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功率器件的熱設計基礎（一）---功率半導體的熱阻
- / 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會(huì )比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中和導通電流時(shí)會(huì )產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì )轉化為熱能，表現為半導體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會(huì )造成器件各點(diǎn)溫度的升高。半導體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風(fēng)冷散熱
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 功率器件 熱設計 熱阻
模組內部燈條LED真實(shí)熱阻模擬測試系統研究與分析
- LED封裝、模組的質(zhì)量水平，如光通量、坐標等光性能，與LED內部芯片的結溫高低密切相關(guān)。一般LED結溫高，則性能差。因此，對于LED芯片企業(yè)、LED封裝企業(yè)和LED模組整機企業(yè)，了解LED芯片各層結構的熱阻顯得十分必要?，F有的測量方法有很多，如紅外熱像儀法、電學(xué)參數法、光功率法等，行業(yè)測量熱阻比較通用、靠譜的方法是電學(xué)參數法。本文采用的測試方法是基于電學(xué)參數法原理，同時(shí)利用“焊腳溫度、環(huán)境溫度”等效法，通過(guò)設計相應的PCB規格，使T3ster熱阻測試儀可測量的待測LED模塊的焊腳及環(huán)境溫度，與真實(shí)模組或整
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-熱阻介紹
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