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高頻功率應用.柵極驅動(dòng)器
高頻功率應用.柵極驅動(dòng)器 文章 進(jìn)入高頻功率應用.柵極驅動(dòng)器技術(shù)社區
IXD0579M高壓側和低壓側柵極驅動(dòng)器提供緊湊型即插即用解決方案
- 進(jìn)日宣布推出IXD0579M高速柵極驅動(dòng)器集成電路。IXD0579M簡(jiǎn)化了電路板設計，節省了空間，并為驅動(dòng)半橋配置中的N溝道MOSFET或IGBT提供了可靠的多源替代方案。IXD0579M設計用于在6.5 V至18 V的寬電源范圍內工作，在單個(gè)緊湊的3×3 mm2 TDFN-10封裝中集成了一個(gè)自舉二極管和一個(gè)串聯(lián)限流電阻器，這些元件通常需要分立安裝。這種創(chuàng )新的集成設計減少了物料清單上的元件數量和成本，同時(shí)也簡(jiǎn)化了PCB布局。主要產(chǎn)品特性和優(yōu)勢●? ?高驅動(dòng)能力：1.5 A拉電流和2.
- 關(guān)鍵字： 柵極驅動(dòng)器 Littelfuse 力特
選擇柵極驅動(dòng)器IC時(shí)應考慮哪些關(guān)鍵因素？
- 電源轉換是當今幾乎所有電子設計的核心功能。理想情況下，將直流電壓（例如9 V）轉換為另一個(gè)電平（例如24 V）的過(guò)程應盡可能高效，損耗應盡可能小。為了應對各種應用的不同電壓、電流和功率密度需求，工程師開(kāi)發(fā)了多種電路架構（也就 是拓撲）。對于DC-DC電源轉換，可以使用降壓、升壓、降壓-升壓、半橋和全橋拓撲結構。此外還得考慮輸出是否需要與輸入電壓進(jìn)行電氣隔離，由此便可將轉換方法分為兩類(lèi)，即非隔離式和隔離式。對于高電壓和大電流用例，例如電機控制和太陽(yáng)能逆變器，半橋和全橋DC-DC轉換技術(shù)是主流選擇。01半橋電
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意法半導體車(chē)規柵極驅動(dòng)器提升電動(dòng)汽車(chē)電驅系統的可擴展性和性能
- 意法半導體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車(chē)規柵極驅動(dòng)器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器，集成可設置的安全保護和豐富的診斷功能，確保電驅系統通過(guò)ISO 26262 ASIL D認證。STGAP4S驅動(dòng)器集成模數轉換器 (ADC) 和反激式電源控制器，功能豐富，取得了功能安全標準認證，適用于設計可擴展的電動(dòng)汽車(chē)電驅系統。STGAP4S的設計靈活性歸功于輸出電路，該電路允許將高壓功率級連接到外部MOSFET的推挽式緩沖電路，以調整柵極電流。這種架構讓工程師能夠利用STGAP4S及其豐富的
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Littelfuse推出適用于高頻功率應用的IXD2012NTR高壓側和低壓側柵極驅動(dòng)器
- Littelfuse公司是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣部推出高壓側和低壓側柵極驅動(dòng)器IXD2012NTR，設計用于驅動(dòng)兩個(gè)采用半橋配置的N溝道MOSFET或IGBT。該IXD2012NTR針對高頻電源應用進(jìn)行了優(yōu)化，具有卓越的開(kāi)關(guān)性能和更高的設計靈活性。IXD2012NTR可在10V~20V的寬電壓范圍內工作，并在自舉操作中支持高達200 V的高壓側開(kāi)關(guān)，其邏輯輸入與低至3.3 V的標準TTL和CMOS電平兼容，可確保與各種控制設備無(wú)縫集成。
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EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側柵極驅動(dòng)器1ED21x7系列
- 英飛凌的新一代EiceDRIVER? 1ED21x7x 650V、+/-4A柵極驅動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩健、更具性?xún)r(jià)比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流和高速柵極驅動(dòng)器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT開(kāi)關(guān)，設計采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)。1ED21x7x具有出色的堅固性和抗噪能力，能夠在負瞬態(tài)電壓高達-100V時(shí)保持工作邏輯穩定?？捎糜诟邏簜然虻蛪簜裙β使茯寗?dòng)。1ED21x7x系列非常適合驅動(dòng)多個(gè)開(kāi)關(guān)并聯(lián)應用，例如輕型電動(dòng)汽車(chē)?；?ED21x7x
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浮地非隔離半橋柵極驅動(dòng)器
