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Benedetto Vigna對ST產(chǎn)品總結道，“We can do more with less！”
- 深耕MEMS 傳感器和執行器領(lǐng)域10年，ST擁有完整的產(chǎn)品組合，其產(chǎn)品覆蓋運動(dòng)傳感器、環(huán)境傳感器、麥克風(fēng)、觸控產(chǎn)品到執行器、低功耗模擬器件和射頻芯片等領(lǐng)域。 ST執行副總裁兼模擬器件、MEMS及傳感器產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Benedtto Vigna 在MEMS運動(dòng)傳感器方面，MEMS運動(dòng)傳感器不斷創(chuàng )新，其銷(xiāo)量更是超過(guò)50億，發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先的6軸傳感器。MEMS 麥克風(fēng)銷(xiāo)量超過(guò)5億件，市場(chǎng)份額從2012年不足2%增長(cháng)到2014年的10%。此外，壓力傳感器、紫外傳感器均都取得不錯的成績(jì)。
- 關(guān)鍵字： ST MEMS
Bosch Sensortec：提供全方位產(chǎn)品解決方案
- 做為全球排名第一的MEMS傳感器供應商，Bosch Sensortec早在1995年就已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)MEMS，MEMS產(chǎn)量達60億，擁有超過(guò)1000項專(zhuān)利。 Bosch Sensortec亞太區總裁Leopold Beer 目前，Bosch擁有慣性傳感器、環(huán)境傳感器、智能傳感器、聲學(xué)傳感器四類(lèi)產(chǎn)品，同時(shí)為客戶(hù)提供傳感器融合軟件以實(shí)現產(chǎn)品的最佳應用性能，提供標準操作系統/平臺的完整解決方案。Bosch Sensortec亞太區總裁Leopold Beer指出，未來(lái)傳感器將延伸至IoT解決方
- 關(guān)鍵字： Bosch MEMS
摸索中前行——中國MEMS眾生相
- 物聯(lián)網(wǎng)大發(fā)展背景下，可以預見(jiàn)傳感器率先受益，而MEMS傳感器優(yōu)勢明顯，將成未來(lái)趨勢，空間巨大，但是國內的MEMS主要靠進(jìn)口，這個(gè)產(chǎn)業(yè)何時(shí)能崛起。
- 關(guān)鍵字： MEMS
一些常用的電平標準
- 現在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡(jiǎn)單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結構。 Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因為2.4V與5V之間還有很大空閑
- 關(guān)鍵字： TTL，CMOS
CMOS電路中ESD保護結構的設計要求
- 簡(jiǎn)介：大部分的ESD電流來(lái)自電路外部，因此ESD保護電路一般設計在PAD旁，I/O電路內部。典型的I/O電路由輸出驅動(dòng)和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過(guò)PAD導入芯片內部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線(xiàn)，再由電壓線(xiàn)分布到芯片各個(gè)管腳，降低ESD的影響。 引言 靜電放電會(huì )給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著(zhù)集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來(lái)越薄，芯片的面
- 關(guān)鍵字： CMOS ESD
學(xué)習總結之電路是計算出來(lái)的
- 簡(jiǎn)介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去! 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實(shí)現輸入小信號的線(xiàn)性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據MOSFET的I-V特性曲線(xiàn)可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現為MOS管在飽和區的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區可以完全表現線(xiàn)性特性，并且實(shí)現信號的最大限度放大【理想條件下】
- 關(guān)鍵字： CMOS MOSFET
CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端的處理方法
- 簡(jiǎn)介：CMOS和TTL集成門(mén)電路在實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常遇到這樣一個(gè)問(wèn)題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩定的工作?本文給出了解決這個(gè)問(wèn)題的方法，供大家參考。 CMOS門(mén)電路 CMOS門(mén)電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應采用以下
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
MEMS傳感器，左右可穿戴設備的設計走向的中樞
