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分析機構：RISC-V內核出貨量未來(lái)幾年將飆升

分析機構Semico Research在其近來(lái)新發(fā)的，名為“ RISC-V市場(chǎng)分析：新興市場(chǎng)”的報告中指出，預計到2025年，市場(chǎng)將總共消費624億個(gè)RISC-V CPU內核，其中預計工業(yè)領(lǐng)域將是最大的細分市場(chǎng)，擁有167億個(gè)內核。Semico預測，在包括計算機，消費者，通訊，運輸和工業(yè)市場(chǎng)在內的細分市場(chǎng) ，RISC-V CPU內核的復合年增長(cháng)率（CAGR）在2018年至2025年之間的平均復合年增長(cháng)率將高達146.2％。 RISC-V基金會(huì )首席執行官Calista Redmond表示：“ Se
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全球首創(chuàng )：中國團隊自研RISC-V快充芯片通過(guò)USB PD認證

近日，威海優(yōu)微科技UPD350正式通過(guò)了USB-IF協(xié)會(huì )USB PD3.0 DRP雙向認證。在USB-IF官網(wǎng)，可以查詢(xún)到該芯片的認證TID號為2465。UPD350芯片提供了一個(gè)靈活的可編程體系結構，可持續滿(mǎn)足PD/TYPE-C相關(guān)規范的不斷演進(jìn)和PD Plus應用的功能擴展。芯片內部PD部分采用TCPM/TCPC分層架構，集成了一個(gè)原生的TCPC-like前端模塊，包括用于Type-C接口檢測與控制的數字邏輯和模擬電路，PD PHY層的分組BMC編解碼以及PD協(xié)議層中對時(shí)序有嚴格要求的關(guān)鍵功能，同時(shí)創(chuàng )
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RISC-V遷往瑞士或引發(fā)標準組織逃離美國大潮

RISC-V基金會(huì )從美國搬遷到瑞士的決定引發(fā)了軒然大波，這一標志性事件背后意味著(zhù)，標準化組織未來(lái)或因為中國市場(chǎng)大面積遷出美國，這將是對美國科技領(lǐng)先地位的重大威脅。
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RISC-V入局漸深，注重安全領(lǐng)域

現今市場(chǎng),處理器主要分布于兩個(gè)領(lǐng)域,移動(dòng)領(lǐng)域和PC領(lǐng)域,ARM架構和x86架構的處理器占據市場(chǎng)主流架構由于中國半導體芯片產(chǎn)業(yè)長(cháng)期處于脈沖式發(fā)展狀態(tài),沒(méi)有持續性和延續性,因此中國半導體芯片產(chǎn)業(yè)受?chē)饧夹g(shù)影響明顯。中美貿易戰美國對中興公司的制裁,以及之后對華為等企業(yè)的制裁證明了這一點(diǎn)。圖片來(lái)源網(wǎng)絡(luò )自中興事件發(fā)酵后,中國RISC-V產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟和中國開(kāi)放指令生態(tài)系統(RISC-V)聯(lián)盟成立。與此同時(shí)RISC-V對于中國處理器產(chǎn)業(yè)實(shí)現自主可控也是極大的助力。華為一直在做RISC-V開(kāi)源架構的研發(fā),RISC-V不僅僅是
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晶心科技攜手Silex Insight推出RISC-V信任根(Root of Trust) IP解決方案

2019年11月6日─提供32及64位高效能、低功耗RISC-V CPU處理器核心的領(lǐng)導供貨商晶心科技，宣布與領(lǐng)先具彈性選項的安全IP廠(chǎng)商Silex Insight建立戰略合作伙伴關(guān)系，攜手推出基于A(yíng)ndes RISC-V CPU的低功耗、高彈性的信任根(Root of Trust)完整解決方案。Silex Insight推出的高級eSecure IP模塊為安全應用的完整解決方案，能防止機密信息外泄，并提供安全啟動(dòng)、密鑰認證與應用程序的保護。AndesCore? 高效能、低功耗的二級流水線(xiàn)RISC-V C
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【深度】平頭哥開(kāi)源MCU對產(chǎn)業(yè)的影響

2019年10月21日烏鎮互聯(lián)網(wǎng)大會(huì )期間，平頭哥宣布開(kāi)源其低功耗微控制芯片（MCU）設計平臺，成為國內第一家推進(jìn)芯片平臺開(kāi)源的企業(yè)......
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RISC-V與Arm之爭：開(kāi)發(fā)中國自己的開(kāi)源架構才是王道

10月21日，在第六屆烏鎮互聯(lián)網(wǎng)大會(huì )上，阿里巴巴旗下平頭哥半導體宣布，開(kāi)源基于RISC-V指令集的低功耗微控制芯片（MCU）設計平臺，將業(yè)界對近期本已非?；馃岬腞ISC-V指令集的關(guān)注推向新高度。
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RISC-V是個(gè)機會(huì )：阿里、華為等中國廠(chǎng)商將全力跟進(jìn)

