圖文詳解高功率LED封裝技術(shù)

　　LED照明應用的快速興起，預期將擴大高功率LED的產(chǎn)品需求，為確保高功率LED能符合市場(chǎng)要求，封裝業(yè)者試圖借由改善封裝材料、晶粒配置等方面，以真正達成高性?xún)r(jià)比與延長(cháng)使用壽命的目的。

　　產(chǎn)業(yè)界時(shí)常發(fā)表的高功率發(fā)光二極管（LED）光源，多為數十瓦甚至上百瓦的LED封裝技術(shù)，以光系統應用端的角度觀(guān)之，實(shí)無(wú)太大意義，反而是如何能將數十至上百瓦的熱消除才是關(guān)鍵。而要達成此一目標，須能有效降低單一LED封裝之熱阻值（Rjc）。

　　LED封裝所驅動(dòng)的功率大小受限于封裝體熱阻與所搭配之散熱模塊（Rca），兩者決定LED的系統熱阻和穩態(tài)所能忍受的最大功率值。為降低封裝熱阻，業(yè)者試圖加大封裝體內LED晶粒分布距離，然LED晶粒分布面積不宜太大，過(guò)大的發(fā)光面積會(huì )使后續光學(xué)難以處理，也限制該產(chǎn)品的應用。不可一味將更多的LED晶粒封裝于單一體內，以求達到高功率封裝目的，因為仍有諸多因素待考慮，尤其是對于應用面。

　　多晶粒封裝材料不斷發(fā)展

　　隨著(zhù)LED封裝功率提升，多晶粒封裝（Multi-chip Package）成為趨勢，傳統高功率LED封裝多采用塑料射出之預成型導線(xiàn)架（Pre-mold Lead Frame）方式（圖1a），封裝載體（Carrier）又稱(chēng)為芯片承載（Die Pad），為一連續的金屬塊，已無(wú)法滿(mǎn)足多晶粒串接之電性需求，電性串并聯(lián)方式直接影響LED晶粒電測分檔（Bin）的精密程度、可靠度壽命以及封裝體在應用時(shí)所需要的驅動(dòng)電路設計。于是眾多LED封裝型式陸續被提出，圖2舉出幾個(gè)代表性高功率LED封裝典型例子。

　　圖1　常見(jiàn)高功率LED封裝結構示意

　　圖2　典型具代表性之高功率LED封裝

　　廣為業(yè)界使用的高功率LED封裝結構，主要的差異大致可從封裝載體之材料選用做區分，實(shí)現方式不外乎采用高導熱陶瓷基材或直接在金屬基材上做植晶封裝（圖1b），成為板上芯片（Chip On Board， COB）的封裝形式。但因為高導熱陶瓷基材價(jià)格居高不下，另有經(jīng)濟的選擇，為使用低導熱積層陶瓷配合熱導通孔（Thermal Via）的設計（圖1c），熱導通孔內添入燒結金屬（如銀材）作為導熱路徑；此外，亦另有先進(jìn)的作法，是使用半導體制程硅材為載體（圖1d）達到熱電分離，同時(shí)兼具高功率密度和低熱阻（＜0.5℃/W）特性，可望將高功率LED封裝導入另一項革命。隨著(zhù)LED功率和功率密度升級，將加速LED在各應用領(lǐng)域逐次取代傳統光源。

　　一級光學(xué)鏡片封裝材料選用舉足輕重

　　耐高溫且穩定的封合膠體（Encapsulation）已被廣泛采用，不同硅膠基材間的取舍，除了加工性外，主要在于折射率的考慮，其將影響封裝體的光學(xué)特性，此包括光分配（Beam Distribution）與出光效率等。為維持穩定一致的光學(xué)質(zhì)量，賦予一級光學(xué)鏡片（Primary Lens）有其必要性，好的鏡片設計可提供更佳的光輸出質(zhì)量，如更均勻的光強度、色坐標分布等，對于LED的有效出光有絕對的影響。

　　一級光學(xué)鏡片的設計，各家自有其道，一般在第一階出光多采用大出光角（≧120o）方式，再透過(guò)后續的二階光學(xué)處理調整達所需要的光形，大出光角的另一好處，是有利于將光萃取出來(lái)，呈現更好的發(fā)光效率值。