- 剛剛在上海閉幕的MIG大會(huì )，這次MEMS行業(yè)標桿型的會(huì )議首次在中國召開(kāi)。這次大會(huì )無(wú)疑為中國MEMS市場(chǎng)的蓬勃前景又注射了一針強心劑。為期三天的會(huì )議針對MEMS全行業(yè)包括設計，生產(chǎn)，加工，終端等不同企業(yè)進(jìn)行了全面的展示。在中國這樣一個(gè)電子消費品大國，MEMS傳感器的需求量不言而喻。其中，越來(lái)越多的份額被可穿戴設備以及物聯(lián)網(wǎng)等非傳統消費電子類(lèi)產(chǎn)品所占有。 ADI亞太區微機電產(chǎn)品市場(chǎng)和應用經(jīng)理 趙延輝 MEMS傳感器在可穿戴設備上的應用設計與傳統的手機等終端的應用設計有著(zhù)不同的側重點(diǎn)。對于這
- 關(guān)鍵字： MEMS 傳感器
CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理
- 一、CMOS門(mén)電路 CMOS 門(mén)電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應采用以下方法： 1、與門(mén)和與非門(mén)電路：由于與門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時(shí)，輸出端才為高電平。而與非門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
我的一些數字電子知識總結（3）
- 簡(jiǎn)介：繼續把我在學(xué)習數字電路過(guò)程中的一些“細枝末節”小結一下，和大家共享。 1、在數字電路中，BJT一般工作在截止區或飽和區，放大區的經(jīng)歷只是一個(gè)轉瞬即逝的過(guò)程，這個(gè)過(guò)程越長(cháng)，說(shuō)明它的動(dòng)態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區或可變電阻區，恒流區的經(jīng)歷只是一個(gè)非常短暫的過(guò)程。因為我們需要的是確切的0、1值，不能過(guò)于“含糊”，否則數字系統內門(mén)電路之間的抗干擾性能會(huì )大打折扣! 2、數字IC內部很多門(mén)電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來(lái)，這樣
- 關(guān)鍵字： CMOS BJT
學(xué)習總結之電路是計算出來(lái)的
- 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實(shí)現輸入小信號的線(xiàn)性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據MOSFET的I-V特性曲線(xiàn)可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現為MOS管在飽和區的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區可以完全表現線(xiàn)性特性，并且實(shí)現信號的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態(tài)工作點(diǎn)約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
- 關(guān)鍵字： CMOS 電路
MEMS傳感器的未來(lái)在哪里？ 聽(tīng)業(yè)界大佬怎么說(shuō)
- 點(diǎn)按手環(huán)關(guān)閉鬧鐘，打開(kāi)手機APP看看昨晚的睡眠狀態(tài)，這是每天伴隨筆者的起床動(dòng)作。整個(gè)過(guò)程中，智能手機、可穿戴產(chǎn)品都包含單個(gè)或多個(gè)傳感器，正如聯(lián)芯科技總裁錢(qián)國良在MIG亞洲大會(huì )上講道，“傳感器已無(wú)處不在!” 拿蘋(píng)果iPhone 6為例，在全部76個(gè)芯片中，光MEMS產(chǎn)品有15-16個(gè)，占比約19%，隨著(zhù)更多傳感器的應用，這一比例仍在持續上升。在追逐萬(wàn)物互聯(lián)，智能生活的今天，傳感器的發(fā)展變化將成為物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代“智能化”的關(guān)鍵因素。作為傳感器芯片領(lǐng)域的&l
- 關(guān)鍵字： MEMS 傳感器
兩岸半導體大軍全面搶灘 MEMS傳感器戰況急升溫
- 過(guò)去在半導體領(lǐng)域一直坐冷板凳的感測芯片，近期在物聯(lián)網(wǎng)應用加持下全面翻紅，除了既有國際大廠(chǎng)持續鯨吞全球微機電系統(MEMS)感測芯片市場(chǎng)版圖，大陸MEMS感測芯片設計業(yè)者亦如雨后春筍般冒出，并吸引大陸上海市政府、中芯國際等加入蠶食商機行列，臺積電亦不遑多讓?zhuān)髨D打破國際IDM大廠(chǎng)獨霸局面，透過(guò)轉投資矽立(mCube)及扶植InvenSense等外商，全力沖刺感測器事業(yè)。 目前全球MEMS感測器商機主要被Bosch、意法半導體(STM)、Freescale等IDM大廠(chǎng)所獨占，在物聯(lián)網(wǎng)應用加持下，ME
- 關(guān)鍵字： MEMS 傳感器
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cmos-mems!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos-mems的理解，并與今后在此搜索cmos-mems的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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