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CMOS傳感器+高級色彩算法，快準穩捕獲色彩
- 用機器視覺(jué)代替人眼來(lái)判別顏色之間的差異，實(shí)現在線(xiàn)檢測，大大提高了檢測效率，同時(shí)對產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測結果更為客觀(guān)、更準確。無(wú)論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節都要求相機具備某些特征。那么，相機廠(chǎng)商該如何應對這些需求提出的挑戰呢？Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結合，并具備：色彩校正矩陣，用于實(shí)現在任一照明條件下的精確色彩再現；高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對比度；靈活多變的自定義觸發(fā)設置，準確觸發(fā)
- 關(guān)鍵字： 傳感器 色彩 CMOS
CMOS傳感器+高級色彩算法，快準穩捕獲一致色彩
- 用機器視覺(jué)代替人眼來(lái)判別顏色之間的差異，實(shí)現在線(xiàn)檢測，大大提高了檢測效率，同時(shí)對產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測結果更為客觀(guān)、更準確。問(wèn)：無(wú)論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節都要求相機具備某些特征。那么，相機廠(chǎng)商該如何應對這些需求提出的挑戰呢？答：Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結合，并具備：? 色彩校正矩陣，用于實(shí)現在任一照明條件下的精確色彩再現? 高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對比度?
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CMOS 2.0 革命
- 受到威脅的不是摩爾定律本身，而是它所代表的促進(jìn)經(jīng)濟增長(cháng)、科學(xué)進(jìn)步和可持續創(chuàng )新的能力。
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臺積電熊本新廠(chǎng)建筑工程上個(gè)月末已完成
- 1月8日消息，據報道，日本熊本放送消息，臺積電日本熊本新廠(chǎng)建筑工程在上個(gè)月末已完成，預定年內投產(chǎn)，目前處于設備移入進(jìn)機階段。另外，該廠(chǎng)開(kāi)幕式預計在2月24日舉行。公開(kāi)資料顯示，臺積電日本子公司主要股東包括持股71%的臺積電、持股近20%的索尼，以及持股約10%的日本電裝（DENSO），熊本第一工廠(chǎng)計劃生產(chǎn)12/16nm和22/28nm這類(lèi)成熟制程的半導體，初期多數產(chǎn)能為索尼代工 CMOS 圖像傳感器中采用的數字圖像處理器（ISP），其余則為電裝代工車(chē)用電子微控制器 MCU，電裝可取得約每月1萬(wàn)片產(chǎn)能。臺積
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CIS 產(chǎn)能誘惑再起
- 移動(dòng)互聯(lián)時(shí)代，在電子半導體產(chǎn)業(yè)周期由谷底向上走階段，有 3~4 類(lèi)芯片會(huì )沖在前面，呈現出明顯的增長(cháng)勢頭，存儲器是典型代表，還有一種芯片也很搶眼，那就是 CIS（CMOS 圖像傳感器），它在 2019~2020 年那一波產(chǎn)業(yè)高速增長(cháng)過(guò)程中就扮演了重要角色。如今，2024 年半導體業(yè)即將復蘇，CIS 再一次沖在了前面。CIS 有三大應用領(lǐng)域：手機、安防和汽車(chē)。當然，CIS 在工業(yè)和其它消費類(lèi)電子產(chǎn)品上也有應用。近日，全球 CIS 市場(chǎng)排名第二的三星電子發(fā)出通知，將大幅調升 2024 年第一季度 CIS 產(chǎn)品的
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英特爾展示 3D 堆疊 CMOS 晶體管技術(shù)：在 60nm 柵距下實(shí)現 CFET
- IT之家 12 月 10 日消息，由于當下摩爾定律放緩，堆疊晶體管概念重獲關(guān)注，IMEC （比利時(shí)微電子研究中心）于 2018 年提出了堆疊互補晶體管的微縮版 CFET 技術(shù)（IT之家注：即垂直堆疊互補場(chǎng)效應晶體管技術(shù)，業(yè)界認為 CFET 將取代全柵極 GAA 晶體管技術(shù)），英特爾和臺積電也都進(jìn)行了跟進(jìn)。在今年的 IEEE 國際電子器件會(huì )議（IEDM 2023）上，英特爾展示了多項技術(shù)突破，并強調了摩爾定律的延續和演變。首先，英特爾展示了其中 3D 堆疊 CMOS（互補金屬氧化物半導體）晶體管方面取得的突
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下一代CMOS邏輯，邁入1nm時(shí)代
