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電動(dòng)壓縮機設計-SiC模塊篇

壓縮機是汽車(chē)空調的一部分，它通過(guò)將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節流閥和蒸發(fā)器換熱，實(shí)現車(chē)內外的冷熱交換。傳統燃油車(chē)以發(fā)動(dòng)機為動(dòng)力，通過(guò)皮帶帶動(dòng)壓縮機轉動(dòng)。而新能源汽車(chē)脫離了發(fā)動(dòng)機，以電池為動(dòng)力，通過(guò)逆變電路驅動(dòng)無(wú)刷直流電機，從而帶動(dòng)壓縮機轉動(dòng)，實(shí)現空調的冷熱交換功能。電動(dòng)壓縮機是電動(dòng)汽車(chē)熱管理的核心部件，除了可以提高車(chē)廂內的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅動(dòng)系統的溫度控制發(fā)揮著(zhù)重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續航里程都至關(guān)重要。圖1 電動(dòng)壓縮機是電動(dòng)汽車(chē)熱管理的核心部件電動(dòng)壓縮機需
關(guān)鍵字： 202409 電動(dòng)壓縮機 SiC模塊

在功率轉換中，效率和功率密度至關(guān)重要。每一個(gè)造成能量損失的因素都會(huì )產(chǎn)生熱量，并需要通過(guò)昂貴且耗能的冷卻系統來(lái)去除。軟開(kāi)關(guān)技術(shù)與碳化硅（SiC）技術(shù)的結合為提升開(kāi)關(guān)頻率提供了可能；從而能夠縮減暫存能量和用于平滑開(kāi)關(guān)模式轉換器輸出無(wú)源元件的尺寸及數量，還為轉換器構建了減少發(fā)熱量并由此使用更小散熱片的基礎。對于傳統的硅基功率晶體管而言，一些效率和頻率上的改進(jìn)得益于功率轉換器設計中從簡(jiǎn)單硬開(kāi)關(guān)向軟開(kāi)關(guān)架構的轉變。這種工藝技術(shù)的變革之所以重要，是由于盡管硅技術(shù)在提高開(kāi)關(guān)頻率和改善效率方面取得了長(cháng)足進(jìn)步，但SiC使得
關(guān)鍵字： Qorvo 功率轉換 E1B SiC模塊

中國北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車(chē)充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽(yáng)能等應用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線(xiàn)市場(chǎng)總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個(gè)分立式 SiC FET，從而簡(jiǎn)化
關(guān)鍵字： Qorvo 1200V SiC模塊 SiC

德國紐倫堡，PCIM 2023 – 2023年5月9日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出SCALE-iFlex? LT NTC系列IGBT/SiC模塊門(mén)極驅動(dòng)器。新款門(mén)極驅動(dòng)器適配于流行的100mmx140mm IGBT半橋模塊，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐壓在2300V以?xún)鹊奶蓟?SiC)衍生模塊。SCALE-iFlex LT NTC驅動(dòng)器可提供負溫度系數
關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT SiC模塊門(mén)極驅動(dòng)器

致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NXH010P120MNF1 SiC模塊和NCP51561隔離式雙通道柵極驅動(dòng)器的5KW工業(yè)電源方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi?SiC模塊的5KW工業(yè)電源方案的展示板圖工業(yè)用電在全社會(huì )電力消耗中占有很大比重，因此在節能減排的大背景下，提升工業(yè)電源的轉換效率、降低能源消耗是非常有必要的。而由于工業(yè)應用一般都具有較高的耗能需求，因此大都采用交流380V或交流480V的電源供電。在如此
關(guān)鍵字：大聯(lián)大世平 onsemi SiC模塊 5KW工業(yè)電源

針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問(wèn)題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30 kW DC/DC變換器為研究對象，對功率模塊在不同工作頻率下的損耗進(jìn)行了理論計算、PLECS仿真和試驗驗證對比分析。PLECS仿真和試驗驗證的結果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀(guān)的體現了SiC和IGBT兩類(lèi)模塊在不同開(kāi)關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢。從文中可以看出，使用SiC替代IGBT可以顯著(zhù)地提高變換器的工作頻率和功率密度。
關(guān)鍵字： 202301 Boost變換器 SiC模塊 IGBT模塊熱損耗

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