i-v 文章進(jìn)入i-v技術(shù)社區

NI推出新型可自定義的I/O模塊

　　美國國家儀器有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)NI）推出4種用于PXI平臺的新型R系列?I/O模塊，這些模塊都配備了高性能的Xilinx?Virtex?-5現場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)芯片。NI?PXI-7841R,?PXI-7842R,?PXI-7851R?和PXI-7852R模塊具有8個(gè)模擬輸入、8個(gè)模擬輸出和96個(gè)數字I/O通道，而且模擬輸入的速率比以前版本的R系列設備快3.5倍以上。這些新型模塊為工程師和科學(xué)家們提供了即時(shí)可用的硬件；不僅如此，這
關(guān)鍵字： NI I/O模塊 FPGA LabVIEW

NI推出4種用于PXI平臺的新型R系列I/O模塊

　　2008年5月，美國國家儀器有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)NI）推出4種用于PXI平臺的新型R系列 I/O模塊，這些模塊都配備了高性能的Xilinx Virtex-5現場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)芯片。NI PXI-7841R, PXI-7842R, PXI-7851R 和PXI-7852R模塊具有8個(gè)模擬輸入、8個(gè)模擬輸出和96個(gè)數字I/O通道，而且模擬輸入的速率比以前版本的R系列設備快3.5倍以上。這些新型模塊為工程師和科學(xué)家們提供了即時(shí)可用的硬件；不僅如此，這些硬件還可通過(guò)NI LabVIEW FPGA軟件進(jìn)行圖
關(guān)鍵字： NI I/O模塊 FPGA 嵌入式設計

創(chuàng )惟GL860A USB 2.0電腦視訊攝影機控制晶片獲多家NB大廠(chǎng)採用

　　國內高速I(mǎi)/O通訊的領(lǐng)導廠(chǎng)商—創(chuàng )惟科技，宣布其USB 2.0電腦視訊攝影機控制晶片(產(chǎn)品代號: GL860A)通過(guò)數家客戶(hù)的驗證，現已獲國內外多家筆記型電腦品牌大廠(chǎng)採用並順利量產(chǎn)。GL860A產(chǎn)品除了應用於目前市場(chǎng)上筆記型電腦之主流機種外，還包括未來(lái)有極高成長(cháng)動(dòng)能的簡(jiǎn)易筆記型電腦、低價(jià)筆記型電腦和強調手持行動(dòng)性高的行動(dòng)網(wǎng)路裝置(MID, Mobile Internet Device)。GL860A目前出貨量呈現穩定成長(cháng)，也顯示創(chuàng )惟在影像IC市場(chǎng)上前景可期?！? 　　GL860A
關(guān)鍵字： I/O 創(chuàng )惟電腦視訊

3G手機技術(shù)發(fā)展與設計架構(3)

2.RTD（NFCRecordTypeDefinition）技術(shù)規格－規范、定義用于信息（Message）的資料記錄型態(tài)，「信息」主要是用在合...
關(guān)鍵字： NFC 速率模式 i-Cash RC 介面交通票務(wù) 晶片 Philips Format 感應式智能卡

C8051F02X外部存儲器接口和I/O端口配置

摘要：介紹美國Cygnal公司生產(chǎn)的C8051F02X系列單片機的外部存儲器接口、I/O端口配置方法和有關(guān)注意的問(wèn)題；在此基礎上列舉兩個(gè)關(guān)于EMIF、I/O的配置應用。關(guān)鍵詞：C8051F02X EMIF I/O 交叉開(kāi)關(guān) 美國Cygnal公司C8051F02X系列單片機是集成在一起芯片上的混合信號系統級單片機。該單片機具有32/64位數字I/O端口（引腳）、25MIPS高速流水線(xiàn)式8051微控制器內核、64KB在系統可編程Flash存儲器、64KB地址的外部存儲器接口、4352（4096
關(guān)鍵字： C8051F02X EMIF I/O 交叉開(kāi)關(guān)

