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功率MOSFET的工作原理
- 功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理(1)開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程實(shí)驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開(kāi)關(guān)過(guò)程原理：開(kāi)通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態(tài)，t0 時(shí)，MOSFET 被驅動(dòng)開(kāi)通;-- [t0-t1]區間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時(shí)刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開(kāi)始導電;-- [t1-t2]區間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
- 關(guān)鍵字： 功率 MOSFET 工作原理
第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案
- 第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案相比傳統的硅MOSFET，SiC MOSFET可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動(dòng)方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動(dòng)方案展開(kāi)了解，其中包括驅動(dòng)過(guò)電流、過(guò)電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
- 關(guān)鍵字： 第三代半導體 SiC MOSFET 高效驅動(dòng) 電力電子
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布，公司現推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著(zhù)NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿(mǎn)足市場(chǎng)對采用D2
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動(dòng)器
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器。 這款創(chuàng )新的驅動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設計用于驅動(dòng)工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關(guān)斷時(shí)序，同時(shí)將開(kāi)關(guān)損耗降至最低。 內部負電荷調節器還能提供用戶(hù)可選的負柵極驅動(dòng)偏置，以實(shí)現更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅動(dòng)器
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動(dòng)器
欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動(dòng)要求時(shí)，我們經(jīng)常使用簡(jiǎn)化，如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒(méi)有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時(shí)，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
- 關(guān)鍵字： 欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗簡(jiǎn)介
- 本文將通過(guò)解釋MOSFET功耗的重要來(lái)源來(lái)幫助您優(yōu)化開(kāi)關(guān)模式調節器和驅動(dòng)器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線(xiàn)性和開(kāi)關(guān)。在線(xiàn)性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過(guò)溝道，但溝道電阻相對較高?？鐪系赖碾妷汉土鬟^(guò)溝道的電流都是顯著(zhù)的，導致晶體管中的高功耗。在開(kāi)關(guān)模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動(dòng)，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān)：即使大電流流過(guò)通道，功耗也會(huì )很低或中等。隨著(zhù)開(kāi)關(guān)模式操作接近理想情況，功耗變得可
- 關(guān)鍵字： MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗
一文詳解電池充電器的反向電壓保護
- 處理電源電壓反轉有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負載之間連接一個(gè)二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會(huì )產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很簡(jiǎn)潔，但是二極管在便攜式或備份應用中是不起作用的，因為電池在充電時(shí)必須吸收電流，而在不充電時(shí)則須供應電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1：傳統的負載側反向保護對于負載側電路而言，這種方法比使用二極管更好，因為電源 (電池) 電壓增強了 MOSFET，因而產(chǎn)生了更少的壓降和實(shí)質(zhì)上更高的電導。該電路的 NMOS 版本比 PM
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源電壓反轉
解析LLC諧振半橋變換器的失效模式
- 在功率轉換市場(chǎng)中，尤其對于通信/服務(wù)器電源應用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰性的議題。對于功率密度的提高，最普遍方法就是提高開(kāi)關(guān)頻率，以便降低無(wú)源器件的尺寸。零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)拓撲因具有極低的開(kāi)關(guān)損耗、較低的器件應力而允許采用高開(kāi)關(guān)頻率以及較小的外形，能夠以正弦方式對能量進(jìn)行處理，開(kāi)關(guān)器件可實(shí)現軟開(kāi)閉，因此可以大大地降低開(kāi)關(guān)損耗和噪聲。在這些拓撲中，移相ZVS全橋拓撲在中、高功率應用中得到了廣泛采用，因為借助功率MOSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開(kāi)關(guān)工作在ZVS狀態(tài)下
