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igbt模塊 文章 進(jìn)入igbt模塊技術(shù)社區
全新4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊讓驅動(dòng)器實(shí)現尺寸小型化和效率最大化
- 【2023年12月25日，德國慕尼黑訊】許多應用都出現了采用更小IGBT模塊，以及將復雜設計轉移給產(chǎn)業(yè)鏈上游的明顯趨勢。為了順應小型化和集成化的全球趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊，旨在從根本上改變采用兩電平和三電平拓撲結構且使用2000 V至3300 V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸應用的格局。這款新半導體器件將給諸多應用帶來(lái)裨益，包括大型傳送帶、泵、高速列車(chē)、機車(chē)以及商用、工程和農用車(chē)輛（CAV）。X
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Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門(mén)極驅動(dòng)器
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門(mén)極驅動(dòng)器，新驅動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以?xún)鹊?2mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門(mén)極驅動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過(guò)電流的損壞。新驅動(dòng)器還具有高
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Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對比研究*
- 針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問(wèn)題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30 kW DC/DC變換器為研究對象，對功率模塊在不同工作頻率下的損耗進(jìn)行了理論計算、PLECS仿真和試驗驗證對比分析。PLECS仿真和試驗驗證的結果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀(guān)的體現了SiC和IGBT兩類(lèi)模塊在不同開(kāi)關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢。從文中可以看出，使用SiC替代IGBT可以顯著(zhù)地提高變換器的工作頻率和功率密度。
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比亞迪半導體推出集成 PFC 的 IGBT 模塊
- IT 之家 11 月 30 日消息，據比亞迪半導體官方消息，目前，PFC（功率因數校正）電路設計正朝著(zhù)高效、高頻、小體積、低成本以及集成化的方向發(fā)展。比亞迪半導體基于市場(chǎng)需求及技術(shù)發(fā)展趨勢，推出集成 PFC 的 IGBT 模塊新品。功率因數是用來(lái)衡量用電設備用電效率的參數，低功率因數代表低電力效能。為了提高用電設備功率因數的技術(shù)就稱(chēng)為 PFC（功率因數校正）。比亞迪半導體共推出兩款新品：BG50D07N10S5：650V 50A 整流＋PFC＋逆變模塊，采用比亞迪 miniPIM2 封裝BG30K07Q1
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ITECH半導體測試方案解析，從容應對全球功率半導體市場(chǎng)風(fēng)起云涌
- 全球功率半導體市場(chǎng)風(fēng)起云涌，行業(yè)整合步伐加速。作為電力控制/節能減排核心半導體器件，功率半導體器件廣泛應用于從家電、消費電子到新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域。順全球半導體產(chǎn)業(yè)洗牌大勢，近年來(lái)功率半導體產(chǎn)業(yè)整合步伐急速提升
- 關(guān)鍵字： ITECH程控電源及電子負載 IGBT模塊 (600-2400V/4A-1800A) 電能轉換器件 光伏/智能電網(wǎng)/充電樁 什么是IGBT 導通電阻
將ADuM4135柵極驅動(dòng)器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用
- 簡(jiǎn)介絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經(jīng)濟高效型解決方案，如車(chē)載充電器、非車(chē)載充電器、DC-DC快速充電器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應用。開(kāi)關(guān)頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設計選擇的。本應用筆記所述設計中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件，采用Microsemi Corporation?專(zhuān)有的視場(chǎng)光闌IGBT技術(shù)。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達20 kHz的開(kāi)關(guān)頻率，以及由于對稱(chēng)設計，具有低雜散電感的軟恢復并聯(lián)二極管
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一種適用于大功率IGBT模塊串聯(lián)工作的新型驅動(dòng)電路
- 1引言隨著(zhù)電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,特別是IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor,絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET (Metallic oxide semiconductor field
- 關(guān)鍵字： 大功率 IGBT模塊 調制器 驅動(dòng)電路 IGD515EI
基于IGBT模塊驅動(dòng)及保護技術(shù)研究
- IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅動(dòng)的特點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，故在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。 IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發(fā)射極間存在著(zhù)較大的寄生電容(幾千至上萬(wàn)pF)，在驅動(dòng)脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數A的充放電電流，才能滿(mǎn)足開(kāi)通和關(guān)
- 關(guān)鍵字： IGBT模塊 驅動(dòng)
Littelfuse推出IGBT模塊和整流器二極管模塊
- Littelfuse公司日前宣布，為其功率控制半導體系列新添兩款產(chǎn)品。 新的半橋電路IGBT模塊提供符合行業(yè)標準的S、D或WD封裝和最高1200V、600A的額定值，能夠可靠、靈活地提供依托現代IGBT技術(shù)的高效而迅速的開(kāi)關(guān)速度。 此類(lèi)產(chǎn)品設計用于多種功率控制應用，包括交流電機控制器、運動(dòng)/伺服控制器、逆變器、電源以及太陽(yáng)能逆變器。 新的相臂和常規陰極電路整流器二極管模塊的額定值最高為1800V和200A，提供更高的熱效率以保證更長(cháng)的使用壽命和可靠性能。 其符合行業(yè)標準的S和A封裝尺寸使標準二極管具有
- 關(guān)鍵字： Littelfuse IGBT模塊 整流器二極管模塊
二代大功率IGBT短路保護和有源鉗位電路設計
- 摘要：通過(guò)分析IGBT的器件特性和短路特性，以瑞士CONCEPT公司最新推出的二代SCALE-2模塊2SC0435T作為核心部件，設計了大功率IGBT的短路保護和有源鉗位電路。
關(guān)鍵詞：IGBT模塊；二代SCALE-2模塊；2SC0435T；短路保護 - 關(guān)鍵字： IGBT模塊 二代SCALE-2模塊 2SC0435T 短路保護 有源鉗位
igbt模塊介紹
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件 [ 查看詳細 ]
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