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非易失性存儲器
非易失性存儲器 文章 進(jìn)入非易失性存儲器技術(shù)社區
意法半導體非易失性存儲器取得突破，率先在業(yè)界推出串行頁(yè)EEPROM
- 依托在串行EEPROM技術(shù)領(lǐng)域的積累和沉淀，意法半導體率先業(yè)界推出了串行頁(yè)EEPROM （Serial Page EEPROM）。這款全新類(lèi)別的EEPROM 是一種SPI串行接口的高容量頁(yè)可擦除存儲器，擦寫(xiě)靈活性、讀寫(xiě)性能和超低功耗獨步業(yè)界，前所未有。意法半導體新的串行頁(yè)EEPROM產(chǎn)品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在適當的時(shí)候增加16Mbit 和 8Mbit 產(chǎn)品。這個(gè)創(chuàng )新架構讓設計人員能夠在同一存儲器上管理固件和靈活存儲數據，這種組合在以前是沒(méi)有的。更高的存儲器集成度可以減少終端產(chǎn)品
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非易失性存儲器的特點(diǎn)及應用介紹
- 隨著(zhù)消費者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應用靈活性，開(kāi)發(fā)人員對修改系統應用功能的快捷性和簡(jiǎn)便性要求越來(lái)越高。從存儲器角度看，這預示著(zhù)可能需要用性能更高、合格檢測更快的先進(jìn)產(chǎn)品更換現有產(chǎn)品。新一代非易失性
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非易失性存儲器簡(jiǎn)介
- 隨著(zhù)消費者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應用靈活性，開(kāi)發(fā)人員對修改系統應用功能的快捷性和簡(jiǎn)便性要求越來(lái)越高。從存儲器角度看，這預示著(zhù)可能需要用性能更高、合格檢測更快的先進(jìn)產(chǎn)品更換現有產(chǎn)品。新一代非易失性
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非易失性存儲器的特點(diǎn)及其應用
- 隨著(zhù)消費者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應用靈活性，開(kāi)發(fā)人員對修改系統應用功能的快捷性和簡(jiǎn)便性要求越來(lái)越高。從存儲器角度看，這預示著(zhù)可能需要用性能更高、合格檢測更快的先進(jìn)產(chǎn)品更換現有產(chǎn)品。新一代非易失性
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世界黃金協(xié)會(huì )探討黃金在電子領(lǐng)域的應用
- 世界黃金協(xié)會(huì )(WGC)日前出版了一期《黃金資訊》專(zhuān)刊，著(zhù)重論述黃金在電子產(chǎn)品中的應用。這期專(zhuān)刊的內容包括對鍵合金線(xiàn)、電鍍等當前應用技術(shù)的探討，以及黃金在高端電子領(lǐng)域的一些新興應用。這些應用包括：使用黃金納米粒子來(lái)提高閃存設備容量，以及低溫金墨印刷應用。這期專(zhuān)刊的供稿者包括來(lái)自領(lǐng)先工業(yè)和學(xué)術(shù)中心的研究人員。請鍵入文字或網(wǎng)站地址，或者上傳文檔。 世界黃金協(xié)會(huì )工業(yè)總監兼《黃金資訊》編輯理查德·霍利迪博士(Richard Holliday)表示：“這期專(zhuān)刊凸顯了電子行業(yè)對于黃金
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Ramtron推出32Kb器件擴展F-RAM串口存儲器
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速讀/寫(xiě)性能、低電壓運行，以及出色的數據保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存儲器，工作電壓為2.7V至3.6V，采用8腳SOIC封裝，使用二線(xiàn)制 (I2C) 協(xié)議;并提供快速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲 (NoDelay™) 寫(xiě)入、幾乎無(wú)限的讀/寫(xiě)次數 (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
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PSoC的動(dòng)態(tài)配置能力及其實(shí)現方法
- 摘要：首先闡述Cypress公司的可編程片上系統(PSoC)的動(dòng)態(tài)配置能力及其實(shí)現結構，概要地列出幾種對PSoC微控制器在系統編程（ISP）的方法；在此基礎上分析CY8C26443-24PI通過(guò)。 關(guān)鍵詞：可編程片上系統 在系統編程 閃速存儲器 非易失性存儲器 嵌入式微控制器 引言 隨著(zhù)集成電路應用的飛速發(fā)展，片上系統的結構變的越來(lái)越復雜，這對嵌入式微控制器（Embedded MCU）的性能提出了更高的要求。和目前的16位甚至32位的微控制器相比，8位微
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非易失性存儲器介紹
非易失性存儲器是斷電后仍然能夠保持數據的存儲器，這也是與易失性存儲器最大的區別。具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)?！ ⌒滦鸵资源鎯ζ鞣謩e為1.鐵電存儲器（FeRAM）2.磁性隨機存儲器（MRAM）3.相變存儲器（OUM）?！ eRAM、MRAM和OUM這三種存儲器與傳統的半導體存儲器相比有很多突出的優(yōu)點(diǎn)，其應用遠景十分誘人。近年來(lái)，人們對它們的研究己取得了可喜的進(jìn)展，尤其是FeRAM [ 查看詳細 ]
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