用I2C總線(xiàn)擴展I/O

在系統應用中，需監控不同的輸入信號或控制幾個(gè)輸出信號，有時(shí)把這些信號線(xiàn)直接連接到微處理器引腳。這些監控和控制用軟件來(lái)做。然而，這種技術(shù)需要很多微處理器引腳。
關(guān)鍵字： I2C I/O

Hittite Microwave發(fā)布兩款無(wú)源GaAs MESFET I/Q混頻器

　　Hittite Microwave公司日前發(fā)布兩款用于頻率范圍為3～7GHz的點(diǎn)對點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電、WiMAX基礎設施、測試裝置和軍事應用的無(wú)源GaAs MESFET I/Q混頻器。　　HMC620LC4是一個(gè)可在3～7GHz頻率范圍內提供32dB鏡像抑制、43dB LO至RF隔離度以及+22dBm穩定輸入IP3性能的無(wú)源I/Q混頻器/IRM。這個(gè)經(jīng)過(guò)精心設計的雙平衡混頻器集成電路可確保出色的振幅和相位平衡，同時(shí)將變頻損耗限制在標稱(chēng)值8dB。HMC620是一個(gè)工作頻率范圍相同的緊湊型芯片混頻器，可提供33
關(guān)鍵字： Hittite Microwave I/Q 混頻器測量?jì)x器用電源

DAC1201KP-V在高精度數控直流電流源中的應用

在指導2005年全國大學(xué)生電子設計競賽F題“數控直流電流源”中，經(jīng)過(guò)對設計題目的詳細分析，提出以DACl201KP-V型12位D/A轉換器為控制核心，與普通運算放大器和達林頓管相結合，間接控制電流大小的實(shí)現方案。
關(guān)鍵字：電流應用直流數控高精度 DAC1201KP-V

采用FPGA的低功耗系統設計

　　結合采用低功耗元件和低功耗設計技術(shù)在目前比以往任何時(shí)候都更有價(jià)值。隨著(zhù)元件集成更多功能，并越來(lái)越小型化，對低功耗的要求持續增長(cháng)。當把可編程邏輯器件用于低功耗應用時(shí)，限制設計的低功耗非常重要。本文將討論減小動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗的各種方法，并且給出一些例子說(shuō)明如何使功耗最小化。　　功耗的三個(gè)主要來(lái)源是啟動(dòng)、待機和動(dòng)態(tài)功耗。器件上電時(shí)產(chǎn)生的相關(guān)電流即是啟動(dòng)電流;待機功耗又稱(chēng)作靜態(tài)功耗，是電源開(kāi)啟但I/O上沒(méi)有開(kāi)關(guān)活動(dòng)時(shí)器件的功耗;動(dòng)態(tài)功耗是指器件正常工作時(shí)的功耗。　　啟動(dòng)電流因器件而異。例如，基于SRAM
關(guān)鍵字：嵌入式系統單片機 FPGA 低功耗 I/O

Linear 發(fā)布直接轉換I/Q解調器

　　凌力爾特公司(Linear)推出新的高線(xiàn)性度直接轉換 I/Q 解調器 LT5575，該器件極大地降低了 3G 和 WiMAX 基站接收器的成本。LT5575 具有 800MHz 至 2.7GHz 的寬工作頻率范圍，因此用一個(gè)器件就覆蓋了所有蜂窩和 3G 基礎設施、WiMAX 和 RFID 系統的頻帶。該器件能夠將射頻信號直接轉換成 DC 或低頻基帶信號，從而簡(jiǎn)化了接收器設計、減少了組件數并允許使用較低成本的低頻組件。LT5575 在 900MHz 時(shí)具有卓越的 28dBm IIP3 和 54.1dBm
關(guān)鍵字：通訊無(wú)線(xiàn) 網(wǎng)絡(luò ) 凌力爾特 I/Q 解調器模擬IC