- 半橋拓撲結構廣泛用于各種商業(yè)和工業(yè)應用的電源轉換器件中。這種開(kāi)關(guān)模式配置的核心是柵極驅動(dòng)器IC，其主要功能是使用脈寬調制信號向高端和低端MOSFET功率開(kāi)關(guān)提供干凈的電平轉換信號。本文重點(diǎn)介紹了工程師在為應用選擇柵極驅動(dòng)器IC時(shí)應考慮的關(guān)鍵因素。除了基本的電壓和電流額定值之外，本文還說(shuō)明了高共模瞬變抗擾度的重要性和可調死區時(shí)間的必要性。某些用例要求將柵極驅動(dòng)器IC與MOSFET進(jìn)行電氣隔離，文中通過(guò)一個(gè)簡(jiǎn)單的參考設計展示了這種浮地方法。
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GaN功率FET及背后柵極驅動(dòng)器在LiDAR傳感器中的作用
- 氮化鎵 （GaN） 功率器件因其超快的開(kāi)關(guān)速度和有限的寄生效應而成為 LiDAR 傳感器的核心構建模塊之一，從而在高總線(xiàn)電壓和窄脈沖寬度下實(shí)現高峰值電流。為了迎來(lái)自動(dòng)駕駛汽車(chē)的未來(lái)，必須在車(chē)輛系統內使用更先進(jìn)的傳感器。LiDAR 是檢測自動(dòng)駕駛汽車(chē)周?chē)矬w存在的更廣泛使用的傳感器之一，它是光檢測和測距的縮寫(xiě)，它從激光射出光并測量場(chǎng)景中的反射，有點(diǎn)像基于光的雷達。車(chē)輛的車(chē)載計算機可以使用這些數據來(lái)解釋汽車(chē)與周?chē)h(huán)境的關(guān)系以及道路上是否存在其他汽車(chē)和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個(gè)非?？焖俚拈_(kāi)關(guān)，該開(kāi)關(guān)為
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SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來(lái)了！
- 隨著(zhù)Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來(lái)越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數和并聯(lián)振蕩的分析，以及設計指南。本文將繼續講解并聯(lián)的挑戰。并聯(lián)的挑戰在前文我們介紹并聯(lián)設計的挑戰如靜態(tài)電流失配、動(dòng)態(tài)電流失配，接下來(lái)將繼續講解其他挑戰。?并聯(lián)振蕩對于高增益、快速開(kāi)關(guān)器件來(lái)說(shuō)，并聯(lián)振蕩可能是一個(gè)問(wèn)題。由于 SiC JFET cascode（簡(jiǎn)稱(chēng)cascode）內部有兩個(gè)有源器件：一個(gè)低
- 關(guān)鍵字： 設計指南 并聯(lián)振蕩 柵極驅動(dòng)器
GD3162柵極驅動(dòng)器技術(shù)解析：提供動(dòng)態(tài)柵極強度控制，提升EV牽引逆變器性能！
- 作為汽車(chē)電動(dòng)牽引逆變器柵極驅動(dòng)器的領(lǐng)先供應商之一，恩智浦不斷推動(dòng)逆變器效率、功能安全和汽車(chē)性能的提升。恩智浦發(fā)布的?GD3162?具有動(dòng)態(tài)柵極驅動(dòng)功能，能夠在日益寬廣的工作范圍內為先進(jìn)功率開(kāi)關(guān)器件 (如碳化硅、氮化鎵等) 提供卓越開(kāi)關(guān)性能。GD3162器件的動(dòng)態(tài)柵極強度控制不僅提高了逆變器的效率，還提供了強大的功能安全解決方案，同時(shí)改進(jìn)了典型硬件設計標準，為功率器件保駕護航。電池和電動(dòng)牽引電機雖然是電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的標志性特征，但這兩者的存在必然要求存在第三個(gè)同等重要的元素：牽引逆
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Nexperia推出新款120V/4A半橋柵極驅動(dòng)器，進(jìn)一步提高工業(yè)和汽車(chē)應用的魯棒性和效率
- Nexperia近日宣布推出一系列高性能柵極驅動(dòng)器IC，可用于驅動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅動(dòng)器包含車(chē)規級和工業(yè)級版本，性能上兼具高電流輸出和出色的動(dòng)態(tài)性能，可大幅提高應用效率和魯棒性。其中，NGD4300-Q100達到車(chē)規級標準，非常適合電動(dòng)助力轉向和電源轉換器應用；NGD4300則設計用于消費類(lèi)設備、服務(wù)器和電信設備中的DC-DC轉換器以及各種工業(yè)應用中的微型逆變器。這些IC中的高邊驅動(dòng)器可以在不超過(guò)120 V的直流總線(xiàn)電壓下工作，其中集成了二極管的自舉電源有助于縮小P
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貿澤電子新品推薦：2024年第三季度推出將近7000個(gè)新物料
- 作為全球原廠(chǎng)授權代理商，貿澤電子(Mouser Electronics)?致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)，為客戶(hù)提供優(yōu)勢，協(xié)助加快產(chǎn)品上市速度。超過(guò)1200家半導體和電子元器件制造商通過(guò)貿澤將自己的產(chǎn)品銷(xiāo)往全球市場(chǎng)。貿澤旨在為客戶(hù)提供全面認證的原廠(chǎng)產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。貿澤于上個(gè)季度推出了超過(guò)6500個(gè)物料，均可隨時(shí)發(fā)貨。貿澤從2024年7月至9月引入的部分產(chǎn)品包括：●? ?安森美NCx51152隔離式單通道柵極驅動(dòng)器安森美NCx51152是單通道柵極驅動(dòng)器，專(zhuān)為
