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npn(nmos) 文章 進(jìn)入npn(nmos)技術(shù)社區
接近開(kāi)關(guān)pnp與npn區別
- 光電傳感器有NPN型輸出型(電流流入)和PNP輸出型(電流流出)兩種，當電流流出的傳感器(PNP輸出型)在接通時(shí)， 電流是從電源經(jīng)傳感器的輸出端(output)流到負載(load)上，進(jìn)入負載, 然后流到接地端。 而電流流入(NPN輸出型)的傳感器接通時(shí)，電流是從電源經(jīng)負載流到傳感器的輸出端(output)，然后流到接地端(GND)，最后進(jìn)入系統的地(GND)。 PNP與NPN型傳感器一般有三條引出線(xiàn)，即電源線(xiàn)VCC、GND，OUT信號輸出線(xiàn); 1、NPN類(lèi)NPN是指當有信號觸發(fā)時(shí)，
- 關(guān)鍵字： pnp npn
【E問(wèn)E答】用MOS管防止電源反接的原理？
- 一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過(guò)，由于二極管有壓降，會(huì )給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場(chǎng)合，本來(lái)電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時(shí)間大減?！ OS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計?，F在的MOS管可以做到幾個(gè)毫歐的內阻，假設是6.5毫歐，通過(guò)的電流為1A(這個(gè)電流已經(jīng)很大了)，在他上面的壓降只有6.5毫伏?！ ∮捎贛OS管越來(lái)越便宜，所以人們逐漸開(kāi)始使用MOS管防電源反接了?！ MOS管防止電源反接電路： &
- 關(guān)鍵字： MOS管 NMOS
圖說(shuō)三極管的三個(gè)工作狀態(tài)
- 大家都知道三極管是電流控制型元件，三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系，怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開(kāi)三極管內部空穴和電子的運動(dòng)，還是那句話(huà)只談應用不談原理，希望通過(guò)下面的“圖解”讓初學(xué)者對三極管有一個(gè)形象的認識?！ ∪龢O管是一個(gè)以b(基極)電流Ib 來(lái)驅動(dòng)流過(guò)CE 的電流Ic 的器件，它的工作原理很像一個(gè)可控制的閥門(mén)?！ ?nbsp; 圖1 左邊細管子里藍色的小水流沖動(dòng)杠桿使大水管的閥門(mén)開(kāi)大，就可允許較大紅色的水流通過(guò)這
- 關(guān)鍵字： 三極管 NMOS
NPN傳感器PNP傳感器原理和分類(lèi)
- PNP與NPN型傳感器其實(shí)就是利用三極管的飽和和截止，輸出兩種狀態(tài)，屬于開(kāi)關(guān)型傳感器。但輸出信號是截然相反的，即高電平和低電平。PNP輸出是高電平1，NPN輸出的是低電平0?！ NP與NPN型傳感器(開(kāi)關(guān)型)分為六類(lèi)： 1、NPN-NO(常開(kāi)型)nomal open 2、NPN-NC(常閉型)nomal close 3、NPN-NC+NO(常開(kāi)、常閉共有型) 4、PNP-NO(常開(kāi)型) 5、PNP-NC(常閉型) 6、PNP-NC+NO(常開(kāi)、常閉共有型) PNP與NPN型傳感器一般有
- 關(guān)鍵字： NPN PNP
一個(gè)電路教會(huì )你設計NPN三極管放大電路
- 現在踏足到消費類(lèi)電子，為了保持超高的性?xún)r(jià)比，在日常設計中經(jīng)常用分離元器件。比如聲音功放，需要一個(gè)電壓和電流放大，兩個(gè)三極管幾個(gè)電阻電容完成。但是后端還需要DSP的處理了。別的不說(shuō)，現在就分析下三極管設計的前前后后。 我們常見(jiàn)的交流信號放大電路如圖所示： 首先要計算出靜態(tài)工作點(diǎn)： 對于交流信號，我們進(jìn)行如下分析：假如輸入電壓引變化 ，則射極電流變化 ，由于 ，那么集電極上變化的電壓為 由于C2為“隔直通交”的作用，在基極引入的直流電壓被過(guò)濾掉，
- 關(guān)鍵字： NPN 三極管
npn和pnp的區別