- 關(guān)鍵字： LLC MOSFET ZVS 變換器
談?wù)剮追N常用的MOSFET驅動(dòng)電路
- 一、MOS管驅動(dòng)簡(jiǎn)述MOSFET因導通內阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅動(dòng)常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。在使用MOSFET設計開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì )考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個(gè)確定的MOSFET，其驅動(dòng)電路，驅動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì )影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。當電源IC與MOS管選定之
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Microchip推出基于dsPIC? DSC的新型集成電機驅動(dòng)器將控制器、柵極驅動(dòng)器和通信整合到單個(gè)器件
- 為了在空間受限的應用中實(shí)現高效、實(shí)時(shí)的嵌入式電機控制系統，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC?數字信號控制器（DSC）的新型集成電機驅動(dòng)器系列。該系列器件在一個(gè)封裝中集成了dsPIC33 數字信號控制器 （DSC）、一個(gè)三相MOSFET柵極驅動(dòng)器和可選LIN 或 CAN FD 收發(fā)器。這種集成的一個(gè)顯著(zhù)優(yōu)勢是減少電機控制系統設計的元件數量，縮小印刷電路板（PCB）尺寸，并降低復雜性。該系列器件的支持資源包括開(kāi)發(fā)板、參考設計、應用筆記和 Micr
- 關(guān)鍵字： dsPIC 數字信號控制器 MOSFET 電機控制
Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比
- 在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過(guò)渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場(chǎng)一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車(chē)（EV）、數據中心和太陽(yáng)能/可再生能源等許多應用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場(chǎng)效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）和絕緣
- 關(guān)鍵字： Qorvo SiC MOSFET
英飛凌為汽車(chē)應用推出業(yè)內導通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7
- 英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進(jìn)功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著(zhù)提高，和采用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應用。它專(zhuān)為滿(mǎn)足高要求汽車(chē)應用所需的高性能、高質(zhì)量和穩健性而打造，包括電動(dòng)汽車(chē)的汽車(chē)直流-直流轉換器、48 V電機控制（例如電動(dòng)助力轉向系統（EPS））、48 V電池開(kāi)關(guān)以及電動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS
P溝道功率MOSFETs及其應用領(lǐng)域
- Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統的應用范圍也較有限，然而，隨著(zhù)低壓（LV）應用需求的增加，P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P溝道的簡(jiǎn)易性使其對低壓變換器（<120 V）和非隔離的負載點(diǎn)更具吸引力。因為無(wú)需電荷泵或額外的電壓源，高端側（HS）P溝道MOSFET易于驅動(dòng)，具有設計簡(jiǎn)單、節省空間，零件數量少等特點(diǎn)，提升了成本效率。本文通過(guò)對N 溝道和P溝道MOSFETs進(jìn)行比較，介紹Littelfuse P溝道功率
- 關(guān)鍵字： 202404 P溝道功率MOSFET MOSFET
高壓功率器件設計挑戰如何破？
- 不斷提升能效的需求影響著(zhù)汽車(chē)和可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域的電子應用設計。對于電動(dòng)汽車(chē) (EV) 而言，更高效率意味著(zhù)更遠的續航里程；而在可再生能源領(lǐng)域，發(fā)電效率更高代表著(zhù)能夠更充分地將太陽(yáng)能或風(fēng)能轉換為電能。圖1.在電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源領(lǐng)域，對更高效率的不懈追求正推動(dòng)著(zhù)設計向前發(fā)展這兩大領(lǐng)域都廣泛采用開(kāi)關(guān)電子器件，因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關(guān)系遵循歐姆定律，也就是說(shuō)電路中產(chǎn)生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理，當電壓加倍時(shí)，電路中的電流會(huì )減半，因而損耗會(huì )降到四分之一。根據這個(gè)原理，為了減
- 關(guān)鍵字： 高電壓 高電壓 轉換器 逆變器 MOSFET 電力電子 EliteSiC
一鍵解鎖熱泵系統解決方案
- 熱泵是一種經(jīng)過(guò)驗證的、提供安全且可持續供暖的技術(shù)，其滿(mǎn)足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時(shí)滿(mǎn)足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實(shí)用的水平，因此在節能方面具有巨大的潛力。系統目標熱泵的原理與制冷類(lèi)似，其大部分技術(shù)基于冰箱的設計。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來(lái)完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關(guān)注以及應對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
- 關(guān)鍵字： 熱泵 供暖 IPM MOSFET IGBT
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對s7 mosfet的理解，并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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