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用先進(jìn)的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性
- 在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來(lái)繪制NMOS晶體管的關(guān)鍵電學(xué)關(guān)系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個(gè)模型來(lái)研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來(lái)生成直觀(guān)地傳達晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開(kāi)始。為此，我們將柵極電壓設置為遠高于閾值電壓的固定值，然后執行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
- 關(guān)鍵字： LTspice MOSFET NMOS
NMOS和PMOS詳解
- 一、簡(jiǎn)介MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區別NMOSNMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
- 關(guān)鍵字： MOSFET NMOS PMOS
工業(yè)傳感器選型：PNP和NPN兩種類(lèi)型應該如何選？
- 大多數工業(yè)接近傳感器（包括電感式、電容式、超聲波和光電式）都是固態(tài)的。所謂“固態(tài)”是指傳感器內使用的部件類(lèi)型——晶體管等固態(tài)電子元件被用來(lái)在檢測到物體時(shí)切換傳感器的輸出。問(wèn)：PNP和NPN傳感器的3線(xiàn)接線(xiàn)大多數工業(yè)接近傳感器（包括電感式、電容式、超聲波和光電式）都是固態(tài)的。所謂“固態(tài)”是指傳感器內使用的部件類(lèi)型——晶體管等固態(tài)電子元件被用來(lái)在檢測到物體時(shí)切換傳感器的輸出。有兩種特定類(lèi)型的三線(xiàn)傳感器可用可供使用，即PNP型和NPN型，它們之間的差異來(lái)自于內部電路設計及其所采用的晶體管類(lèi)型。在選型時(shí)，需要考量
- 關(guān)鍵字： Digi-Key 傳感器 PNP NPN
2個(gè)NPN三極管組成的恒流電路，如何工作？
- 根據T2三極管Vbe鉗位，知道了T1發(fā)射極電壓，得出Ie的電流，Ic等于Ie，Ic有了，集電極電壓有了，可以算出Vce是合理的，即假設成立，T1工作在發(fā)放大區。兩個(gè)NPN三極管組成的恒流電路是如何工作的？今天簡(jiǎn)單分析下，并且仿真看一下帶載能力如何。2個(gè)NPN組成恒流T1和T2為兩個(gè)NPN三極管。R1=1K，用來(lái)模擬負載，AM1為電流表，R4=100R，為恒流設置電阻。首先要判斷兩個(gè)三極管工作在何種狀態(tài)？假設T1工作在放大區，那么就滿(mǎn)足等式Ic=βIb，Ie=Ic+Ib，一般β是幾十到幾百，忽略Ib，Ie約
- 關(guān)鍵字： NPN 三極管
英特爾：通過(guò)R16標準兌現5G承諾
- 7月初，3GPP正式發(fā)布了5G R16 標準，通常也被理解為5G的第二階段，這是5G發(fā)展歷程中最令人激動(dòng)的里程碑之一。R16標準使5G技術(shù)中一些最具創(chuàng )新性和變革性的性能得以實(shí)現。在實(shí)施這些新性能的漫長(cháng)旅程中，我們才剛剛開(kāi)始，它們也將極大地釋放新一代無(wú)線(xiàn)技術(shù)的潛力。再怎么強調R16標準的重要性都不過(guò)分。R15標準主要聚焦于增強移動(dòng)寬帶，而R16標準則帶來(lái)了一系列新的功能，遠遠超出了簡(jiǎn)單的性能提升，還支持新的商業(yè)模式、應用以及垂直市場(chǎng)。特別值得一提的是，從制造到醫療行業(yè)的企業(yè)和工業(yè)組織將得以使用各種功能，將自
- 關(guān)鍵字： URLLC NPN TSN
學(xué)子專(zhuān)區—ADALM2000實(shí)驗：將BJT連接為二極管
- 簡(jiǎn)單的NPN二極管連接目標：本次實(shí)驗的目的是研究將雙極性結型晶體管(BJT)連接為二極管時(shí)的正向/反向電流與電壓特性。材料：?? ?ADALM2000 主動(dòng)學(xué)習模塊?? ?無(wú)焊面包板?? ?一個(gè)1 kΩ電阻（或其他類(lèi)似值）?? ?一個(gè)小信號NPN晶體管(2N3904)說(shuō)明：NPN晶體管的發(fā)射極-基極結的電流與電壓特性可以使用ADALM2000實(shí)驗室硬件和以下連接來(lái)測量。使用面包板，將波形發(fā)生器W1連接到電阻R1的一端。將示波器
- 關(guān)鍵字： BJT NPN
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