高性?xún)r(jià)比4.8W雙組輸出IGBT驅動(dòng)電源：QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列

一、產(chǎn)品介紹

隨著(zhù)新能源行業(yè)的發(fā)展，IGBT /SiC MOSFET作為充電樁設備、光伏SVG系統中的關(guān)鍵半導體器件組成部分，市場(chǎng)對其應用條件和性能提出更高的要求，對于驅動(dòng)方案的要求也隨之提高。日前，金升陽(yáng)推出了IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用第三代驅動(dòng)電源QA-R3/QA_C-R3系列產(chǎn)品，以及滿(mǎn)足更加嚴苛的應用需求的驅動(dòng)電源QA_H-R3/QA_HC-R3系列產(chǎn)品。

為打造更具有高性?xún)r(jià)比的驅動(dòng)電源，金升陽(yáng)基于自主IC設計平臺升級開(kāi)發(fā)出內部采用非對稱(chēng)式電壓輸出形式的QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列產(chǎn)品，以期為客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案。

二、產(chǎn)品優(yōu)勢

①5000VAC高可靠隔離電壓,滿(mǎn)足加強絕緣

基于自主IC設計平臺，此系列產(chǎn)品能提供兩組隔離輸出電壓，輸出1-輸出2隔離電壓高達3750VAC，同時(shí)輸入-輸出隔離電壓高達5000VAC，遠優(yōu)于市場(chǎng)上常規產(chǎn)品，且滿(mǎn)足加強絕緣設計要求，整體可靠性得到極大提升。

②滿(mǎn)足1700VDC長(cháng)期絕緣要求（使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）

QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列驅動(dòng)電源基于IEC-61800-5-1標準要求，實(shí)現長(cháng)期絕緣電壓（持續放電）滿(mǎn)足1700V，且應用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件，產(chǎn)品原副邊電氣間隙/爬電距離達22.36mm（typ.）。

③性能更優(yōu)

<1>支持雙組驅動(dòng)，滿(mǎn)足半橋式整流應用

<2>低低紋&波噪聲：50mVpp

<3>強帶載能力：2200uF

<4>超小隔離電容：4.2pF

<5>高效率：85%

④高性?xún)r(jià)比

此系列是專(zhuān)門(mén)為IGBT/SIC MOSFET驅動(dòng)器而設計的DC-DC模塊電源，其內部采用了非對稱(chēng)式電壓輸出形式，盡可能減小IGBT/SIC MOSFET的驅動(dòng)損耗。且雙組輸出QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列的成本低于2個(gè)單組輸出產(chǎn)品合價(jià)。

三、產(chǎn)品應用

作為IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用驅動(dòng)電源，可用于光伏逆變器、電機驅動(dòng)、充電樁等多種場(chǎng)合中IGBT/SiC MOSFET器件的驅動(dòng)，以光伏SVG系統為例，可配合驅動(dòng)芯片來(lái)共同驅動(dòng)后端的IGBT器件，實(shí)現系統的有效運行。

四、產(chǎn)品特點(diǎn)

● 隔離電壓5000VAC（加強絕緣）

● 局部放電 1700V

● CMTI>200kV/μs

● 最大容性負載2200μF

● 超小隔離電容4.2pF(typ.)

● 效率高達85%

● 工作溫度范圍: -40℃ to +105℃

五、產(chǎn)品布局

詳細產(chǎn)品技術(shù)參數請參考技術(shù)手冊：QAxx3HD2-R3QAxx3HCD2-R3