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高性?xún)r(jià)比4.8W雙組輸出IGBT驅動(dòng)電源：QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列
- 一、產(chǎn)品介紹隨著(zhù)新能源行業(yè)的發(fā)展，IGBT /SiC MOSFET作為充電樁設備、光伏SVG系統中的關(guān)鍵半導體器件組成部分，市場(chǎng)對其應用條件和性能提出更高的要求，對于驅動(dòng)方案的要求也隨之提高。日前，金升陽(yáng)推出了IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用第三代驅動(dòng)電源QA-R3/QA_C-R3系列產(chǎn)品，以及滿(mǎn)足更加嚴苛的應用需求的驅動(dòng)電源QA_H-R3/QA_HC-R3系列產(chǎn)品。為打造更具有高性?xún)r(jià)比的驅動(dòng)電源，金升陽(yáng)基于自主IC設計平臺升級開(kāi)發(fā)出內部采用非對稱(chēng)式電壓輸出形式的QA_HD2-R3 / QA_HCD2-
- 關(guān)鍵字： 4.8W 雙組輸出 IGBT驅動(dòng)電源 金升陽(yáng)
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