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超結高壓MOSFET驅動(dòng)電路及EMI設計
- 分析了超結結構功率MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中由于Coss和Crss電容更強烈的非線(xiàn)性產(chǎn)生更快開(kāi)關(guān)速度的特性；給出了不同外部驅動(dòng)參數對開(kāi)關(guān)過(guò)程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅動(dòng)電路開(kāi)關(guān)波形及開(kāi)關(guān)性能的變化。最后，設計了優(yōu)化驅動(dòng)電路，實(shí)現優(yōu)化的EMI結果，并給出了相應驅動(dòng)電路的EMI測試結果。
- 關(guān)鍵字： 202106 超結 驅動(dòng) EMI 非線(xiàn)性 MOSFET
理解MOSFET時(shí)間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)
- Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)劉松（萬(wàn)國半導體元件(深圳)有限公司，上海 靜安 200070）??????摘要：本文論述了功率MOSFET數據表中靜態(tài)輸出電容Coss、時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測量的方法，特別說(shuō)明了在實(shí)際的不同應用中，采用不同的輸出電
- 關(guān)鍵字： 輸出電容 死區時(shí)間 開(kāi)關(guān)損耗 超結 201904
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