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開(kāi)關(guān)電源中EMI干擾源的抑制方案
- 介紹輻射干擾的傳輸通道?！ ?1)在開(kāi)關(guān)電源中，能構成輻射干擾源的元器件和導線(xiàn)均可以被假設為天線(xiàn)，從而利用電偶極子和磁偶極子理論進(jìn)行分析;二極管、電容、功率開(kāi)關(guān)管可以假設為電偶極子，電感線(xiàn)圈可以假設為
- 關(guān)鍵字： 方案 抑制 干擾 EMI 開(kāi)關(guān)電源
EMI噪聲分析及EMI濾波器的設計
- 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)電源 EMI 濾波器 干擾噪聲
開(kāi)關(guān)電源EMI濾波器設計
- 摘要：分析了一種典型的開(kāi)關(guān)電源電路，利用Pspice軟件對其傳導電磁干擾進(jìn)行仿真研究，以TDK公司提供的元器件模型，提出了一種二階無(wú)源EMI濾波器，完全消除了電路輸出信號中的尖峰干擾，抑制了開(kāi)關(guān)電源電路中的共模、
- 關(guān)鍵字： EMI 開(kāi)關(guān)電源 濾波器設計
設計更高能效、極低EMI準諧振適配器
- 準方波諧振轉換器也稱(chēng)準諧振(QR)轉換器，廣泛用于電源適配器。準方波諧振的關(guān)鍵特征是金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達到其最低值時(shí)導通，從而減小開(kāi)關(guān)損耗及改善電磁干擾(EMI)信號。 準諧振轉換器采用不連續導電模式(DCM)工作時(shí)，VDS必須從輸入電壓(Vin)與反射電壓(Vreflect)之和降低到Vin。變壓器初級電感(Lp)與節點(diǎn)電容(Clump，即環(huán)繞MOSFET漏極節點(diǎn)的所有電容組合值，包括MOSFET電容和變壓器寄生電容等)構成諧振網(wǎng)絡(luò )，Lp與C
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 電源適配器 EMI
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