Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出單門(mén)邏輯器件系列,有助于各種便攜式消費電子產(chǎn)品節省用電及空間,包括手機、電子書(shū)閱讀器與平板電腦。74AUP1G系列邏輯器件采用3V的先進(jìn)超低功率CMOS (互補式金屬氧化物半導體) 制程,其引腳與業(yè)界的標準器件兼容,還提供超薄的微型DFN封裝。
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Diodes 電池 邏輯器
Diodes公司推出可輸出高達150mA恒流的AL5812 60V線(xiàn)性發(fā)光二極管 (LED) 驅動(dòng)器,為低電流照明及指示牌應用提供準確控制0.5W LED的簡(jiǎn)化電路解決方案。該驅動(dòng)器尺寸小巧、采用熱性能改善的表面貼裝封裝,能夠滿(mǎn)足廣泛的電源電壓及環(huán)境溫度需求。
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Diodes LED AL5812
標簽:LED 照明 光源Diodes 公司的AL9910/A是PWM高效高壓高亮LED驅動(dòng)器控制集成電路.源電壓從85VAC到256VAC,輸入電壓高達500V. AL9910能以固定頻率高達300kHz驅動(dòng)外接MOSFET,輸出電流從幾毫安到大于1.0A,效率高于90%
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Diodes 13W LED
Diodes 公司推出全球體積最小的可編程、全極性霍爾效應開(kāi)關(guān)。這款AH1892器件適用于受空間限制的便攜式及電池驅動(dòng)產(chǎn)品,包括平板電腦、智能手機和攝像機,特別適合接近效應與位置檢測的需要。AH1892是一款微功率器件,采用微型的四引腳0.7 x 0.7 x 0.5毫米U-WLB0707-4封裝,體積比一般三引腳TSOT封裝產(chǎn)品小十七倍。
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Diodes AH1892 霍爾效應
Diodes公司推出新型的低功耗高頻頭(Low Noise Block,簡(jiǎn)稱(chēng)LNB)電源管理及控制集成電路系列,適用于機頂盒、內置衛星調頻器的電視,以及計算機衛星調諧器卡等不同產(chǎn)品。全新ZLPM8000系列以提升產(chǎn)品效率和可靠性為設計原則,務(wù)求為制造商帶來(lái)所需的靈活性,迎合全球衛星電視標準的要求。
三款率先面世的單輸出器件包括:高電流ZLPM8010(750mA)及低電流 ZLPM8011(450mA),兩者均功能完備,支持DiSEqC 1與DiSEqC 2標準;而低電流ZLPM8012(450
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Diodes 電源管理
Diodes公司推出AP9060過(guò)壓鉗位器,用以保護便攜式應用中的電源管理集成電路 (PMIC)。該產(chǎn)品采用1.1 x 1.4 x 0.8毫米的小型 W-DFN1114-3封裝,適用于最新一代的電池供電產(chǎn)品,包括智能手機、平板電腦及超迷你筆記本電腦。
該新器件能支持很寬的3V至30V的充電器輸出電壓,把通至PMIC的電壓限制在安全的11V鉗位電壓之內。AP9060通過(guò)反饋回路控制一個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān),有效地維持鉗位電壓水平。該器件使用超低的偏置電流,將自身發(fā)熱量降至最低,從而提升產(chǎn)品的可靠性。
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Diodes 電源管理
Diodes Incorporated 推出新型DRDC3105綜合繼電器驅動(dòng)器 (Integrated Relay Driver) ,通過(guò)把一個(gè)完整的固態(tài)繼電器驅動(dòng)器整合于單一的表面貼面封裝,可以盡可能地減少印刷電路板的占板面積、削減組件數量,并改善電感性負載控制電路的可靠性。
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Diodes 繼電器 DRDC3105
Diodes公司推出AL5801線(xiàn)性發(fā)光二極管(LED)驅動(dòng)器,僅需兩個(gè)外加組件,就可以為設計人員簡(jiǎn)化汽車(chē)內部、指示牌及一般照明控制電路。這款占位小、采用SOT26封裝的器件,把一個(gè)100V額定N通道MOSFET集成于一個(gè)經(jīng)過(guò)預先偏置的NPN晶體管,能驅動(dòng)由多達三十個(gè)20mA至350mA低功率串聯(lián)LED組成的鏈路。
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Diodes 二極管 LED
Diodes Incorporated 推出一系列占板面積小、采用低剖面封裝的高速開(kāi)關(guān)二極管,有助大幅降低器件數量及電路板面積。新品系列除具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓 (Breakdown Voltage) 外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封裝,以供顧客選擇。
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Diodes 二極管
Diodes Incorporated 推出一系列占板面積小、采用低剖面封裝的高速開(kāi)關(guān)二極管,有助大幅降低器件數量及電路板面積。新品系列除具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓 (Breakdown Voltage) 外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封裝,以供顧客選擇。
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Diodes 二極管
Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,讓反激式電源設計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器,作為理想驅動(dòng)二極管。同時(shí),ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗,以及逾87%的滿(mǎn)載效率。
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Diodes 控制器 MOSFET
Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉換器內效率較低的肖特基二極管,并通過(guò)減少多達70%的整流器損耗,有效提升最高達3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應系統更容易達到能源之星V2.0所規定的電源平均效率需達到87%的評級要求。
這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣,介于5V至25V之間,可由適配器的19V供電軌直接供電,并且在瞬態(tài)過(guò)壓狀態(tài)下,保證器件正常
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Diodes MOSFET 控制器
Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉換器內效率較低的肖特基二極管,并通過(guò)減少多達70%的整流器損耗,有效提升最高達3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應系統更容易達到能源之星V2.0所規定的電源平均效率需達到87%的評級要求。
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Diodes MOSFET ZXGD3104N8
Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結點(diǎn)至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W,能在持續狀態(tài)下支持高達1W的功率耗散,相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝,能實(shí)現更低溫度運行。
這款無(wú)鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣,印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2,并具備0.5mm的狹小離板高度,但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
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Diodes MOSFET
Diodes公司推出AP2331單信道限流負載開(kāi)關(guān)。該產(chǎn)品專(zhuān)為高清晰度多媒體接口 (HDMI) 的標準及其它監視器接口的保護功能而優(yōu)化設計,適合于3V至5V的熱插拔連接以及其它承受高電容性負載和可能受短路影響的應用。
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Diodes 負載開(kāi)關(guān) AP2331
diodes介紹
二極管(同見(jiàn)雙極晶體管,半導體,晶體管)
diodes(See also bipolar transistors;semiconductors;transistors)
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