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使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

  • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個(gè)寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構成的。這個(gè)寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
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如何保護你的系統不受反向電流的影響

  • 如何保護你的系統不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時(shí),你有時(shí)候不可避免地會(huì )聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現了高反向偏置電壓,系統中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護你的系統不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠對現有解決方案有高層次的總體認識和了解。
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揭開(kāi)電池管理系統的神秘面紗

  • 揭開(kāi)電池管理系統的神秘面紗-現在的電子設備具有更高的移動(dòng)性并且比以前更綠色,電池技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)了這一進(jìn)展,并惠及了包括便捷式電動(dòng)工具、插電式混合動(dòng)力車(chē)、無(wú)線(xiàn)揚聲器在內的廣泛產(chǎn)品。近年來(lái),電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現大幅改善。試想一下汽車(chē)電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動(dòng)汽車(chē)。隨著(zhù)技術(shù)的最新進(jìn)展,你可以改用鋰離子電池來(lái)迅速啟動(dòng)汽車(chē),其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
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FET知識:采用結型FET實(shí)現的放大電路經(jīng)典案例

  •   與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級FET放大電路之間的連接也必須通過(guò)電容連接,以構成CR的連接方式。此時(shí),為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系,就需要偏置電路來(lái)提供柵極電壓?! ∨c晶體管放大電路的接地方式相同,結型FET放大電路也有多種接地方式?! ∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路  n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反?! ET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
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使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

  • 該電路采用衰減場(chǎng)效應晶體管(FET)分流信號到地面。這個(gè)R2是用來(lái)控制輸出級(衰減等級),但是你可以用其他來(lái)源的電壓信號來(lái)控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負面的信號電壓會(huì )(你可以用DAC采用對稱(chēng)與供電系統)。使用FET...
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單片機設計注意要點(diǎn)

  • 首先介紹一下這樣做的優(yōu)點(diǎn):采用低的晶振和總線(xiàn)頻率使得我們可以選擇較小的單片機滿(mǎn)足時(shí)序的要求,這樣單片機的工作電流可以變得更低,最重要的是VDD到VSS的電流峰值會(huì )更小。
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學(xué)好嵌入式系統電路入門(mén)之——二極管/晶體管/FET

  •   導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導體   硅和鍺是位于銀、鋁等導體和石英、陶瓷等絕緣體之間,用于制造半導體器件的原材料,具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過(guò)向其摻入雜質(zhì)來(lái)改變自由電子的數量,并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱(chēng)為半導體。        根據電流流動(dòng)的構造,可將半導體分為N型和P型兩類(lèi)。   半導體的電流流通原理   (1) N型半導體   圖1是在硅晶
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宜普電源轉換公司(EPC)的可靠性測試報告記錄了超過(guò)170億小時(shí)測試器件的可靠性的現場(chǎng)數據,結果表明器件的失效率很低

  •   EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非??煽?,為工程師提供可信賴(lài)及可 替代采用傳統硅基器件的解決方案?! ∫似针娫崔D換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告,展示出在累計超過(guò)170億器件-小時(shí)的測試后的現場(chǎng)數據的分布結果,以及提供在累計超過(guò)700萬(wàn)器件-小時(shí)的應力測試后的詳盡數據。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復合0.24 FIT失效率的現場(chǎng)數據。這個(gè)數值與我們直至目前為止所取得
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TI推出業(yè)界首款100V高壓側FET驅動(dòng)器可驅動(dòng)高電壓電池

  •   近日,德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側 FET 驅動(dòng)器。該驅動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅動(dòng)能量存儲系統,以及電機驅動(dòng)型應用中常用電池里的高壓側N溝道充放電FET,包括無(wú)人機、電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車(chē)等等。如需了解更多詳情,敬請訪(fǎng)問(wèn):http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。   電感性
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詳解LED PWM調光技術(shù)及設計注意點(diǎn)

  •   無(wú)論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線(xiàn)性穩壓器驅動(dòng),連接每一個(gè)驅動(dòng)電路最常見(jiàn)的線(xiàn)程就是須要控制光的輸出?,F今僅有很少數的應用只需要開(kāi)和關(guān)的簡(jiǎn)單功能,絕大多數都需要從0~100%去微調亮度。目前,針對亮度控制方面,主要的兩種解決方案為線(xiàn)性調節LED的電流(模擬調光)或在肉眼無(wú)法察覺(jué)的高頻下,讓驅動(dòng)電流從0到目標電流值之間來(lái)回切換(數字調光)。利用脈沖寬度調變(PWM)來(lái)設定循環(huán)和工作周期可能是實(shí)現數字調光的最簡(jiǎn)單的方法,原因是相同的技術(shù)可以用來(lái)控制大部分的開(kāi)關(guān)轉換器。   PWM調光能調配準確色光
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基于場(chǎng)效應管的功率放大器設計

  • 摘要:用場(chǎng)效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類(lèi),后級采用甲乙類(lèi)推挽放大技術(shù)。實(shí)驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關(guān)。從聽(tīng)音效果來(lái)看,末級電流200mA是理想值。 前后級間耦合電容對聽(tīng)音影響較大,要求質(zhì)量高些。 對于音頻功率放大器而言,最好聽(tīng)的莫過(guò)于甲類(lèi)放大器。根據頻率分析的結果,由集成運算放大器構成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以,可不可以前級采用單管甲類(lèi)放大器,后級采用甲乙類(lèi)功率放大器?這樣既兼顧聽(tīng)音需要,又兼顧效率的需要。目前,電子管音頻功率放大器仍然占據
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用于汽車(chē)啟停的低耗能電源設計的幾種方法

  • 隨著(zhù)城市快節奏的發(fā)展,大多數人擁有自己的車(chē),這也使得交通變得擁堵,而汽車(chē)在高峰期的走走停停會(huì )耗掉很多的能源,不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車(chē)系統中的“啟停”功能,但是這種系統也給汽車(chē)電子帶來(lái)了一些獨特的工程技術(shù)挑戰,汽車(chē)啟停系統中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車(chē)啟停的低耗能電源設計。 為了控制燃油消耗,許多汽車(chē)制造商在下一代汽車(chē)中實(shí)現了“啟停”功能,而且為數眾多的這種汽車(chē)已經(jīng)開(kāi)始上路。這些系統會(huì )在汽車(chē)停下來(lái)時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機,當腳從剎車(chē)踏板移動(dòng)
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新電源模塊如何解決關(guān)鍵設計問(wèn)題

  • 新型靈活應用的高密度電源模塊現在能夠以易于使用的集成封裝提供先進(jìn)的電熱性能。系統性能的提升促進(jìn)了對更高功率電源的要求,以及由于需要快速實(shí)現收入的壓力迫使設計人員縮短開(kāi)發(fā)周期,從而對全功能、快速實(shí)現電源解決方案的需要呈激增之勢。電源模塊可以解決這些問(wèn)題,并提供系統設計人員所需的靈活性和性能,幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
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Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負載開(kāi)關(guān)

  •   2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負載開(kāi)關(guān)每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來(lái)實(shí)現低導通電阻、外形尺寸最小同時(shí)可靠性提高?! LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
  • 關(guān)鍵字: Silego  FET  SLG59M1527V  
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