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相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù)介紹

  • 相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù)介紹,相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術(shù)。它可能在將來(lái)代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠實(shí)現一億次以上的擦寫(xiě)次數。本文
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  介紹  技術(shù)  易失性  相變  計算機  

X9312固態(tài)非易失性電位器在頻率可調信號源中的應用

  • 1 系統硬件結構　　本系統包括四個(gè)模塊：?jiǎn)纹瑱C、數控電位器、液晶顯示模塊和多輸出壓控振蕩器?？刂破鞑捎肁TMEL公司的AT89C2051，它是一種低功耗，高性能，片內含2kB EEPROM和128 RAM的8位CMOS微控制器，與MCS-51單
  • 關(guān)鍵字： 可調  信號源  應用  頻率  電位器  固態(tài)  易失性  X9312  

嵌入式非易失性存儲器在SoC物理設計中的應用

  • 嵌入式非易失性存儲器在SoC物理設計中的應用,摘要：嵌入式非易失性存儲器以其同時(shí)具備數據可更改性及掉電保存性而已被越來(lái)越廣泛的應用于SoC物理設計。文中結合一款電力網(wǎng)控制芯片R36的實(shí)際設計案例，分析了該器件的應用特點(diǎn)，并從用途、性能、容量選擇等方面說(shuō)
  • 關(guān)鍵字： 設計  應用  物理  SoC  易失性  存儲器  嵌入式  

相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù)

  • 相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù),　　相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術(shù)。它可能在將來(lái)代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠實(shí)現一億次以上的擦寫(xiě)次數。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  技術(shù)  計算機  易失性  相變  

固態(tài)非易失性電位器X9312在頻率可調信號源中的應用

  • 　　1 系統硬件結構　　本系統包括四個(gè)模塊：?jiǎn)纹瑱C、數控電位器、液晶顯示模塊和多輸出壓控振蕩器?？刂破鞑捎肁TMEL公司的AT89C2051，它是一種低功耗，高性能，片內含2kB EEPROM和128 RAM的8位CMOS微控制器，與MCS-
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基于DSP和X5165芯片的非易失性數據存儲設計

  • 基于DSP和X5165芯片的非易失性數據存儲設計,數字信號處理器（DSP）的應用日趨廣泛，而重要數據的非易失性保存問(wèn)題常常是DSP應用中不可缺少的一部分。目前，非易失性的數據保存方法多采用EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）芯片。本文介紹的X5165芯片，可以較好地
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易失性介紹

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