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rram 文章 進(jìn)入rram技術(shù)社區
全球首款28nm嵌入式RRAM畫(huà)質(zhì)調節芯片正式量產(chǎn)
- 據北京亦莊官微消息，近日，由北京顯芯科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“顯芯科技”）參與研制的全球首款28nm內嵌RRAM（阻變存儲器）畫(huà)質(zhì)調節芯片在京量產(chǎn)，并成功應用于國內頭部客戶(hù)的Mini LED高端系列電視中，標志著(zhù)我國顯示類(lèi)芯片達到新的半導體工藝高度。據相關(guān)負責人介紹，當前全球半導體頂尖工藝已經(jīng)來(lái)到2nm時(shí)代，但對于半導體顯示來(lái)說(shuō)，綜合考慮成本問(wèn)題，28nm是目前國內工藝的天花板。畫(huà)質(zhì)調節芯片要求集成各種補償算法，開(kāi)發(fā)難度高，制造要求先進(jìn)邏輯制程，是顯示芯片品類(lèi)國產(chǎn)化率最低的產(chǎn)品之一。為推動(dòng)中國芯片國產(chǎn)化進(jìn)展
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新型存儲RRAM傳來(lái)新進(jìn)展！
- 近日，悅芯科技和?？莆⑦_成戰略合作，成功開(kāi)發(fā)了國內首個(gè)基于?？莆RAM IP的芯片量產(chǎn)測試方案，并已正式進(jìn)入量產(chǎn)。據介紹，悅芯科技的T800 SOC測試平臺具備的Memory Test Option功能，為RRAM芯片的量產(chǎn)提供了堅實(shí)的技術(shù)支持。在首顆RRAM芯片量產(chǎn)成功的基礎上，悅芯科技將繼續支持多款RRAM IP芯片的量產(chǎn)，為客戶(hù)提供高性能、可靠的完整量產(chǎn)測試解決方案。悅芯科技的T800 SOC自動(dòng)測試設備以模塊化設計為主要特色，為不同類(lèi)別的IC器件提供針對性的測試模塊，實(shí)現在單一平臺上
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英飛凌攜手臺積電將RRAM技術(shù)引入至AURIX? TC4x汽車(chē)微控制器產(chǎn)品系列
- 【2022年12月7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和臺積電近日宣布，兩家公司準備將臺積電的可變電阻式記憶體制程技術(shù)引入至英飛凌的新一代MCU AURIX?微控制器中。??自首個(gè)發(fā)動(dòng)機管理系統問(wèn)世以來(lái)，嵌入式閃存微控制器一直是汽車(chē)電子控制單元（ECU）的主要構建模塊。這些微控制器是打造綠色、安全和智能汽車(chē)所不可或缺的組成部分，被應用于驅動(dòng)系統、車(chē)輛動(dòng)態(tài)控制、駕駛輔助和車(chē)身應用中，助力汽車(chē)領(lǐng)域在電氣化、全新電子電氣（E/E）架構和
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臺積電RRAM技術(shù)引入英飛凌汽車(chē)MCU
- 11月25日，英飛凌和臺積電宣布，兩家公司正準備將臺積電的電阻式RAM（RRAM）非易失性存儲器（NVM）技術(shù)引入英飛凌的下一代AURIX?微控制器（MCU），并將在臺積電的28納米節點(diǎn)上制造。自第一個(gè)發(fā)動(dòng)機管理系統問(wèn)世以來(lái)，嵌入式閃存微控制器一直是汽車(chē)電子控制單元(ECU)的主要構建塊。目前，市場(chǎng)上大多數MCU系列都基于嵌入式閃存技術(shù)（eFlash）技術(shù)。而RRAM是嵌入式存儲器的下一步，可以進(jìn)一步擴展到28納米及以上。英飛凌AURIX TC4x MCU系列將性能擴展與虛擬化、安全和網(wǎng)絡(luò )功能的最新趨勢相
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臺積電英飛凌強強聯(lián)合，新型存儲RRAM發(fā)展如何？
- 存儲器的發(fā)展取決于應用場(chǎng)景的變化，當下智能化時(shí)代的迅速發(fā)展對存儲器提出了更高的要求，新型存儲器迅速成長(cháng)。目前新型存儲器阻變存儲器（Resistive Random Access Memory，ReRAM或RRAM）逐漸受到市場(chǎng)重視。近日，英飛凌官方消息稱(chēng)，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲器，特別是電阻式隨機存取存儲器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺積電的28納米節點(diǎn)上制造。當前，英飛凌基于臺積電28納米eFlash技術(shù)的Autrix TC4x系列微控制器樣品已
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英飛凌汽車(chē)MCU，選擇RRAM
- 據英飛凌稱(chēng)，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲器，特別是電阻式隨機存取存儲器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺積電的28納米節點(diǎn)上制造。雖然基于臺積電28納米eFlash技術(shù)的Autrix TC4x系列微控制器樣品已經(jīng)交付給主要客戶(hù)，但基于臺積電28納米RRAM技術(shù)的第一批樣品將于2023年底提供給客戶(hù)。英飛凌表示，Autrix TC4x系列微控制器專(zhuān)為ADAS而設計，可提供新的E/E架構和經(jīng)濟實(shí)惠的AI應用。嵌入式閃存微控制器自推出第一批發(fā)動(dòng)機管理系統以來(lái)，就被用作
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什么是FRAM?
- FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱(chēng)為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來(lái)存儲數據。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。關(guān)于鐵電質(zhì)下面的圖表解釋了PZT晶體結構，這種結構通常用作典型的鐵電質(zhì)材料。在點(diǎn)陣中具有鋯和鈦，作為兩個(gè)穩定點(diǎn)。它們可以根據外部電場(chǎng)在兩個(gè)點(diǎn)之間移動(dòng)。一旦位置設定，即使在出現電場(chǎng)，它也將不會(huì )再有任何移動(dòng)。頂部和底部的電極安排了一個(gè)電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線(xiàn)。數據以
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兆易創(chuàng )新宣布與Rambus簽訂專(zhuān)利授權協(xié)議
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice近日宣布，與領(lǐng)先的半導體IP供應商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機存取存儲器) 技術(shù)簽署專(zhuān)利授權協(xié)議。同時(shí)，兆易創(chuàng )新還與其同Rambus 以及幾家戰略投資伙伴的合資企業(yè)—合肥?？莆ⅲ≧eliance Memory）簽署了授權協(xié)議 。根據協(xié)議內容，兆易創(chuàng )新從Rambus和?？莆@得180多項RRAM技術(shù)相關(guān)專(zhuān)利和應用，這將有助于兆易創(chuàng )新在新型存儲器RRAM 領(lǐng)域的前瞻性技術(shù)布局，從而為嵌入式產(chǎn)品提供更豐富的存儲解決方案。RRAM作為一種非
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馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM
- 日前，一年一度的中國存儲峰會(huì )在北京如期舉行，“數據中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會(huì )主題，論道存儲未來(lái)，讓數據釋放價(jià)值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場(chǎng)的現狀與發(fā)展趨勢進(jìn)行了深入解讀，干貨滿(mǎn)滿(mǎn)。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會(huì )信息存儲專(zhuān)委會(huì )主任馮丹作為開(kāi)場(chǎng)嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開(kāi)主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動(dòng)態(tài)隨機存儲器)
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馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM
- 日前，一年一度的中國存儲峰會(huì )在北京如期舉行，“數據中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會(huì )主題，論道存儲未來(lái)，讓數據釋放價(jià)值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場(chǎng)的現狀與發(fā)展趨勢進(jìn)行了深入解讀，干貨滿(mǎn)滿(mǎn)。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會(huì )信息存儲專(zhuān)委會(huì )主任馮丹作為開(kāi)場(chǎng)嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開(kāi)主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動(dòng)態(tài)隨機存儲器)
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看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
- 你如果問(wèn)當前內存市場(chǎng)是誰(shuí)的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著(zhù)內存市場(chǎng),當前都處于供不應求的狀態(tài)。不過(guò),在內存天下三分的大背景下,新一代存儲技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開(kāi)始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進(jìn)展較快的一個(gè)。到目前為止,RRAM的發(fā)展進(jìn)程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù), Crossbar公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術(shù)研討會(huì )上接受與非網(wǎng)的采訪(fǎng)時(shí)說(shuō):&ldquo
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RRAM 或將改寫(xiě)存儲器歷史—兼評國內學(xué)者如何做出一流成果
- 導語(yǔ)：上世紀中葉單晶硅和半導體晶體管的發(fā)明以及硅集成電路的研制成功，為后來(lái)的科技進(jìn)步奠定了堅實(shí)的基礎。隨后，科研工作者們不斷探索，先后將多種新型材料引入該產(chǎn)業(yè)，才有了如今半導體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。全世界都在尋找更優(yōu)質(zhì)半導體材料的道路上不曾止步，而一種新型二維材料的出現，或指明了未來(lái)存儲器的發(fā)展方向。 三維(3D)材料以其實(shí)用性好，加工簡(jiǎn)便及成本低廉等特點(diǎn)一直在各大行業(yè)的占據著(zhù)主導地位，而無(wú)論在科研界還是工業(yè)界，人們對二維材料的研究與應用卻始終屈指可數。我們知道所有物質(zhì)的結構都是由原子在三維空間堆疊而
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RRAM領(lǐng)軍者Crossbar正式進(jìn)軍中國存儲市場(chǎng)
- 阻變式存儲器(RRAM)技術(shù)的領(lǐng)導者Crossbar公司今日宣布正式進(jìn)軍中國市場(chǎng)，并在上海設立新的辦事處。 Crossbar公司首席執行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場(chǎng)，亦是絕大多數產(chǎn)品的制造基地。憑借我們在中國深厚的風(fēng)投實(shí)力和資源、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，我們相信將在中國消費電子、企業(yè)、移動(dòng)、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)掀起新一輪電子創(chuàng )新浪潮。此外，我們近期與中芯國際已達成合作，將我們的嵌入式技術(shù)用于中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使
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rram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條rram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對rram的理解，并與今后在此搜索rram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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