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Diodes低壓降穩壓器提升系統穩定性及瞬態(tài)響應

  •   Diodes 公司推出專(zhuān)為驅動(dòng)低等效串聯(lián)電阻(ESR)1µF MLCC電容器設計的一系列全新低壓降線(xiàn)性穩壓器 (LDO) ,用于降低系統級制造成本,并改善控制回路穩定性和瞬態(tài)響應。   AP731x 和 AP733x 分別為 150mA 和 300mA 的CMOS LDO,2V 至 6V的寬輸入電壓范圍能滿(mǎn)足固定或可調輸出電壓要求。固定輸出電壓 LDO 的范圍為1.0V 至3.3V,而可調節器件能支持 0.8V 至5V 的輸出電壓。   這些LDO 器件的規定輸出精確度為2%,可在特定
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Diodes音頻DAC及前置放大器芯片助力THX Big Room演示

  •   近期在美國亞特蘭大舉辦的CEDIA Expo 2009上,Diodes公司的多通道DAC及數字前置放大器Zetex ZXCZM800在世界首次THX "Big Room"音頻概念演示中起到了舉足輕重的作用。Big Room是THX公司全新的產(chǎn)品設計和經(jīng)過(guò)認證的概念,旨在為用于大型、多排媒體室和家庭影院的專(zhuān)業(yè)消費級放大器、前置放大器和揚聲器帶來(lái)專(zhuān)業(yè)的音頻質(zhì)量和性能。   作為首次演示的THX Big Room系列認證產(chǎn)品的一部分,Diodes八通道ZXCZM800器件起到了數字交叉
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Diodes 推出適合LCD背光應用的新型MOSFET 器件

  •   Diodes 公司進(jìn)一步擴展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列,推出15款針對 LCD 電視和顯示器背光應用的新型器件。新器件采用業(yè)界標準的TO252和SO8 封裝,具有高功率處理和快速開(kāi)關(guān)功能,可滿(mǎn)足高效CCFL驅動(dòng)器架構的要求。   Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權表示:“30V 額定雙N溝道DMN3024LSD 采用SO8 封裝,適用于推挽式逆變器,可比分立式元件節省更多的空間。對于需要一對互補器件的全橋和半橋拓撲,DMC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 溝道 MO
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Diodes公司推出AP21x6雙USB電源開(kāi)關(guān)系列

  •   Diodes公司擴展其AP21x1/x2產(chǎn)品陣營(yíng),推出AP21x6雙USB電源開(kāi)關(guān)系列。相比同類(lèi)器件,該系列器件擁有更小的占位面積、更完善的開(kāi)關(guān)導通電阻和更理想的功率耗散。這些集成高側電源的開(kāi)關(guān)經(jīng)過(guò)了優(yōu)化,最適合自供電和總線(xiàn)供電的USB 應用,以及其它熱插拔 (Hot-swap) 應用。該系列器件滿(mǎn)足所有USB標準,并配有Enable輸入的兩極性選擇。AP21x6系列提供經(jīng)濟且小巧的實(shí)施架構,為不同系統中的USB端口帶來(lái)全面的保護。   據Diodes全球營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理許忠真指出,AP21x6系列無(wú)論在格
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Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件

  •   Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件,它采用SO8封裝,包含一對互補100V增強式MOSFET,性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路,應用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類(lèi)放大器輸出級以及其他多種48V應用。   Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權指出:“這個(gè)N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件,有助減省電路板空間及元件數目,同時(shí)簡(jiǎn)化柵極驅動(dòng)電路設計。比方說(shuō),SO8充分發(fā)揮了
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Diodes推出新型MOSFET 半橋器件

  •   Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝,為空間受限的應用減少了元件數量和PCB尺寸,極大地簡(jiǎn)化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設計。   Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權指出:“ZXMHC 元件為SO8封裝,包含兩對互補N型和P型MOSFET,可取代四個(gè)分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個(gè)SO8 互補MOSFET 封裝。對于現有不同類(lèi)型的電機或其它感性負載驅動(dòng)裝置來(lái)說(shuō),這意味著(zhù)可節省至少一半的PCB占板面積,同時(shí)大幅降低整體存貨成本?!?   ZXM
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Diodes推出新型數模轉換器和前置放大器芯片

