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mems開(kāi)關(guān)
mems開(kāi)關(guān) 文章 進(jìn)入mems開(kāi)關(guān)技術(shù)社區
基于新型MEMS開(kāi)關(guān)提高SoC測試能力及系統產(chǎn)出

- 先進(jìn)的數字處理器IC要求通過(guò)單獨的DC參數和高速數字自動(dòng)測試設備(ATE)測試,以達到質(zhì)保要求。這帶來(lái)了很大的成本和組織管理挑戰。本文將介紹ADGM1001 SPDT MEMS開(kāi)關(guān)如何助力一次性通過(guò)單插入測試,以幫助進(jìn)行DC參數測試和高速數字測試,從而降低測試成本,簡(jiǎn)化數字/RF片上系統(SoC)的測試流程。圖1.操作員將負載板安裝到測試儀上,以測試數字SoC ATE挑戰半導體市場(chǎng)在不斷發(fā)展,為5G調制解調器IC、圖像處理IC和中央處理IC等先進(jìn)的處理器提供速度更快、密度更高的芯片間通信。在這種
- 關(guān)鍵字: MEMS開(kāi)關(guān) SoC測試
mems開(kāi)關(guān)介紹
MEMS開(kāi)關(guān)就是MEMS技術(shù)的具體應用。顧名思義,開(kāi)關(guān)就是來(lái)控制電路通斷狀況的,高效、快速反應、準確、重復使用頻率、高可靠性是現代電路系統對開(kāi)關(guān)的特殊要求。MEMS開(kāi)關(guān)的研究始于1979年IBM的K.E.Peterson,隨后經(jīng)過(guò)了二十幾年的發(fā)展,由于薄膜的柔軟和變形,MEMS開(kāi)關(guān)始終沒(méi)有取得人們預期的成績(jì)。隨著(zhù)通訊頻率的不斷增高,現有的半導體開(kāi)關(guān)因不能滿(mǎn)足頻率的升高而失去開(kāi)關(guān)能力。MEMS開(kāi)關(guān)的 [ 查看詳細 ]
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