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臺積電擬攜ARM V8進(jìn)軍16nm FinFET
- 臺積電在本周二(10月16日)的年度大會(huì )中,宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來(lái)測試16nm FinFET制程,并可望在未來(lái)一年內推出首款測試晶片。 臺積電與其合作伙伴們表示,用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術(shù)對晶片設計人員帶來(lái)了極大挑戰。臺積電的發(fā)展藍圖大致與競爭對手Globalfoundries 類(lèi)似,都希望能在明年啟動(dòng)20nm制程,2014開(kāi)始14nm FinFET制程。 臺積電的目標提前在
- 關(guān)鍵字: 臺積電 FinFET ARM V8
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