正在烏鎮舉行的第六屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì )上，中國工程院院士、中國開(kāi)放指令生態(tài)(RISC-V)聯(lián)盟(CRVA)理事長(cháng)倪光南發(fā)表演講稱(chēng)，要推動(dòng)開(kāi)源的RISC-V成主流。倪光南表示，從世界的角度來(lái)看，兩類(lèi)架構的CPU已經(jīng)占據市場(chǎng)。第一代是X86，英特爾和AMD兩家公司掌握，在服務(wù)器等領(lǐng)域占有壟斷地位；第二個(gè)是ARM，在移動(dòng)領(lǐng)域有壟斷的地位。不過(guò)他強調，X86架構是壟斷的，ARM架構的授權費用又很高，“海思和國防科技大學(xué)買(mǎi)到的ARM終身架構授權需要花費很高，錢(qián)花的比較多?！弊鳛橹袊_(kāi)放指令生態(tài)(RISC-V)聯(lián)盟(C
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兆易創(chuàng )新MCU進(jìn)入RISC-V賽道，提供百貨商店式的豐富方案

　　王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》，北京?100036）　　摘?要：2019年8月，兆易創(chuàng )新推出全球首個(gè)RISC-V內核32位通用MCU——GD32VF103，面向主流型開(kāi)發(fā)需求，且與自己已有的Arm MCU——GD32F103對標，二者可以自由切換。兆易創(chuàng )新為何要第一個(gè)吃螃蟹？作為國內最大的通用32位MCU廠(chǎng)商，MCU戰略是什么？　　關(guān)鍵詞：RISC-V；MCU；Arm　　1 為何要做RISC-V MCU？　　多年來(lái)，兆易創(chuàng )新堅持的兩個(gè)原則是市場(chǎng)導向和客戶(hù)需求?！　∥锫?lián)網(wǎng)（IoT）的多元化、差異化需求大，可
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Power Integrations推出汽車(chē)級200 V Qspeed二極管，可大幅增強音頻放大器的性能

美國加利福尼亞州圣何塞，2019年9月10日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日宣布其200 V Qspeed?二極管 – LQ10N200CQ和LQ20N200CQ – 現已通過(guò)AEC-Q101汽車(chē)級認證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術(shù)，可在軟開(kāi)關(guān)和低反向恢復電荷(Qrr)之間提供獨特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲，這對于車(chē)載音響系統特別重要。最新通過(guò)認證的200 V二極管具有業(yè)界最低的反向恢復電荷
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全球首款碳納米管通用計算芯片問(wèn)世！RISC-V架構，5倍于摩爾定律，Nature連發(fā)三文推薦

“Hello, World！I am RV16XNano, made from CNTs”.“你好，世界！我是 RV16XNano，由碳納米管制成?！边@句話(huà)，出自MIT研究團隊發(fā)明的16位碳納米管芯片執行的程序。是的，你沒(méi)有看錯，他們用與硅相同的制作工藝，基于碳納米管做出了具有完整架構的芯片，還與世界打了招呼。剛剛，Nature刊發(fā)了這一研究成果，并發(fā)表相應的新聞、評論進(jìn)行重點(diǎn)推薦。碳納米管，被認為是替代硅材料首選，而且比硅導電更快，效率更高。從理論上來(lái)說(shuō)，效率達到硅的10倍，運行速度為3倍，而僅僅只需要
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華為是繼續使用ARM處理器框架還是換用RISC-V

因為眾所周知的原因，華為曾經(jīng)遭受過(guò)來(lái)自美國谷歌等科技巨頭公司的斷供危機，雖然現在事態(tài)有所緩和，但華為早有兩手準備。
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未來(lái)RISC-V很可能發(fā)展成為世界主流CPU之一

RISC-V的發(fā)展前景如何？近日，在兆易創(chuàng )新推出基于RISC-V內核的微控制器GD32V發(fā)布會(huì )上，倪光院士認為，未來(lái)RISC-V很可能發(fā)展成為世界主流CPU之一，從而在CPU領(lǐng)域形成Intel、Arm、RISC-V三分天下的格局。
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將ADuM4135柵極驅動(dòng)器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用

簡(jiǎn)介絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經(jīng)濟高效型解決方案，如車(chē)載充電器、非車(chē)載充電器、DC-DC快速充電器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應用。開(kāi)關(guān)頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設計選擇的。本應用筆記所述設計中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件，采用Microsemi Corporation?專(zhuān)有的視場(chǎng)光闌IGBT技術(shù)。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達20 kHz的開(kāi)關(guān)頻率，以及由于對稱(chēng)設計，具有低雜散電感的軟恢復并聯(lián)二極管
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