雜談如何用數字萬(wàn)用表檢測IGBT好壞——零式未來(lái)儀器

“ 如何判斷IGBT模塊是否失效，是硬件工程師和現場(chǎng)支持工程師經(jīng)常面臨的一個(gè)問(wèn)題。數字萬(wàn)用表是常用設備，用萬(wàn)用表來(lái)準確的判斷IGBT好壞對故障分析大有裨益?！?/span>

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GE短接，黑表筆接C極，紅表筆接E極。萬(wàn)用表顯示二極管正向壓降值正確；

GE短接，黑表筆接E極，紅表筆接C極。正向壓降為100KΩ級以上；

CG短接，黑表筆接E極，紅表筆接C極。正向壓降為幾十Ω級以下；

測量GE兩端電容大小。有幾十nF的電容值；

   二極管的測量可以比較準確的判斷其好壞。IGBT測試其正向壓降就可以判斷其好壞。

目前常用的數字萬(wàn)用表，而且在高電阻檔測量的時(shí)候測量電壓一般是9V，可以開(kāi)啟IGBT，因此可以測量得到IGBT開(kāi)啟時(shí)的等效電阻，這個(gè)時(shí)候電阻值是非常小的了。這一步重要的是可以明確判斷門(mén)極可以控制CE之間的等效電阻，有兩種電阻值。所謂的半導體就是指具有高電阻和低電阻兩種狀態(tài)么。

 我認為忽略第二步直接測量門(mén)極電容是一種便捷準確的方法，絕大部分的IGBT模塊失效模式下，內部IGBT晶元門(mén)極結構都會(huì )遭到破壞。無(wú)論是短路還是開(kāi)路，是都測量不到有效的電容值的。只有在IGBT良好的情況下才能測量到有效的幾十nF的電容值。

注意：測量的時(shí)候，盡量讓GE處于短接狀態(tài)。防止操作不注意碰到門(mén)極引起門(mén)極擊穿損壞，

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