企業(yè) | 華為公開(kāi)IGBT相關(guān)專(zhuān)利！為發(fā)展第三代半導體和IGBT，華為做了什么？

日前，據天眼查消息顯示，華為技術(shù)有限公司公開(kāi)“半導體器件及相關(guān)模塊、電路、制備方法”專(zhuān)利，公開(kāi)號CN113054010A，申請日期為2021年2月。

專(zhuān)利摘要顯示，該器件包括：N型漂移層、P型基極層、N型****極層、柵極、場(chǎng)截止層和P型集電極層等。上述半導體器件，可以有效降低IGBT的集電極與****極之間的漏電流。

行業(yè)的發(fā)展往往依附于需求，近年來(lái)，IGBT市場(chǎng)需求大幅上漲，國內IGBT廠(chǎng)商隨之加速增長(cháng)，部分下游應用廠(chǎng)商也向上游 IGBT 領(lǐng)域布局，華為也投身此浪潮。除IGBT，華為還持續布局第三代半導體。

自2019年起，業(yè)內就傳言華為開(kāi)始著(zhù)手研發(fā)IGBT。

2020年7月，華為旗下投資平臺哈勃，投資入股了一家IGBT廠(chǎng)商——東微半導體。據介紹，東微半導體主要產(chǎn)品為MOSFET、IGBT等高性能功率器件，主要滿(mǎn)足各種電能轉換系統的應用，包括快速充電器、充電樁、開(kāi)關(guān)電源、直流電機驅動(dòng)、光伏逆變器等。

今年3月，更是有知情人士透露，華為正在為公司的功率器件研發(fā)大肆招兵買(mǎi)馬，其中包括IGBT、MOSFET、SiC、GaN等主流的功率器件，隊伍已有數百人之多。

而第三代半導體，既是十四五重點(diǎn)，也是兩會(huì )關(guān)鍵詞之一。隨著(zhù)“碳中和”、“新基建”的提出，第三代半導體需求高漲，站上風(fēng)口。

SiC方面，華為哈勃成立至今，已投資了8家第三代半導體相關(guān)企業(yè)，其中SiC企業(yè)就有4家，設計外延和襯底領(lǐng)域，足見(jiàn)華為對SiC的重視和看好。

GaN方面，早在幾年前，華為就已經(jīng)在其4GLTE****中采用了氮化鎵功率放大器；2020年，華為發(fā)布了65WGaN（氮化鎵）雙口充電器，有傳言稱(chēng)，此款充電器很有可能就是華為自研；同年8月，華為智能汽車(chē)解決方案BU總裁王軍在公眾場(chǎng)合透露，華為目前正在研發(fā)激光雷達技術(shù)。而GaN晶體管的進(jìn)步已被證明是開(kāi)發(fā)高精密激光雷達系統不可或缺的一部分。

文稿來(lái)源：化合物半導體市場(chǎng)，Amber