- 3D 亞納米時(shí)代，CMOS 邏輯電路如何發(fā)展？
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Teledyne e2v 發(fā)布新一代高性能全局快門(mén) CMOS 圖像傳感器
- Teledyne Technologies [NYSE: TDY] 子公司、全球成像解決方案革新者 Teledyne e2v 發(fā)布全新高水準 CMOS 圖像傳感器系列 Emerald? Gen 2。新系列在 Teledyne e2v 先進(jìn)成像技術(shù)的基礎上又增強了性能，使之成為各種機器視覺(jué)應用、室外監控以及交通檢測與監控相機的理想選擇。 Emerald? Gen2Emerald Gen2 的型號分為 8.9M像素（4,096 x 2,160）和 12M 像素（4,096 x 3,072）
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ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務(wù)器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動(dòng)用驅動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來(lái)，為了實(shí)現可持續發(fā)展的社會(huì )，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實(shí)現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
- 關(guān)鍵字： ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
【CMOS邏輯IC基礎知識】——解密組合邏輯背后的強大用途?。ㄏ拢?/a>
- 在上一期的芝識課堂中，我們和大家一起了解了CMOS邏輯IC可以分為組合邏輯和時(shí)序邏輯，并以幾種典型電路單元的對應邏輯關(guān)系詳細解讀了組合邏輯電路的原理。這一期芝識課堂中，我們將繼續和大家分享CMOS邏輯IC的基礎知識，并通過(guò)實(shí)際電路單元來(lái)幫助大家分析組合邏輯和時(shí)序邏輯中各自所對應的輸入和輸出之間暗藏的邏輯關(guān)系。多路復用器多路復用器也是一種典型的組合邏輯電路，比如東芝的74VHC157和74VHC153，多路復用器將從多個(gè)輸入信號中選擇一個(gè)信號并將其轉發(fā)到單個(gè)輸出線(xiàn)。圖1所示的時(shí)序圖顯示了如何從兩個(gè)輸入中選擇
- 關(guān)鍵字： 東芝 CMOS
產(chǎn)品性能才是首位，CIS芯片領(lǐng)先供應商芯視達亮相安博會(huì )
- 2023年6月7日，第十六屆安博會(huì )在北京新首鋼會(huì )展園區開(kāi)幕，本屆安博會(huì )以“自主創(chuàng )新、數智融合、賦能安防、服務(wù)社會(huì )”為主題。在本屆安博會(huì )上，集中展示了視頻監控、防盜報警、出入口控制、安檢防爆、實(shí)體防護、數據應用與安全等安防技術(shù)和產(chǎn)品，同時(shí)突出了今年來(lái)熱門(mén)的無(wú)人化、AI智能化，加上近期大熱的生成式人工智能（AIGC），本屆安博會(huì )可以說(shuō)是充滿(mǎn)了創(chuàng )新的一屆安博會(huì )，極大地展示了近期我國在安防上的最新應用成果。 安博會(huì )作為安全行業(yè)的盛會(huì )，一直以來(lái)被行業(yè)內視為發(fā)展的風(fēng)向標。在本屆安博會(huì )上，作為CIS圖像傳感器
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地芯科技發(fā)布全球首款基于CMOS工藝的國產(chǎn)化多頻多模線(xiàn)性PA
- 5月18日，杭州地芯科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：地芯科技）在上海發(fā)布了全球首款基于CMOS工藝的支持4G的線(xiàn)性CMOS PA——GC0643。GC0643是一款4*4mm多模多頻功率放大器模塊（MMMB PAM），它應用于3G/4G手持設備（包括手機及其他手持移動(dòng)終端）以及Cat1.物聯(lián)網(wǎng)設備，支持的多頻段多制式應用。本模塊還支持可編程MIPI控制。圖片來(lái)源：地芯科技CMOS工藝是集成電路中最為廣泛使用的工藝技術(shù)，具有高集成度、低成本、漏電流低、導熱性好、設計靈活等特性，但也存在擊穿電壓低、線(xiàn)性度差兩大先天性
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深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊
- 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現商用，6 英寸
- 關(guān)鍵字： GaN-on-Si 氮化鎵
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