　　一級光學(xué)材料的選用是很大的關(guān)鍵點(diǎn)，在過(guò)去，受限于可光學(xué)成型材料的瓶頸，多數以光學(xué)聚碳酸脂（PC）或光學(xué)壓克力（PMMA）材質(zhì)為主（低階產(chǎn)品甚或有使用氧樹(shù)脂的例子），現階段因硅膠材性質(zhì)已多有突破，陸續被使用在一級光學(xué)鏡片，然因膠材乃屬黏彈性非堅硬結構，在光學(xué)精準性上會(huì )受到交鏈反應收縮程度差異影響，同時(shí)因硅膠容易吸收水氣，在高潮濕環(huán)境下，硅膠鏡片可能因吸濕膨脹而使原先設計的配光發(fā)生變化，硅膠材應用在高功率LED封裝，適處于推廣階段。至于在光學(xué)鏡片材料選用上，還有另一種可行方式，對于實(shí)現更精致光學(xué)質(zhì)量與高度可靠度需求者，可選用穩定的玻璃鏡片，滿(mǎn)足長(cháng)壽命和容許惡劣使用環(huán)境下嚴格考驗。

　　有效降低熱阻值為首要課題

　　LED封裝推向高功率，首要面對熱的挑戰。熱效應始終為各種材料特性退化的一大加速因子，如何掌控結點(diǎn)溫度，成為決定LED封裝功率值的主要因素，現階段固態(tài)照明產(chǎn)生白光的主流機制，仍以可見(jiàn)藍光（450～470奈米）透過(guò)熒光材（Phosphor）激發(fā)黃色光譜混合，而產(chǎn)生人類(lèi)視覺(jué)上的白光。

　　市面上可見(jiàn)之藍光晶粒技術(shù)已達一定水平，晶粒本身對熱沖擊的忍受程度相當大（溫度每提升10℃、發(fā)光效率衰退小于1%），然而熱對于所有類(lèi)型熒光材的效應則相對敏感，熒光材之光轉換效率隨溫度上升而降低（圖3），同時(shí)影響熒光材料壽命，特別當熒光材料溫度超過(guò)70℃以上時(shí)會(huì )急速衰退，此意味著(zhù)LED結點(diǎn)溫度（Junction Temperature， Tj）須有效控制在70℃以下，始能有效確保LED可用壽命（一般壽命以L(fǎng)70計算，LED衰退至原來(lái)亮度70%之時(shí)間），作為壽命判斷依據，而此要求一般皆在20，000小時(shí)以上。因此，當討論LED最高功率以及效能時(shí)，須考慮其于正常操作狀態(tài)下，達熱穩定時(shí)之結果去推算始具意義。LED封裝體自身之熱阻，決定該封裝所能承受的最大功率，如何有效降低Rjc值，是為高功率LED封裝須面對的一大挑戰。

　　圖3　熒光材光轉換效率隨溫度之變化

　　成本、電性、可靠度為封裝體晶粒配置三大評估標準

　　LED晶粒的工作電流密度有其上限（以40×40密爾（mil）芯片面積為例，依芯片等級，驅動(dòng)電流從350～1，000毫安皆有，然而提高LED功率最直接的作法，是提高LED封裝內的總晶粒面積，作法不外乎增加晶粒大小，或是提高晶粒數目（采用多晶封裝方式），各有其優(yōu)缺點(diǎn)，可從晶粒成本、電性考慮、以及可靠度壽命等角度予以評估：

　　? 成本考慮

　　以大尺寸80密爾晶粒為例，其面積相當于四個(gè)40密爾晶粒，然對于晶粒價(jià)格而言，80密爾的晶粒成本，因良率因素，必定高于四個(gè)40密爾的成本。

　　? 電性連接方式

　　從電性的角度來(lái)看，80密爾晶粒相當于將四個(gè)40密爾晶粒以并聯(lián)形式連接（圖4a），而若使用四個(gè)40密爾晶粒，則可以選擇透過(guò)打線(xiàn)（Wire Bonding）方法以串聯(lián)形式連接（圖4b），串聯(lián)與并聯(lián)方式的差異，可反應在性能表現，了解每顆LED晶粒的順相電壓（Forward Voltage， Vf）皆有差異，換句話(huà)說(shuō)，也就是各晶粒單元的內阻值不一，四顆晶粒并聯(lián)驅動(dòng)，必有電流分布不均問(wèn)題，電流分配較大的晶粒，光轉換效率大同時(shí)也加速晶粒老化，電流分配不足的晶粒，則無(wú)法釋放出足夠的光能，結果使整體的發(fā)光效率不如預期。

　　圖4　于相同的晶粒面積條件下，不同晶粒大小相對應之電性連接示意

　　? 可靠度壽命

　　大晶粒因有電流分布不均現象，電流密度大的區域加速老化，LED老化的結果是阻值降低，導致該區域電流密度（Current Density）愈來(lái)愈大，也形成所謂的熱點(diǎn)（Hot Spot），惡性循環(huán)的結果會(huì )加速LED衰退。因此，LED在