  •   Diodes推出新型8通道數模轉換器 (DAC) 和前置放大器 (Pre-amplifier) 芯片,幫助設計人員減少音視頻接收器和附加聲卡的組件成本,并改善音頻性能。   ZXCZM800芯片是Diodes公司旗下Zetex直接數字反饋放大器 (DDFA) 產(chǎn)品線(xiàn)中的一款,能將電路設計化繁為簡(jiǎn),在高性能差模下實(shí)現高達126db的動(dòng)態(tài)范圍(DNR)。這個(gè)DAC解決方案的出色性能將成為使用DDFA芯片組創(chuàng )建的數字放大器的有益補充。   Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權指出,現有消費和專(zhuān)業(yè)級
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Diodes推出新款微型電流監視器ZXCT1023

  •   Diodes公司推出新款微型電流監視器ZXCT1023,為便攜式應用提供了全球體積最小的電池電流測量解決方案。新器件采用薄型4引腳、1.2 x 1.8mm DFN封裝,可支持系統管理功能,有效延長(cháng)動(dòng)態(tài)運行時(shí)間。   ZXCT1023是一款精確的高壓側電流監視器,固定增益為50,只需一個(gè)外部電流檢測電阻器便能準確監測電流。該器件的典型靜態(tài)電流消耗只有3.5μA,有助于減少電力消耗,延長(cháng)電池壽命。   Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權指出,這款監視器的工作電壓范圍較寬,為2.5V
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MOSFET封裝節省占板空間并提高充電器性能

  •   Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術(shù),推出便攜式充電設備的開(kāi)關(guān)。   Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權先生指出,DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個(gè)20V的P溝道增強模式MOSFET與一個(gè)配套二極管組合封裝,提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個(gè)相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。   與傳統便攜式應用設計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
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Diodes推出高壓超勢壘整流器系列第一款器件

  •   Diodes公司推出高壓超勢壘整流器 (Super Barrier Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。該系列采用熱效率和緊湊的專(zhuān)有PowerDI5封裝,具有卓越的超低熱阻,使SBR10U200P5能以減少40%的占位面積,實(shí)現雙倍的功率密度。   Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權表示,SBR10U200P5是業(yè)界體積最小的引線(xiàn)式10A整流器,額定電壓高達200V,能夠在10A額定電流和125℃的結溫下提供業(yè)內領(lǐng)先的低至0.7V的正向電壓降 (VF)。該
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Diodes新LED驅動(dòng)器系列削減元件開(kāi)銷(xiāo)

  • Diodes公司推出全新LED驅動(dòng)器集成電路(IC)系列AP880X,以顯著(zhù)減少驅動(dòng)電路所需的外部元件數目和尺寸。AP880X降壓式DC-DC轉換器只需4個(gè)元件支持,能在高達600kHz的開(kāi)關(guān)頻率下工作,從而可以使用體積更小、成本更低的電感器和電容器。
  • 關(guān)鍵字: Diodes  IC  LED驅動(dòng)器  

Diodes新LED驅動(dòng)器系列削減元件開(kāi)銷(xiāo)

  •   Diodes公司推出全新LED驅動(dòng)器集成電路(IC)系列AP880X,以顯著(zhù)減少驅動(dòng)電路所需的外部元件數目和尺寸。AP880X降壓式DC-DC轉換器只需4個(gè)元件支持,能在高達600kHz的開(kāi)關(guān)頻率下工作,從而可以使用體積更小、成本更低的電感器和電容器。
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Diodes 推出全新OR'ing 控制器

  •   Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102,使共享式電源系統的設計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管,從而在對正常運行時(shí)間要求苛刻的電信、服務(wù)器及大型機應用中,實(shí)現更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。   Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權表示,傳統上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高,這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關(guān)系。如果用典型正向電壓低于100mV的導通電阻較低的MOSFET替代二極管,功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
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Diodes 推出全新OR'ing 控制器

  •   Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102,使共享式電源系統的設計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管,從而在對正常運行時(shí)間要求苛刻的電信、服務(wù)器及大型機應用中,實(shí)現更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。
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Diodes自保護式MOSFET節省85%的占板空間

  •   Diodes公司擴展其IntelliFET產(chǎn)品系列,推出全球體積最小的完全自保護式低壓側MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝,與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節省了85%的占板空間。   雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧,但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類(lèi)較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導通電阻僅為500m?,能夠使功耗保持在絕對極小值。     ZXMS
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