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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 32納米

半導體巨頭推動(dòng)工藝研發(fā) 三個(gè)陣營(yíng)角力

  •   國務(wù)院發(fā)展研究中心國際技術(shù)經(jīng)濟所研究員吳康迪   遵循“摩爾定律”的指引,全球半導體巨頭正邁向32納米工藝;不過(guò),其研發(fā)策略卻各不相同。   全球32納米芯片微細技術(shù)開(kāi)發(fā)主要有3個(gè)陣營(yíng),參加單位數目最多的是IBM陣營(yíng),其次是英特爾公司,第三是日本公司,此外還有中國臺灣地區的臺積電、歐洲比利時(shí)微電子中心IMEC等。   英特爾技術(shù)業(yè)界領(lǐng)先   2007年9月,英特爾公司領(lǐng)先業(yè)界在“開(kāi)發(fā)者論壇”首次展出了32納米工藝的測試
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半導體巨頭推動(dòng)研發(fā)進(jìn)程 32納米芯片趨實(shí)用

  • ? 遵循“摩爾定律”的指引,全球半導體巨頭正邁向32納米工藝;不過(guò),其研發(fā)策略卻各不相同。 全球32納米芯片微細技術(shù)開(kāi)發(fā)主要有3個(gè)陣營(yíng),參加單位數目最多的是IBM陣營(yíng),其次是英特爾公司,第三是日本公司,此外還有中國臺灣地區的臺積電、歐洲比利時(shí)微電子中心IMEC等。 英特爾技術(shù)業(yè)界領(lǐng)先 2007年9月,英特爾公司領(lǐng)先業(yè)界在“開(kāi)發(fā)者論壇”首次展出了32納米工藝的測試用硅圓片。該硅圓片用于測試器件性能和試驗新工藝是否合理,并非實(shí)際的邏輯電路。一般
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2008年10月9日,四家公司宣布開(kāi)發(fā)32納米和28納米SoC設計平臺

  •   2008年10月9日 IBM、特許半導體制造有限公司、三星電子有限公司以及ARM公司宣布將在high-k metal-gate (HKMG)技術(shù)的基礎上開(kāi)發(fā)一個(gè)完整的32納米和28納米的片上系統(SoC)設計平臺。
  • 關(guān)鍵字: ARM  SoC  32納米  28納米  

中芯國際計劃2011年推出32納米制程工藝

  •   10月8日消息,中芯國際公司近日透露,該公司計劃于2011年內推出32納米制程,有可能采取與IBM的技術(shù)轉移與合作方式,但未披露詳細情況。中芯國際還重申其2008年第三季度營(yíng)收目標維持不變,預期將增長(cháng)5-8%。   中芯國際繼武漢、深圳12寸廠(chǎng)分別進(jìn)入營(yíng)運、建地的好消息后,目前又傳出與IBM45nm制程技術(shù)轉移十分順利,未來(lái)在45nm領(lǐng)域有信心緊追領(lǐng)先業(yè)者,同時(shí)基于客戶(hù)需求將進(jìn)一步向半世代的40nm制程技術(shù)延伸。   目前中芯在上海8廠(chǎng)內進(jìn)行的45nm技術(shù)合作研發(fā)正按預期順利進(jìn)行,除了擁有世界最先
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IBM開(kāi)發(fā)速度快耗能低的32納米芯片

  •   本周一,由IBM主導的聯(lián)盟稱(chēng),今年消費者將使用32納米芯片,這種芯片與當前的芯片相比更節能,效率更高。   這種芯片采用高K-金屬柵極技術(shù),使晶體管何種壓縮到32納米。目前,市場(chǎng)普遍使用的是45納米晶體管。通過(guò)減小體積,芯片廠(chǎng)商可以在一片硅片中開(kāi)發(fā)更多的產(chǎn)品,使芯片工作效率更高。IBM采用高K-金屬柵極"技術(shù)開(kāi)發(fā)的芯片主要有其East Fishkill工廠(chǎng)生產(chǎn),其合作者包括飛思卡爾、英飛凌、三星電子、東芝以及IBM查打半導體公司等。英特爾不是其聯(lián)盟成員,但英特爾采用相同的材料開(kāi)發(fā)自己的芯片
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半導體設計工程進(jìn)入“32納米”時(shí)代

  •   由IBM主導的半導體聯(lián)盟“通用平臺(CommonPlatform)”表示計劃集中投資32納米平臺。通用平臺由IBM、三星電子、特許半導體(新加坡)等企業(yè)組成,這些企業(yè)以共享半導體設計和制造環(huán)境為目的組成這一聯(lián)盟,并生產(chǎn)了90納米手機芯片,而且正在開(kāi)發(fā)64納米、45納米工程。這次由9個(gè)企業(yè)組成的聯(lián)盟正式表明了集中投資32納米工程的意向,半導體平臺的時(shí)代交替顯得更加指日可待。   IBM雖然沒(méi)有透露詳細計劃,但表示對32納米平臺的開(kāi)發(fā)投入將是目前投資規模的兩倍。IBM稱(chēng),整體
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半導體設計工程進(jìn)入“32納米”時(shí)代