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高壓柵極驅動(dòng)器的功率耗散和散熱分析，一文get√
- 高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器，可能會(huì )產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認驅動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結溫，確保器件在可接受的溫度范圍內工作。高壓柵極驅動(dòng)集成電路（HVIC）是專(zhuān)為半橋開(kāi)關(guān)應用設計的高邊和低邊柵極驅動(dòng)集成電路，驅動(dòng)高壓、高速MOSFET 而設計?！陡邏簴艠O驅動(dòng)器的功率耗散和散熱分析》白皮書(shū)從靜態(tài)功率損耗分析、動(dòng)態(tài)功率損耗分析、柵極驅動(dòng)損耗分析等方面進(jìn)行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉換器和輸出驅動(dòng)級。柵極驅動(dòng)器損耗
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Microchip推出基于dsPIC? DSC的新型集成電機驅動(dòng)器 將控制器、柵極驅動(dòng)器和通信整合到單個(gè)器件
- 為了在空間受限的應用中實(shí)現高效、實(shí)時(shí)的嵌入式電機控制系統，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC?數字信號控制器（DSC）的新型集成電機驅動(dòng)器系列。該系列器件在一個(gè)封裝中集成了dsPIC33 數字信號控制器 （DSC）、一個(gè)三相MOSFET柵極驅動(dòng)器和可選LIN 或 CAN FD 收發(fā)器。這種集成的一個(gè)顯著(zhù)優(yōu)勢是減少電機控制系統設計的元件數量，縮小印刷電路板（PCB）尺寸，并降低復雜性。該系列器件的支持資源包括開(kāi)發(fā)板、參考設計、應用筆記和 Microchip
- 關(guān)鍵字： Microchip dsPIC DSC 電機驅動(dòng)器 柵極驅動(dòng)器
Microchip推出3.3 kV XIFM 即插即用mSiC? 柵極驅動(dòng)器：進(jìn)一步擴展其mSiC 解決方案，加速高壓SiC 電源模塊采用
- 萬(wàn)物電氣化推動(dòng)了碳化硅 （SiC）技術(shù)在交通、電網(wǎng)和重型汽車(chē)等中高壓應用領(lǐng)域的廣泛采用。為了幫助開(kāi)發(fā)人員部署SiC解決方案并快速推進(jìn)開(kāi)發(fā)流程，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出采用Augmented Switching? 專(zhuān)利技術(shù)的3.3 kV XIFM 即插即用mSiC?柵極驅動(dòng)器。該驅動(dòng)器采用預配置模塊設置，開(kāi)箱即用，可顯著(zhù)縮短設計和評估時(shí)間。為了加快產(chǎn)品上市，這款即插即用的解決方案已經(jīng)完成了柵極驅動(dòng)器電路設計、測試和驗證等復雜的開(kāi)發(fā)工作。XIFM 數字柵極驅動(dòng)
- 關(guān)鍵字： Microchip mSiC 柵極驅動(dòng)器 高壓SiC
智能柵極驅動(dòng)器實(shí)現高效三相電機控制
- 電機在現代生活中應用廣泛。無(wú)論是吸塵器、空氣風(fēng)扇還是電動(dòng)自行車(chē)，這些生活中的常見(jiàn)設備都需要電機來(lái)驅動(dòng)，而一個(gè)良好的電機驅動(dòng)能力是保障設備高效、穩定運行的關(guān)鍵。瑞薩電子為大家帶來(lái)一款高功率、緊湊型BLDC電機控制解決方案，該方案由高度集成的三相智能柵極驅動(dòng)器實(shí)現，可直接驅動(dòng)三個(gè)N溝道MOSFET電橋，而內部的降壓-升壓功能還可進(jìn)一步減少器件數量，從而提供系統電源。圖片此次給大家帶來(lái)的方案由6個(gè)具有低導通電阻的RJK0659DPA MOSFET、1個(gè)RAA227063智能柵極驅動(dòng)器IC和1個(gè)RA4T1 MCU
- 關(guān)鍵字： 柵極驅動(dòng)器 電機控制
高頻功率應用.柵極驅動(dòng)器介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條高頻功率應用.柵極驅動(dòng)器!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對高頻功率應用.柵極驅動(dòng)器的理解，并與今后在此搜索高頻功率應用.柵極驅動(dòng)器的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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