- 導讀：據我所知，大多數人在應用PNP與NPN的時(shí)候，都以為這兩個(gè)是相同的類(lèi)型。其實(shí)，PNP與NPN的區別是有很多的，但是區別到底有哪些呢?接下來(lái)就隨小編一起學(xué)習一下吧~~~ 1.npn和pnp的區別--簡(jiǎn)介 晶體三極管是由形成二個(gè)PN結的三部分半導體組成的，其組成形式有PNP型及NPN型。pnp型三極管，是由2塊P型半導體中間夾著(zhù)1塊N型半導體所組成的三極管，稱(chēng)為PNP型三極管。npn型三極管，是由2塊n型半導體中間夾著(zhù)1塊p型半導體所組成的三極管，稱(chēng)為npn型三極管。我國生產(chǎn)的鍺三極管多為P
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MOS管工作原理，就是這么簡(jiǎn)單
- 1. MOS管工作原理--MOS管簡(jiǎn)介 MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應管。MOS英文全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體，確切的說(shuō)，這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。 2. MOS管工作原理--Mos管的
- 關(guān)鍵字： MOS管 工作原理 NMOS MOS管工作原理
Diodes低壓升壓型直流-直流轉換器有效提升效率
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出低壓1MHz升壓型直流-直流轉換器PAM2401，旨在滿(mǎn)足備用電池、無(wú)線(xiàn)電話(huà)及全球定位系統接收器等便攜式產(chǎn)品對效率愈見(jiàn)嚴格的要求。這款同步轉換器可維持高達95%的工作效率，提供真正的輸出斷接功能以防漏電，并確保產(chǎn)品在低至1V的輸入電壓下安全啟動(dòng)。 PAM2401為0.9V到4.75V較低的工作電壓輸入范圍提供1.0A到3.0A的可編程電流限制。為了盡量延長(cháng)電池壽命，該器件在驅動(dòng)輕載時(shí)自動(dòng)設定為高效率的脈沖跳躍模式。器件在關(guān)閉狀態(tài)下
- 關(guān)鍵字： Diodes PAM2401 NMOS
設計超低功耗的嵌入式應用：簡(jiǎn)化電源域
- 不是所有便攜式系統都像圖1(參見(jiàn)本系列文章的第二部分)所示的系統這么簡(jiǎn)單。圖3給出了可穿戴電子設備的典型方框圖。由于存在大量功能塊和子系統，設計復雜性進(jìn)一步提高。 ? 圖3：手表的高層次方框圖 一個(gè)符合邏輯的辦法是將整個(gè)系統拆分為不同的子系統，并分析各個(gè)子系統的功耗。這也有助于簡(jiǎn)化電源域的設計，從而實(shí)現低功耗功能。 顯示和觸摸控制器部分的功耗主要取決于背光驅動(dòng)和顯示屏本身。大多數設計都針對顯示屏采用基于定時(shí)器的超時(shí)斷電模式。一般說(shuō)來(lái)，在固定時(shí)間T1后，背光會(huì )降
- 關(guān)鍵字： CPU PMOS NMOS
一款四象限 DC/DC 開(kāi)關(guān)穩壓器的實(shí)現
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： DC/DC轉換器 FPGA NMOS 開(kāi)關(guān)穩壓器
德州儀器 (TI)推出首款 7 通道 NMOS低側驅動(dòng)器 可取代高電壓系統中的達林頓晶體管陣列
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款 7 通道 NMOS 低側驅動(dòng)器，該款驅動(dòng)器使用插槽兼容型低功耗集成電路 (IC) 取代標準達林頓晶體管陣列。此款 TPL7407L 可將此前驅動(dòng)大負載電流所需晶體管陣列減少一半，依舊可驅動(dòng)同級別的負載電流，這為從前需要大量晶體管陣列或電機驅動(dòng)器的高電壓系統提供了一個(gè)新的選擇。這款最新驅動(dòng)器不僅可將功耗降低 40%，而且還可高效驅動(dòng)高電壓應用中的 LED 矩陣、繼電器或步進(jìn)電機，適用于大型家用電器、樓宇自動(dòng)化、照明以及 HVAC 等。如欲了解更多詳情或訂購樣片
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 NMOS 達林頓晶體管
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