啟動(dòng)時(shí)間存在差異，為了讓GD32 MCU更準確復位（不修改可能無(wú)法復位）。
12.串口通信不同點(diǎn)： GD32在連續發(fā)送數據的時(shí)候每?jì)蓚€(gè)字節之間會(huì )有一個(gè)Bit的Idle，而STM32沒(méi)有。
GD32的串口在發(fā)送的時(shí)候停止位只有1/2兩種停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。
13.ADC不同點(diǎn)： GD32的輸入阻抗和采樣時(shí)間的設置和STM32有一定差異，相同配置GD32采樣的輸入阻抗相對來(lái)說(shuō)要小。
14.FSMC不同點(diǎn)： STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
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