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cmos-mems 文章 進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區
基于硅納米波導倏逝場(chǎng)耦合的超緊湊光學(xué)式MEMS加速度計
- 近些年，MEMS加速度計因其體積小、功耗低、易于與互補金屬氧化物半導體晶體管集成電路（CMOS IC）整合而受到持續關(guān)注。目前已經(jīng)開(kāi)發(fā)了電容、壓阻、壓電、光學(xué)等原理的加速度計，以檢測輸入加速度引起的檢測質(zhì)量塊位移。在這些技術(shù)中，光學(xué)方案已被證明具有更高的精度和穩定性，并且不會(huì )受到電磁干擾（EMI）。近些年，MEMS加速度計因其體積小、功耗低、易于與互補金屬氧化物半導體晶體管集成電路（CMOS IC）整合而受到持續關(guān)注。目前已經(jīng)開(kāi)發(fā)了電容、壓阻、壓電、光學(xué)等原理的加速度計，以檢測輸入加速度引起的檢測質(zhì)量塊位
- 關(guān)鍵字： MEMS 硅納米波
交錯式 HDR 解決方案讓能耗最多降低 24%，谷歌 Pixel 8 將采用三星 ISOCELL GN2 相機
- IT之家 12 月 20 日消息，谷歌 Pixel 系列手機為了改善動(dòng)態(tài)范圍、減少重影，一直使用多幀 HDR 解決方案。小道消息人士和開(kāi)發(fā)者 Kuba Wojciechowski 發(fā)現 2023 年款 Pixel 將會(huì )采用交錯式 HDR（staggered HDR）解決方案，帶來(lái)更優(yōu)秀的成像質(zhì)量。Wojciechowski 近日逆向編譯了 Google Camera Go 應用，發(fā)現明年推出的 Pixel 8 將會(huì )采用交錯式 HDR 解決方案。而且他還表示 Pixel 6/7 系列所使用的三星
- 關(guān)鍵字： 三星 谷歌 CMOS
富士將在韓國建設半導體生產(chǎn)工廠(chǎng)，將于 2024 年春季投入運營(yíng)
- IT之家 12 月 20 日消息，富士膠片已宣布計劃在韓國建設一家工廠(chǎng)，生產(chǎn)用于半導體制造的先進(jìn)材料，新工廠(chǎng)將具有尖端的制造能力和最先進(jìn)的評估設備，以便能夠生產(chǎn)高質(zhì)量和高性能的產(chǎn)品。據介紹，該工廠(chǎng)位于韓國平澤市，由富士膠片株式會(huì )社的子公司 Fujifilm Electronic Materials Korea Co., Ltd 負責建設，預計將于 2024 年春季投入運營(yíng)。該工廠(chǎng)將生產(chǎn)用于圖像傳感器的傳感器濾色片，并將成為該公司在韓國的第二家制造工廠(chǎng)。IT之家了解到，富士韓國第一家工廠(chǎng)位于 Ch
- 關(guān)鍵字： 富士 CMOS
微流控電阻抗檢測系統，用于細胞無(wú)標記即時(shí)檢測
- 基于電阻抗的細胞分析是一種無(wú)標記、非侵入性技術(shù)，已廣泛用于分析和識別各種應用中的細胞特征，如組織培養、細胞生長(cháng)及活力檢測等。微流控技術(shù)能夠將涉及樣品制備、操作和基于阻抗檢測的分析過(guò)程集成到單片芯片上，最大限度地減少系統尺寸、重量。據麥姆斯咨詢(xún)報道，近期，中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所的研究人員于《功能材料與器件學(xué)報》發(fā)表論文，搭建了一種簡(jiǎn)便的微流控電阻抗檢測系統，可根據電學(xué)差異對體積相近的不同微粒進(jìn)行區分，具有成本低、易集成、非標記等優(yōu)勢，未來(lái)可進(jìn)一步用于現場(chǎng)細胞即時(shí)檢測。微流控芯片的設計與制作采用
- 關(guān)鍵字： MEMS 微流控
ADALM2000實(shí)驗：CMOS邏輯電路、傳輸門(mén)XOR
- 本實(shí)驗活動(dòng)的目標是進(jìn)一步強化上一個(gè)實(shí)驗活動(dòng) “使用CD4007陣列構建CMOS邏輯功能” 中探討的CMOS邏輯基本原理，并獲取更多使用復雜CMOS門(mén)級電路的經(jīng)驗。具體而言，您將了解如何使用CMOS傳輸門(mén)和CMOS反相器來(lái)構建傳輸門(mén)異或(XOR)和異或非邏輯功能。背景知識為了在本實(shí)驗活動(dòng)中構建邏輯功能，需要使用 ADALP2000 模擬部件套件中的CD4007 CMOS陣列和分立式NMOS和PMOS晶體管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3對互補MOSFET組成，如圖