  •   由IBM主導的半導體聯(lián)盟“通用平臺(CommonPlatform)”表示計劃集中投資32納米平臺。通用平臺由IBM、三星電子、特許半導體(新加坡)等企業(yè)組成,這些企業(yè)以共享半導體設計和制造環(huán)境為目的組成這一聯(lián)盟,并生產(chǎn)了90納米手機芯片,而且正在開(kāi)發(fā)64納米、45納米工程。這次由9個(gè)企業(yè)組成的聯(lián)盟正式表明了集中投資32納米工程的意向,半導體平臺的時(shí)代交替顯得更加指日可待。   IBM雖然沒(méi)有透露詳細計劃,但表示對32納米平臺的開(kāi)發(fā)投入將是目前投資規模的兩倍。IBM稱(chēng),整體的S
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IBM和ST聯(lián)合開(kāi)發(fā)32納米、22納米CMOS處理技術(shù)

  • IBM與ST近日宣布,將聯(lián)合開(kāi)發(fā)針對半導體開(kāi)發(fā)、制造領(lǐng)域的下一代處理技術(shù)。兩公司計劃今后共同進(jìn)行32納米、22納米CMOS處理技術(shù)的開(kāi)發(fā)設計和300毫米硅晶圓制造技術(shù)的研究。   這次兩公司達成一致的內容包括:共同開(kāi)發(fā)Bulk CMOS核心技術(shù)、高附加值派生的SoC技術(shù)。為了便于利用上述技術(shù)快速進(jìn)行SoC器件的設計,兩公司還計劃在IP開(kāi)發(fā)、平臺方面進(jìn)行合作。   作為合作的一環(huán),兩公司分別在各自的生產(chǎn)線(xiàn)上設置了技術(shù)開(kāi)發(fā)小組。雙方人員分別在對方的機構共同研發(fā)嵌入式存儲器、模擬及RF領(lǐng)域的多種派生技
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廠(chǎng)商將協(xié)作開(kāi)發(fā)和制造32納米半導體產(chǎn)品

  • IBM和其聯(lián)合開(kāi)發(fā)聯(lián)盟伙伴英飛凌和飛思卡爾半導體以及Common Platform技術(shù)伙伴特許半導體和三星電子,簽署了一系列半導體工藝開(kāi)發(fā)和制造協(xié)議,以期在未來(lái)繼續保持技術(shù)領(lǐng)先地位。 上述公司簽署的聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議包括32納米CMOS(互補性氧化金屬半導體)工藝技術(shù)及支持該技術(shù)的工藝設計套件(PDK)。在之前90納米、65納米和45納米工藝聯(lián)合開(kāi)發(fā)和制造協(xié)議大獲成功的基礎上,聯(lián)盟伙伴將能夠生產(chǎn)出高性能、低功耗的32納米芯片。 聯(lián)盟伙伴計劃將各自的專(zhuān)業(yè)技術(shù)匯聚起來(lái),在設計、開(kāi)發(fā)和制造技術(shù)方面進(jìn)行協(xié)作,
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IBM、索尼和東芝聯(lián)合進(jìn)行32納米技術(shù)研究

  •   IBM、索尼和東芝日前宣布,由這3家公司組成的聯(lián)合技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟已經(jīng)進(jìn)入到一個(gè)新的5年發(fā)展階段。    組成這一廣泛的半導體研究和開(kāi)發(fā)聯(lián)盟的3家公司將合作進(jìn)行與32納米及更高級技術(shù)相關(guān)的基礎研究。該協(xié)議將促成這3家公司更加迅速地研究和確定相關(guān)的新技術(shù)并實(shí)現這些技術(shù)的商業(yè)化,滿(mǎn)足消費者和其它應用的需求。    在過(guò)去的5年中,索尼公司、索尼計算機娛樂(lè )公司、東芝公司和IBM協(xié)作完成了“Cell”微處理器的設計以及支持該處理器的90納米和65納米基礎絕緣硅(silicon-on-insul
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32納米介紹

  32納米制程技術(shù)是英特爾已經(jīng)推出并即將大規模投入量產(chǎn)的新的處理器制造技術(shù),它是在已經(jīng)大獲成功的45納米制程技術(shù)的基礎之上,采用第二代高k+金屬柵極晶體管以及第四代應變硅技術(shù),為下一代英特爾Nehalem微體系架構的32納米版本-Westmere處理器的高性能表現奠定基礎。   目錄   1制程技術(shù)   2技術(shù)原理   ·第一點(diǎn)   ·第二點(diǎn)   ·第三點(diǎn)   3戰略藍圖   4 [ 查看詳細 ]

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