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2007年MLCC市場(chǎng)半程盤(pán)點(diǎn)
- 隨著(zhù)中國日益成為全球最大的電子終端產(chǎn)品加工制造基地，中國的電子元器件市場(chǎng)也呈現出供需兩旺的態(tài)勢。其中，片式多層陶瓷電容器(MLCC，又稱(chēng)獨石電容器)是目前用量最大、發(fā)展速度最快的片式元件之一。從下游供應鏈終端市場(chǎng)來(lái)看，電子產(chǎn)品對MLCC的需求呈現出幾何級急劇增長(cháng)，為國內外MLCC廠(chǎng)商帶來(lái)了良好的發(fā)展機遇。 “每周都有新設備在往里進(jìn)，每天也都有新合同在往外簽?！睆纳钲谟铌?yáng)科技發(fā)展有限公司MLCC 事業(yè)部總經(jīng)理廖杰的描述中，我們不難管窺MLCC市場(chǎng)的紅火程度。在中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )信息中心日前發(fā)布的《20
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多層陶瓷片式電容（MLCC,普通貼片電容）分類(lèi)封裝介紹
- 貼片陶瓷電容簡(jiǎn)介簡(jiǎn)述 通常所說(shuō)的貼片電容是指MLCC,即多層陶瓷片式電容(Multilayer Ceramic Capacitors)。常規貼片電容按材料分為COG(NPO),X7R,Y5V,其引腳封裝有0201,0402,0603.0805.1206,1210,1812,1825,2225. 貼片電容基本結構 多層陶瓷電容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和電極材料層疊而成。見(jiàn)下圖： ? 貼片電容分類(lèi) 多層陶瓷電容(MLCC)根據材料分為Class 1和Clas
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MLCC貼片電容在設計制造中的材料選用
- 瓷粉：它是產(chǎn)品質(zhì)量水平高低的決定性因素，采用技術(shù)不成熟的瓷粉材料會(huì )存在重大的質(zhì)量事故隱患。 進(jìn)口：北美中溫燒結瓷粉、日本高溫燒結瓷粉均較成熟。 國產(chǎn)材料：I類(lèi)低K值瓷粉較成熟。 ?。ㄈ揠娮涌萍脊揪捎妹绹M(jìn)口瓷粉設計制造COG、X7R類(lèi)中高壓MLCC產(chǎn)品，低壓產(chǎn)品選用日本進(jìn)口瓷粉設計制造。） 內漿：它是產(chǎn)品質(zhì)量水平關(guān)鍵因素，基本要求是與瓷粉材料的匹配性好，如采用與瓷粉材料匹配性不良的內漿制作MLCC，其可靠性會(huì )大大下降。 端漿：它是產(chǎn)品性能高低的重要因素，如端漿選用不當
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植根大陸市場(chǎng)十年 國巨蘇州二廠(chǎng)投入營(yíng)運
- 無(wú)源器件廠(chǎng)商國巨公司(Yageo)日前宣布蘇州第二座工廠(chǎng)正式投入營(yíng)運，啟用全球最大規模無(wú)源器件后段生產(chǎn)線(xiàn)。明年國巨蘇州芯片電阻與多層陶瓷電容(MLCC)，可望分別達到360億顆與110億顆月產(chǎn)能規模，成為全球最大無(wú)源器件生產(chǎn)基地。而其蘇州二廠(chǎng)二期工程也于近日同時(shí)動(dòng)工，預計產(chǎn)能規模與產(chǎn)品組合將隨客戶(hù)需求的成長(cháng)持續提升。 國巨公司董事長(cháng)陳泰銘先生表示：“國巨自1996年起進(jìn)入中國大陸市場(chǎng)，至今已屆滿(mǎn)十年，國巨陸續在華南、華東與華北，建立完備的生產(chǎn)與銷(xiāo)售服務(wù)網(wǎng)絡(luò )。國巨在大陸市場(chǎng)的發(fā)展策略也邁入全新階段
- 關(guān)鍵字： 消費電子 無(wú)源器件 芯片 MLCC 消費電子
2007年MLCC市場(chǎng)半程盤(pán)點(diǎn)
- 隨著(zhù)中國日益成為全球最大的電子終端產(chǎn)品加工制造基地，中國的電子元器件市場(chǎng)也呈現出供需兩旺的態(tài)勢。其中，片式多層陶瓷電容器(MLCC，又稱(chēng)獨石電容器)是目前用量最大、發(fā)展速度最快的片式元件之一。從下游供應鏈終端市場(chǎng)來(lái)看，電子產(chǎn)品對MLCC的需求呈現出幾何級急劇增長(cháng)，為國內外MLCC廠(chǎng)商帶來(lái)了良好的發(fā)展機遇。 “每周都有新設備在往里進(jìn)，每天也都有新合同在往外簽?！睆纳钲谟铌?yáng)科技發(fā)展有限公司MLCC 事業(yè)部總經(jīng)理廖杰的描述中，我們不難管窺MLCC市場(chǎng)的紅火程度。在中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )信息中心日前發(fā)布的
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目前廣泛應用在便攜產(chǎn)品中,主要可分為兩大類(lèi)：BME化的C0G產(chǎn)品和LOW ESR選材的X7R(X5R)產(chǎn)品。
C0G類(lèi)MLCC的容量多在1000pF以下，該類(lèi)電容器低功耗涉及的主要性能指標是損耗角正切值tgδ(DF)。傳統的貴金屬電極(NME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍是(2.0～8.0)×10-4，而技術(shù)創(chuàng )新型賤金屬電極(BME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍為(1.0～2.5)×10-4，約是前者的( [ 查看詳細 ]
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