- 關(guān)鍵字： ADI CMOS 邏輯電路
思特威推出高端ADAS應用圖像傳感器
- IT之家 11 月 25 日消息，CMOS 圖像傳感器供應商思特威（SmartSens）近期推出 8.3MP 車(chē)規級圖像傳感器新品 ——SC850AT。新品采用思特威 SmartClarity-2 成像技術(shù)架構以及升級的自研 Raw 域算法，結合 SFCPixel、PixGain HDR 專(zhuān)利技術(shù)、LFS 技術(shù)等，帶來(lái)高分辨率、高感度、140dB 高動(dòng)態(tài)范圍、以及出色的 LED 閃爍抑制性能等提升。此外作為 Automotive Sensor (AT) Series 系列新品，SC850AT 基于 ASI
- 關(guān)鍵字： CMOS ADAS 汽車(chē)電子
比亞迪半導體發(fā)布全局快門(mén) CMOS 圖像傳感器芯片
- IT之家 9 月 10 日消息，近年來(lái)，CMOS 圖像傳感器在工業(yè)應用中變得愈發(fā)重要。比亞迪半導體近日宣布推出一款工業(yè)級全局快門(mén) CMOS 圖像傳感器芯片 ——BF3031。BF3031 是比亞迪半導體采用 Global shutter 技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)的一款 1/3 英寸的 50 萬(wàn)像素圖像傳感器芯片，支持并行和 MIPI 數字輸出接口，有效像素陣列為 838×640，最大幀速率為 120fps@full。比亞迪半導體表示，相較于 Rolling shutter，Global shutter 可有效解決物體
- 關(guān)鍵字： 全局快門(mén) CMOS 比亞迪
為什么遲遲沒(méi)有消費級全局快門(mén)相機？全局快門(mén)和卷簾快門(mén)優(yōu)缺點(diǎn)簡(jiǎn)述
- 索尼發(fā)布了一段視頻，解釋了全局快門(mén)和卷簾快門(mén)傳感器的優(yōu)缺點(diǎn)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，全局快門(mén)的優(yōu)勢在于高速攝影，拍攝高速移動(dòng)物體時(shí)不會(huì )失真（果凍效應），但在低噪點(diǎn)、像素損失、高感、動(dòng)態(tài)范圍等方面，均弱于卷簾快門(mén)（如果全局快門(mén)算“良好”，那卷簾快門(mén)就是“優(yōu)秀”）。這大概也就解釋了，為什么遲遲沒(méi)有采用全局快門(mén)的消費級相機面市，畢竟，為了高速攝影而要犧牲畫(huà)質(zhì)，有些得不償失。目前市面上的速度機，主要通過(guò)提高傳感器讀出速度來(lái)抑制運動(dòng)失真。
- 關(guān)鍵字： 全局快門(mén) CMOS
豪威發(fā)布超小尺寸全局快門(mén)圖像傳感器
- IT之家 8 月 25 日消息，當地時(shí)間 8 月 24 日，豪威集團宣布發(fā)布了業(yè)界首款也是唯一一款三層堆疊式 BSI 全局快門(mén)（GS）圖像傳感器 OG0TB?！ 『劳硎?，這款超小尺寸圖像傳感器用于 AR / VR / MR 和 Metaverse（元宇宙）消費設備中的眼球和面部跟蹤，封裝尺寸僅為 1.64 毫米 ×1.64 毫米，采用 2.2 微米像素尺寸和 1/14.46 英寸光學(xué)格式（OF）?！ 〈送?，這款 CMOS 圖像傳感器具有 400×400 分辨率和超低功耗。豪威數據顯示，OG0TB BS
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長(cháng)光辰芯發(fā)布GMAX4002全局快門(mén)近紅外增強CMOS圖像傳感器
- IT之家 11 月 10 日消息，長(cháng)光辰芯宣布推出 GMAX 系列最新產(chǎn)品- GMAX4002，進(jìn)一步豐富 GMAX 小面陣 CMOS 產(chǎn)品線(xiàn)，為小面陣工業(yè)相機提供更多選擇。GMAX4002 采用 4um 電荷域全局快門(mén)像素設計，有效分辨率為 2048 (H) x 1200 (V)，可以被廣泛用于定位、檢測、識別等多種視覺(jué)應用場(chǎng)景，同時(shí)也是讀碼器、ANPR 等應用的理想選擇?！ 〉靡嬗?4um 像素設計，GMAX4002 滿(mǎn)阱容量為 12 ke-，讀出噪聲小于 2.3e-，使得其最大動(dòng)態(tài)范圍為 68.