51單片機I/O口使用經(jīng)驗

按常規，在51端口（P1、P2、P3）某位用作輸入時(shí)，必須先向對應的鎖存器寫(xiě)入1，使FET截止。一般情況是這樣，也有例外。所謂IO口內部與電源相連的上拉電阻而非一常規線(xiàn)性電阻，實(shí)質(zhì)上，該電阻是由兩個(gè)場(chǎng)效應管并聯(lián)在一起：一個(gè)FET為負載管，其阻值固定；另一個(gè)FET可工作在導通或截止兩種狀態(tài)（姑且叫可變FET）。使其總電阻值變化近似為0或阻值較大（20千歐--40千歐）兩種情況。當和端口鎖存器相連的FET由導通至截止時(shí)，該阻值近似為0，可將引腳快速上拉至高電平；當和鎖存器
關(guān)鍵字：單片機 I/O MCU和嵌入式微處理器

fimicro將Ramtron的4Mb F-RAM存儲器用于智能I/O模塊設計中

　　F-RAM和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商 Ramtron International Corporation 宣布位于德國的嵌入式軟件和硬件供應商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 PC/104 兼容單板計算機 (SBC) 和智能 I/O 擴展模塊中，采用了 Ramtron 的非易失性 F-RAM 存儲器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太網(wǎng)和 USB 板的設計中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM，以取代
關(guān)鍵字：嵌入式系統單片機 F-RAM 半導體 I/O模塊半導體材料

S i／C負極在實(shí)際應用中的失效原因分析

　　近幾年來(lái)，Si由于具有較高的比容量而成為鋰離子蓄電池負極材料的研究熱點(diǎn)。但是，硅在反復充放電過(guò)程中經(jīng)歷很大的體積變化，很快發(fā)生明顯容量衰減。雖然許多研究機構以及材料廠(chǎng)商通過(guò)表面改性、摻雜以及復合等方法，對材料進(jìn)行了優(yōu)化，取得了一定的效果，但仍然不是十分理想，在實(shí)際應用中還存在著(zhù)許多的問(wèn)題，因此還沒(méi)有得到廣泛的實(shí)際應用。我們將一種Si/C負極材料應用于14500圓柱形電池體系中，對它與碳負極電池的基本性能進(jìn)行了對比，并對該種Si/C負極材料在實(shí)際應用中存在的問(wèn)題以及失效原因進(jìn)行了分析。　　1實(shí)驗
關(guān)鍵字：嵌入式系統單片機 S i／C MCU和嵌入式微處理器

Molex簽約AmphenolTCS成為I-Trac背板互連系列第二供應商

Molex公司與Amphenol TCS (ATCS)簽署互惠/第二供應商許可協(xié)議，允許ATCS在全球制造和營(yíng)銷(xiāo)I-Trac™背板連接器系統。 "Molex很高興宣布這次Molex-ATCS關(guān)系的最新進(jìn)展，”Molex首席執行官Martin Slark指出。 “我們的I-Trac設計所依賴(lài)的技術(shù)為用戶(hù)提供無(wú)可比擬的多項功能和性能。通過(guò)與ATCS的合作，我們將可以擴展這一領(lǐng)先技術(shù)在業(yè)內的應用?！?nbsp; I-Trac許可協(xié)議進(jìn)一
關(guān)鍵字：消費電子 Molex I-Trac ATCS 消費電子

基于單片機控制的數字氣壓計設計與實(shí)現

　　摘要：介紹了一種精密數字氣壓計的軟硬件實(shí)現方法。該方法通過(guò)氣壓傳感器獲得與大氣壓相對應的模擬電壓值，并經(jīng)過(guò)V／F變換輸入到單片機進(jìn)行處理，從而實(shí)時(shí)顯示相應的氣壓值。用本文所述的方法制成的氣壓計攜帶方便，操作簡(jiǎn)單，精確度高，完全符合設計要求。　　關(guān)鍵詞：氣壓計；氣壓傳感器；V／F轉換器；單片機１　引言　　氣壓計是利用壓敏元件將待測氣壓直接變換為容易檢測、傳輸的電流或電壓信號，然后再經(jīng)過(guò)后續電路處理并進(jìn)行實(shí)時(shí)顯示的一種設備。其中的核心元件就是氣壓傳感器，它在監視壓力大小、控制壓力變化以及物
關(guān)鍵字：氣壓計氣壓傳感器 V／F轉換器單片機 MCU和嵌入式微處理器