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ADALM2000實(shí)驗：CMOS邏輯電路、D型鎖存器
- 本實(shí)驗活動(dòng)的目標是進(jìn)一步強化上一個(gè)實(shí)驗活動(dòng) “ADALM2000實(shí)驗：使用CD4007陣列構建CMOS邏輯功能” 中探討的CMOS邏輯基本原理，并獲取更多使用復雜CMOS門(mén)級電路的經(jīng)驗。具體而言，您將了解如何使用CMOS傳輸門(mén)和CMOS反相器來(lái)構建D型觸發(fā)器或鎖存器。背景知識為了在本實(shí)驗活動(dòng)中構建邏輯功能，需要使用 ADALP2000 模擬部件套件中的CD4007 CMOS陣列和分立式NMOS和PMOS晶體管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3對互補MOSFET組成
- 關(guān)鍵字： ADI CMOS
慣性傳感器+類(lèi)卡爾曼誤差補償，預測AR/VR設備方向
- 增強現實(shí)（AR）和虛擬現實(shí)（VR）技術(shù)近年在產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界吸引了極高的關(guān)注度，它們豐富了現實(shí)世界環(huán)境，或用模擬環(huán)境替代現實(shí)世界。然而，AR/VR設備存在的端到端延遲會(huì )嚴重影響用戶(hù)體驗。尤其是動(dòng)顯延遲（Motion-to-photons latency，定義為從用戶(hù)發(fā)生動(dòng)作到該動(dòng)作觸發(fā)的反饋顯示在屏幕上所需要的時(shí)間），它是限制AR/VR應用的主要挑戰之一。例如，動(dòng)顯延遲高于20 ms就會(huì )導致用戶(hù)惡心或眩暈。因此，減少動(dòng)顯延遲對于改善用戶(hù)的虛擬體驗至關(guān)重要。減少動(dòng)顯延遲的一種常見(jiàn)方法是通過(guò)預判用戶(hù)的移動(dòng)來(lái)預測
- 關(guān)鍵字： MEMS 傳感器
睿感（ScioSense）推出基于CMOS-MEMS工藝的單芯片壓力傳感器
- 荷蘭 埃因霍溫，中國 濟南，2022年11月15日——業(yè)界領(lǐng)先的環(huán)境和高精度流量和時(shí)間測量傳感芯片廠(chǎng)商睿感（ScioSense）今日宣布，推出采用緊湊型封裝的內置溫度傳感器的超低功耗壓力傳感器--ENS220，可提供卓越的測量速度、分辨率和精度。 ENS220將在慕尼黑電子展（electronica，11月15-18日慕尼黑）B3.419號ScioSense展臺展出。 該傳感器采用業(yè)界主流的2.0mm×2.0mm尺寸LGA封裝，適用于移動(dòng)設備和可穿戴設備，如智能手表和腕帶、GPS導航系
- 關(guān)鍵字： 睿感 ScioSense CMOS-MEMS 壓力傳感器
基于紅外熱釋電效應的微型NDIR CO2傳感器，可在不同溫度、濃度下精確測量
- 據麥姆斯咨詢(xún)報道，近日，中北大學(xué)譚秋林教授團隊在《中國激光》期刊上發(fā)表了題為“雙通道非分光紅外CO2氣體傳感器設計與測試”的最新論文，文中設計實(shí)現了一種微型雙通道非分光紅外（NDIR）CO2氣體傳感器，采用標準氣體濃度標定傳感器的方法，實(shí)現了傳感器的溫度補償，使其能夠在不同溫度與不同濃度的環(huán)境下進(jìn)行精確測量?；诩t外吸收原理的氣體傳感器具有選擇性高的突出優(yōu)勢，但面臨集成度不高、尺寸大、精度低以及核心部件依賴(lài)進(jìn)口等問(wèn)題。國內目前普遍采用進(jìn)口傳感器，或者購入半成品二次加工。近年來(lái)，在各大研究機構與高校的努力下
- 關(guān)鍵字： MEMS 傳感器
基于傳感器內神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )的模擬-信息轉換技術(shù)，可顯著(zhù)降低傳感器功耗
- 據麥姆斯咨詢(xún)報道，近日，亞利桑那州立大學(xué)（Arizona State University）介紹了一種片上模擬-信息轉換技術(shù)，該技術(shù)利用基于儲層計算范式的模擬超維計算，在本地傳感器內處理心電圖（electrocardiograph，ECG）信號，并將射頻（RF）傳輸減少三個(gè)數量級以上。片上模擬-信息轉換器不是傳輸稀疏的ECG信號或提取的特征，而是通過(guò)一個(gè)附有人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )的非線(xiàn)性存儲內核來(lái)分析ECG信號，并傳輸預測結果。所開(kāi)發(fā)的技術(shù)被證明可用于檢測敗血癥發(fā)作，并實(shí)現了超高的準確度和能效，同時(shí)使用65nm C
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cmos-mems!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos-mems的理解，并與今后在此搜索cmos-mems的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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